Патенты автора ХИРАНО, Акира (JP)
Способ изготовления нитридного полупроводникового излучающего ультрафиолетовое излучение элемента, имеющего пиковую длину волны излучения 285 нм или более короткую, содержит первый этап, на котором формируют слой полупроводника n-типа, состоящий из полупроводника n-типа на основе AlXGa1-XN (1≥X≥0,5), на верхней поверхности нижележащей части, включающей сапфировую подложку, второй этап, на котором над слоем полупроводника n-типа формируют активный слой, который включает в себя светоизлучающий слой, состоящий из полупроводника на основе AlYGa1-YN (X>Y>0), и который в целом состоит из полупроводника на основе AlGaN, и третий этап, на котором формируют слой полупроводника p-типа, состоящего из полупроводника p-типа на основе AlZGa1-ZN (1≥Z>Y), над активным слоем. В способе изготовления температура выращивания на втором этапе выше 1200°С и равна температуре выращивания на первом этапе или выше нее. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 6 ил.
Предлагается нитридный полупроводниковый излучающий ультрафиолетовый свет элемент, способный эффективно отводить отходящее тепло, образуемое в процессе излучения ультрафиолетового света. Нитридный полупроводниковый излучающий ультрафиолетовый свет элемент включает полупроводниковый слоистый участок 11 со слоем 6 AlGaN n-типа, активным слоем 7 слоя AlGaN и слоями 9 и 10 AlGaN p-типа; n-электрод 13; p-электрод 12; защитную изолирующую пленку 14 и первый нанесенный электрод 15, полученный влажным методом нанесения покрытия и состоящий из меди или сплава, содержащего медь в качестве главного компонента. Полупроводниковый слоистый участок 11 образован в первой области R1, и p-электрод образован на участке 11. Верхняя поверхность полупроводникового слоя 6 на основе AlGaN n-типа открыта во второй области, и n-электрод 13 образован на верхней поверхности. Защитная изолирующая пленка 14 имеет отверстия для открытия по меньшей мере одной части n-электрода 13 и по меньшей мере одной части p-электрода 12. Первый нанесенный электрод 15 разнесен от открытой поверхности n-электрода 13 и покрывает всю верхнюю поверхность и всю внешнюю боковую поверхность первой области и часть второй области, которая находится в контакте с первой областью. Также предложено нитридное полупроводниковое излучающее ультрафиолетовый свет устройство, выполненное на основе нитридного полупроводникового излучающего ультрафиолетовый свет элемента. Изобретение обеспечивает возможность эффективно отводить тепло, образуемое в процессе излучения ультрафиолетового света. 2 н. и 15 з.п. ф-лы, 16 ил.
