Патенты автора Принц Виктор Яковлевич (RU)
Изобретение относится к области фармацевтики и представляет собой способ формирования биорезорбируемой полимерной клеточной матрицы для регенерации ткани, заключающийся в том, что изготавливают литографией комплект двумерных матриц в виде пленки полимера с поверхностными массивами микро- и нанообъектов, которые для каждой двумерной матрицы выполняют с индивидуальной архитектурой, системностью и взаимосвязанностью расположения в архитектуре микро- и нанообъектов, с возможностью задания структуры костной ткани, подлежащей формированию, с учетом ее биологических функций, с возможностью обеспечения механической поддержки, управления процессами дифференцировки и пролиферации клеток, затем двумерные матрицы собирают в каркас-носитель для клеточных культур и биологических агентов, ориентируя их друг относительно друга с возможностью задания структуры костной ткани и фиксируя в стопку, отличающийся тем, что сборку осуществляют в жидкой среде, отверждаемой при фотоэкспонировании в биорезорбируемый полимер, двумерные матрицы последовательно устанавливают друг относительно друга с зазором, в котором в процессе последовательной установки посредством проекционной трехмерной печати с использованием цифрового проектора получают слои биорезорбируемого полимера, содержащие массивы микрообъектов с индивидуальной архитектурой, системностью и взаимосвязанностью расположения их в архитектуре возможностью задания внешней формы и внутренней трехмерной структуры матрицы, согласно трехмерной компьютерной модели кости, с возможностью обеспечения механической поддержки, управления процессами дифференцировки и пролиферации клеток в ортогональном направлении относительно поверхности двумерных матриц. Изобретение обеспечивает повышение точности имитации структуры, формируемой (восстанавливаемой) ткани, достижение точности имитации в трех измерениях (объемной точности); задание трехмерной формы матрицы копирующей форму кости, основываясь на трехмерной компьютерной модели кости, задающей как внешнюю форму, так и внутреннюю трехмерную микроструктуру. 10 з.п. ф-лы, 3 ил., 3 пр.
Изобретение может быть использовано при изготовлении элементов памяти для вычислительных машин, микропроцессоров, электронных паспортов и карточек. Измельчают природный очищенный графит, в полученный порошок интеркалируют растворитель, не приводящий к химическому окислению графита, но способствующий расслоению графита, например диметилформамид или N-метилпирролидон. Для расслоения частиц графита полученную смесь обрабатывают ультразвуком и получают суспензию с содержанием графена 50 %. Для фторирования графена вводят от 3 до 10 % плавиковой кислоты и от 40 до 47 % воды, включая указанные значения интервалов. Меньшему количеству плавиковой кислоты соответствует большее количество воды и наоборот. Осуществляют фторирование графена до степени 50-80 % в течение 20-60 дней, включая указанные значения. Затем формируют активный слой FG для резистивного элемента памяти, для чего профторированную суспензию наносят на подложку Si капельно или в сочетании с использованием спинкоултера, распределяя ее до требуемой толщины слоя, сушат и промывают в воде. По другому варианту профторированную суспензию сначала промывают, а затем наносят на подложку Si капельно или в сочетании с использованием спинкоултера, распределяя ее до требуемой толщины слоя, и сушат. Изобретение обеспечивает стабильность максимального резистивного эффекта. 3 з.п. ф-лы, 2 ил., 5 пр.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КИРАЛЬНОЙ СТРУКТУРЫ // 2586454
Использование: для создания новых перестраиваемых искусственных электромагнитных сред на основе тонкопленочных металл-полупроводниковых и металлических оболочек. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления киральной электромагнитной структуры включает изготовление N киральных элементов с N≥1, изготавливают целиком формообразующую подложку с рельефом на ее рабочей поверхности, обеспечивающим киральность структуры и задающим участки на рабочей поверхности для нанесения функционального электромагнитного слоя, посредством аддитивной технологии с использованием материала для подложки, поддающегося объемному структурированию посредством аддитивной технологии с получением указанного рельефа и не вносящего вклад в киральные электромагнитные свойства структуры, затем на рабочую поверхность подложки наносят функциональный электромагнитный слой с заданной рельефом геометрией, обеспечивающей киральные электромагнитные свойства, заканчивая формирование N киральных элементов с N≥1. Технический результат: обеспечение возможности повышения селективности взаимодействия структур, расширения спектрального диапазона электромагнитного излучения, повышения воспроизводимости заданных киральных элетромагнитных свойств. 13 з.п. ф-лы, 14 ил., 9 пр.
Изобретение относится к медицине и представляет собой биорезорбируемую полимерную клеточную матрицу для тканеинженерии. Матрица содержит каркас-носитель для клеточных культур и биологических агентов. Каркас выполнен собираемым из N ориентированных друг относительно друга двумерных матриц с N≥1 с возможностью их фиксации в стопку после заселения клетками для тканевой инженерии. Каждая из двумерных матриц сформирована с помощью литографии в виде пленки полимера с поверхностными массивами микро- и/или нанообъектов. Массивы характеризуются индивидуальной архитектурой, системностью и взаимосвязанностью расположения в архитектуре микро- и/или нанообъектов, с возможностью задания структуры костной ткани, подлежащей формированию, учета ее биологических функций, с возможностью обеспечения механической поддержки, управления процессами дифференцировки и пролиферации клеток. Технический результат заключается в управлении процессом регенерации ткани, локализации и направленности процесса, повышении эффективности регенерации ткани, достижении воспроизводимости в процессах и результатах регенерации ткани. 9 з.п. ф-лы, 19 ил.
