Патенты автора РИДЕЛЬ Стефан (DE)
Группа изобретений относится к области полупроводниковых устройств. Способ подавления токов утечки в устройстве, содержащем структурированный проводящий слой, образующий цепь электрода истока и цепь электрода стока для множества транзисторов, полупроводниковый слой, обеспечивающий соответствующий полупроводниковый канал для каждого транзистора между цепью электрода истока и цепью электрода стока, и цепь электрода затвора, покрывающую полупроводниковые каналы множества транзисторных устройств для переключения полупроводниковых каналов между двумя или более уровнями проводимости, при этом указанный способ содержит применение одного или более дополнительных проводников, независимых от указанной цепи электрода затвора, для емкостного индуцирования уменьшения проводимости указанных одной или более областей указанного полупроводникового слоя за пределами указанных полупроводниковых каналов. Технический результат – уменьшение токов утечки. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 3 ил.
