Патенты автора Грехов И.В.
Изобретение относится к области мощной импульсной техники и может быть использовано в системах питания мощных лазеров, в видеоимпульсной радиолокации и т.д
Изобретение относится к полупроводниковой импульсной технике, а именно к полупроводниковым приборам для формирования высоковольтных перепадов напряжения наносекундного диапазона
Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано для систем питания мощных лазеров, в видеоимпульсной радиолокации и т.д
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при создании запираемых и комбинированно-выключаемых тиристоров, а также биполярных транзисторов
Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано при создании активных и пассивных элементов криоэлектронных схем, в особенности элементов на основе многослойных структур сверхпроводник-изолятор
Изобретение относится к полупроводниковой оптоэлектронике и может быть использовано при создании люминесцентных диодов видимого диапазона излучения
Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано при создании элементной базы сверхпроводниковой микроэлектроники и, в частности, полностью сверхпроводниковых интегральных схем
Изобретение относится к сильноточной полупроводниковой электронике и может быть использовано в лазерной и ускорительной технике
Изобретение относится к сильноточной полупроводниковой электронике и может быть использовано в реверсивно-управляемых приборах транзисторного и тиристорного типа для уменьшения мощности цепи накачки при коммутации больших токов
Изобретение относится к сильноточной полупроводниковой технике и может быть использовано в источниках питания мощных лазеров, в устройствах для очистки промышленных отходов, а также в мощных преобразователях в качестве сильноточного переключателя
Изобретение относится к области сильноточной полупроводниковой техники и может быть использовано в источниках питания мощных лазеров и в устройствах электрозарядной очистки промышленных отходов
Изобретение относится к области сильноточной полупроводниковой техники и может быть использовано в источниках питания мощных лазеров
Изобретение относится к сильноточной электронике и может быть использовано в технике сильных магнитных полей
Изобретение относится к сильноточной полупроводниковой технике и может быть использовано в источниках питания мощных лазеров и ускорителей, а так же в преобразовательной технике в качестве переключающего устройства
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых структур и может быть использовано для изготовления приборов сильноточной электроники и микроэлектроники методом прямого сращивания
Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано при создании элементной базы сверхпроводниковой микроэлектроники, в частности полностью сверхпроводниковых интегральных схем
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых структур, точнее к изготовлению кремниевых структур, содержащих p-слой кремния над и под границей раздела, и может быть использовано для создания приборов сильноточной электроники и микроэлектроники