Патенты автора ЦЮЭ Сяндун (CN)

Изобретение относится к области техники жидкокристаллических дисплеев, в частности к контролю конструкции с МДП-структурой (структурой металл - диэлектрик - полупроводник) в ТПТ (тонкопленочных транзисторах) и его системе. Раскрыт способ контроля конструкции с МДП-структурой (структурой металл - диэлектрик - полупроводник) в ТПТ (тонкопленочных транзисторах). Техническим результатом является обеспечение улучшения функционирования и стабильности жидкокристаллических дисплеев на тонкопленочных транзисторах за счет эффективного контроля конструкции МДП-структуры. В способе контроля конструкции с МДП-структурой в ТПТ получают диэлектрическую постоянную нитрида кремния в МДП-структуре, рассчитанную путем вычисления. Оценивают, достигает ли диэлектрическая постоянная нитрида кремния значения, заданного в процедуре изготовления ТПТ. Корректируют параметры МДП-структуры так, чтобы после корректировки обеспечивалось достижение диэлектрической постоянной нитрида кремния в МДП-структуре значения, заданного в процедуре изготовления ТПТ. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 9 ил.

 


Наверх