Патенты автора Белоножко Анастасия Викторовна (RU)

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике, в частности к изготовлению контактов с барьером Шоттки к арсениду галлия электрохимическим осаждением рутения. Способ изготовления выпрямляющих контактов к арсениду галлия включает: локальную металлизацию поверхности n-GaAs электрохимическим осаждением рутения из сульфаматного электролита рутенирования на основе гидроксихлорида рутения, содержащего г/л: Ru(OH)Cl3 (в пересчете на металл) - 2,5-5, NH2SO3H - 25-50, при температуре 20-65°C, катодной плотности тока 1,0-5,0 А/дм2, без или с наложением ультразвукового поля. Последующий отжиг рутениевых контактов проводят при температуре 400°C в атмосфере водорода в течение 10 минут. Способ позволяет получать качественные выпрямляющие рутениевые контакты к арсениду галлия Ru/n-GaAs, в том числе, малого размера, с электрофизическими характеристиками, близкими к идеальным, имеющие большую термическую устойчивость (вплоть до 500°C). Изобретение обеспечивает также упрощение технологического процесса. 2 з.п. ф-лы, 2 табл., 1 ил.
Мы будем признательны, если вы окажете нашему проекту финансовую поддержку!

 


Наверх