Патенты автора ЛВ Цибяо (CN)
Подложка матрицы тонкопленочных транзисторов включает область расположения электродов пикселей, область расположения электродов данных, прозрачный слой электродов пикселей, сформированный в области расположения электродов пикселей, первый металлический слой, первый диэлектрический слой, слой аморфного кремния, второй металлический слой, второй диэлектрический слой, сформированные в области расположения электродов пикселей и области расположения электродов данных. Первый диэлектрический слой покрывает первый металлический слой. Слой аморфного кремния, второй металлический слой и второй диэлектрический слой последовательно выполнены на первом диэлектрическом слое. Прозрачный слой электродов пикселей соединен со вторым металлическим слоем посредством проходного отверстия, выполненного в области электродов пикселей второго диэлектрического слоя. Подложка матрицы тонкопленочных транзисторов включает слой фоторезиста, сформированный между первым диэлектрическим слоем и слоем аморфного кремния. Кроме того, также предложены способ изготовления подложки матрицы тонкопленочных транзисторов и жидкокристаллический дисплей, включающий подложку матрицы тонкопленочных транзисторов. Изобретение обеспечивает получение тонкопленочных транзисторов для жидкокристаллических дисплеев с обеспечением таких эффектов отображения, как высокая скорость, высокая яркость и высокая контрастность. 3 н. и 3 з.п. ф-лы, 6 ил.
