Патенты автора Ванеева Джульетта Джемалиевна (RU)
Использование: для изготовления сенсорных датчиков. Сущность изобретения заключается в том, что способ модификации включает пропитку образца фотонного кристалла и отжиг на воздухе. При этом образец фотонного кристалла предварительно помещают в центрифугу, а пропитку его пор осуществляют 0,05-0,06 мл 25-30% толуольным раствором стеорита никеля или цинка или олеата железа при скорости вращения центрифуги 1900-2200 об/мин в течение 0,6-0,4 минут, сушат образец в центрифуге 5-6 минут, затем в термостате при 370-375 K 10-15 минут и отжигают на воздухе при температуре 670-720 K в течение 10-15 минут. Технический результат - обеспечение возможности упрощения технологии заполнения пор фотонного кристалла на основе наноструктурированного оксида алюминия окислами металлов. 3 ил.
