Патенты автора Курленко Александр Анатольевич (RU)
Способ изготовления КМОП-структур // 2665584
Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно технологии изготовления КМОП-структур, используемых в преобразовательных и цифровых устройствах. Техническим результатом является формирование единого технологического цикла изготовления элементов управляющей схемы маломощного и мощного высоковольтного силового транзисторов с целью получения интеллектуального силового ключа любой сложности на одном кристалле. Благодаря внесению поправок в базовые операции, возможно совершенствование параметров КМОП-структур и характеристик изготавливаемых интегральных схем на более ранних производственных этапах, что повышает рабочие параметры МОП-транзисторов и надёжность, улучшает характеристики интегральных схем и расширяет их функциональные возможности. В базовую КМОП-технологию единого технологического цикла изготовления элементов управляющей схемы маломощного и мощного силовых транзисторов внедрены технология изготовления «карман в кармане» для создания р- МОП-транзисторов с изолированным карманом n-типа и технология вертикального N-MOSFET, где исходным материалом служат эпитаксиальные структуры. Используются следующие операции: первое окисление, плазмохимическое травление SiO2, «I» фотолитография, травление SiO2, ионное легирование «р-карман», перераспределение «р-карман», «II» фотолитография, травление SiO2, ионное легирование «n-карман», перераспределение «n-карман», «III» фотолитография, травление SiO2, окисление термическое, ионное легирование «Подлегирование», «IV» фотолитография, травление SiO2, тонкое окисление, нанесение поликремния Si*, «V» фотолитография, травление Si*, «VI» фотолитография, ионное легирование «Область n++», «VII» фотолитография, ионное легирование «Область р++», отжиг, формирование SiO2 (нелегированный), осаждение борофосфоросиликатного стекла, отжиг, «VIII» фотолитография, травление борофосфоросиликатного стекла, напыление металла, «IХ» фотолитография, травление металла, осаждение SiO2, «X» фотолитография, травление SiO2. 2 ил.
