Патенты автора Вечерко Григорий Юрьевич (RU)
Способ изготовления интегральных элементов микросхем на эпитаксиальных структурах арсенида галлия // 2665368
Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к технологии полупроводниковых приборов на эпитаксиальных структурах арсенида галлия. Техническим результатом предлагаемого способа изготовления интегральных элементов микросхемы на эпитаксиальных структурах арсенида галлия является обеспечение равенства слоевых сопротивлений для различных интегральных элементов, рабочая область которых формируется в эпитаксиальных структурах арсенида галлия при помощи жидкостного травления. Это позволяет решить поставленную техническую проблему - минимизацию технологического разброса параметров интегральных элементов изготавливаемой микросхемы. В способе изготовления интегральных элементов микросхем на эпитаксиальных структурах арсенида галлия, включающем формирование омических контактов, создание рабочих областей интегральных элементов микросхемы при помощи операций протонирования и жидкостного травления, пассивацию поверхности микросхемы диэлектриком и формирование верхнего слоя металлизации, создание рабочих областей интегральных элементов микросхемы происходит в два этапа. На первом этапе при помощи первого протонирования формируются топологически одинаковые для интегральных элементов конкретной микросхемы области, которые травятся жидкостным травлением до достижения необходимого слоевого сопротивления эпитаксиального n-слоя. На втором этапе при помощи второго протонирования в полученных областях формируется необходимая планарная форма рабочих областей интегральных элементов микросхемы, разная для различных интегральных элементов. Полученное при таком способе изготовления равенство слоевых сопротивлений в тех областях эпитаксиальной структуры, где формируются интегральные элементы микросхемы, приводит к минимальному разбросу параметров этих интегральных элементов. 2 табл.
