Патенты автора Дмитриева Мария Николаевна (RU)

Изобретение относится к области медицинской иммунологии, к исследованию молекулярно-клеточного механизма действия иммунобиологического лекарственного средства для профилактики и терапии хронических воспалительных заболеваний бактериальной и вирусной этиологии. Предложено применение поликомпонентной вакцины, состоящей из водорастворимых антигенов, выделенных из штаммов Klebsiella pneumoniae, Proteus vulgaris, Escherichia coli и Staphylococcus aureus. Вакцина содержит паттерн-ассоциированные молекулярные структуры микроорганизмов, являющиеся лигандами Толл-подобных рецепторов для вызывания у экспериментальных животных при энтеральном введении увеличения содержания клеток, экспрессирующих TLR 4 от 1,5 до 14,0%; TLR 9 от 2,2 до 15,5% с последующей продукцией IL-1β от 15,0 до 18,0 пг/мл, IL-6 от 120 до 140 пг/мл, IL-12 от 10,0 до 12,0 пг/мл; при подкожном введении - увеличения содержания TLR 2 от 3,0 до 11,0%; TLR 4 от 1,2 до 11,6%; TLR 9 от 4,0 до 13,2% с последующей продукцией IL-1β от 65 до 68 пг/мл, IL-6 от 190 до 220 пг/мл, IL-12 от 35,0 до 40,0 пг/мл; IFNγ от 34,0 до 38,0 пг/мл, и стимулирования образования специфических антител ОП450 при разведении сыворотки 1:3200 к антигену кишечной палочки 2,2-2,4 у.е.; к антигену клебсиеллы 1,5-1,9 у.е.; к антигену протея 1,8-2,1 у.е.; к антигену стафилококка 1,5-1,8 у.е. В результате активации эффекторов врожденного и адаптивного иммунитета поликомпонентная вакцина защищает экспериментальных животных от бактериальной и вирусной инфекции и объясняет терапевтический и профилактический эффект ее применения. 9 табл., 2 пр.

Изобретение относится к способу наращивания слоев полупроводниковых структур, осуществляемого методами эпитаксиального осаждения. Сущность: способ наращивания монокристаллических слоев полупроводниковых структур, осуществляемого методом эпитаксиального осаждения, заключается в том, что пропускают поток ростообразующего вещества над поверхностью монокристаллической полупроводниковой подложки, нагретой до заданной температуры, и активируют эту поверхность лазерным излучением, направленным под скользящим углом к поверхности и имеющим линейную поляризацию, при которой вектор Е электрического поля лежит в плоскости, практически перпендикулярной к плоскости, касательной к поверхности в точке падения лазерного излучения. Технический результат заключается в повышении скорости наращивания монокристаллических слоев в полупроводниках без увеличения количества дефектов их структуры. 6 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к лазерной технике. Активный элемент твердотельного лазера выполнен из прозрачного материала в виде полого тонкостенного цилиндра, высота которого много меньше его внутреннего и внешнего диаметров. Толщина стенки упомянутого полого тонкостенного цилиндра выбрана с учетом теплопроводности упомянутого прозрачного материала для гарантированного подавления термоупругих напряжений и критических значений градиента температуры. По внешней и внутренней поверхностям упомянутого полого тонкостенного цилиндра вдоль его образующих расположены линейки диодов накачки под углом к плоскости, касательной к поверхности упомянутого полого тонкостенного цилиндра в точке касания, с заданным шагом. Технический результат заключается в повышении эффективности использования импульса накачки, подавлении термоупругих напряжений и повышении частности при работе лазера. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 3 ил.

 


Наверх