Патенты автора ИППОММАЦУ, Масамити (JP)
Предлагается нитридный полупроводниковый излучающий ультрафиолетовый свет элемент, способный эффективно отводить отходящее тепло, образуемое в процессе излучения ультрафиолетового света. Нитридный полупроводниковый излучающий ультрафиолетовый свет элемент включает полупроводниковый слоистый участок 11 со слоем 6 AlGaN n-типа, активным слоем 7 слоя AlGaN и слоями 9 и 10 AlGaN p-типа; n-электрод 13; p-электрод 12; защитную изолирующую пленку 14 и первый нанесенный электрод 15, полученный влажным методом нанесения покрытия и состоящий из меди или сплава, содержащего медь в качестве главного компонента. Полупроводниковый слоистый участок 11 образован в первой области R1, и p-электрод образован на участке 11. Верхняя поверхность полупроводникового слоя 6 на основе AlGaN n-типа открыта во второй области, и n-электрод 13 образован на верхней поверхности. Защитная изолирующая пленка 14 имеет отверстия для открытия по меньшей мере одной части n-электрода 13 и по меньшей мере одной части p-электрода 12. Первый нанесенный электрод 15 разнесен от открытой поверхности n-электрода 13 и покрывает всю верхнюю поверхность и всю внешнюю боковую поверхность первой области и часть второй области, которая находится в контакте с первой областью. Также предложено нитридное полупроводниковое излучающее ультрафиолетовый свет устройство, выполненное на основе нитридного полупроводникового излучающего ультрафиолетовый свет элемента. Изобретение обеспечивает возможность эффективно отводить тепло, образуемое в процессе излучения ультрафиолетового света. 2 н. и 15 з.п. ф-лы, 16 ил.