Использование: для разработки наноразмерных приборов на основе гетероструктур с использованием слоев графена и мультиграфена. Сущность изобретения заключается в том, что выращивают на подложке-доноре слой графена, который затем покрывают вспомогательной для переноса графенового слоя пленкой. После этого на вспомогательной для переноса графенового слоя пленке создают натягивающую рамку, предотвращающую сминание при переносе, или наносят сплошную упрочняющую пленку, обеспечивающую механическую целостность и предотвращающую сминание при переносе. Отделяют графеновый слой, покрытый вспомогательной для переноса графенового слоя пленкой, от подложки-донора и осуществляют его перенос на подложку. После переноса графенового слоя, покрытого вспомогательной для переноса графенового слоя пленкой, на подложку осуществляют прижим к подложке. Технический результат: предотвращение ухудшения структур и электрофизических характеристик графеновых слоев. 16 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение может быть использовано для создания миниатюрных датчиков для трехосевой магнитометрии. Датчик магнитного поля содержит сенсорные узлы, реализованные на использовании эффекта Холла, которые выполнены в составе криволинейной оболочки с системой слоев. В системе слоев присутствуют восприимчивые к магнитному полю - функциональные и формообразующие. Последними обеспечена кривизна оболочки и возможность ориентации крестообразных холловских элементов сенсорных узлов в пространстве с выполнением соответствия измеряемых холловских напряжений ортогональным компонентам вектора внешнего магнитного поля. Способ изготовления датчика магнитного поля заключается в следующем. На подложке формируют многослойный пленочный элемент/элементы. При этом используют материалы, геометрию и внутренние механические напряжения, обеспечивающие ориентацию крестообразных холловских элементов сенсорных узлов в пространстве, при которой реализовано соответствие измеряемых холловских напряжений ортогональным компонентам вектора внешнего магнитного поля. На стадии формирования пленочного элемента изготавливают слои, формообразующие, механически напряженные, и функциональные, восприимчивые к магнитному полю, с холловскими контактами. Пленочный элемент отделяют от подложки, трансформируя его под действием внутренних механических напряжений в оболочку с достижением ориентации крестообразных холловских элементов в пространстве, при которой реализовано соответствие измеряемых холловских напряжений ортогональным компонентам вектора внешнего магнитного поля. Решения обеспечивают достижение точности и надежности одновременных измерений ортогональных компонент магнитного поля, а также компоненты вектора магнитного поля, отличной от перпендикулярной к плоскости датчика; повышение надежности датчика и воспроизводимости параметров датчиков. 2 н. и 22 з.п. ф-лы, 6 ил., 5 пр.
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЯ ФТОРОГРАФЕНА // 2511613
Изобретение относится к нанотехнологии и предназначено для использования при создании современных тонкопленочных полупроводниковых приборов и структур наноэлектроники. В способе получения слоя фторографена от объемного графита отделяют слой требуемой толщины и размещают его на подложке. Затем проводят операцию фторирования с использованием плавиковой кислоты при условиях, обеспечивающих получение слоев фторографена толщиной до 10÷15 нм. При этом используют подложку кремния. На ее рабочей поверхности предварительно может быть выращен слой окиси кремния. Фторирование проводят в водном растворе плавиковой кислоты с содержанием 3÷7% HF длительностью обработки до 30 минут, но не менее tcr, при котором меняется проводимость фторируемых слоев. Кроме того, при фторировании используют температуры до 60°C. В результате достигается повышение качества слоев фторографена, снижение дефектности, уменьшение длительности процесса, повышение экологичности. 5 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к нанотехнологии и может быть использовано при разработке и создании наноустройств различного назначения, в частности в первую очередь трубчатых зондов, применяемых в сканирующей микроскопии, а также наноустройств, предназначенных для использования в медицине, биохимии, цитологии и генетике при проведении исследований с инъекциями и/или отбором образцов тканей и жидкостей на клеточном уровне
Изобретение относится к технологии получения слоистых наноматериалов, к нанотехнологии, в частности получения углеродных слоев или нанослоев графена на непроводящих подложках, и может быть использовано в массовой технологии производства приборов, базирующейся на методах и материалах традиционной планарной технологии изготовления полупроводниковых приборов
Изобретение относится к области электротехники, в частности к способу формирования графеновых полевых эмиттеров, используемых в различных электровакуумных устройствах, базирующихся на эмиссии электронов
ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИЙ МИКРО-, НАНОДВИГАТЕЛЬ // 2374746
Изобретение относится к электромеханике, а также к области микроструктурной технологии, в частности к микромеханическим устройствам с подвижными, гибкими или деформируемыми элементами
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для изготовления датчиков скорости потока газа и жидкости в аэродинамике, химии, биологии и медицине
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при создании современных полупроводниковых приборов и структур для микро- и наноэлектроники, в частности, при разработке наноразмерных приборов на основе кремния или структур Si/SiGe/Si с целью обеспечения проводимости тонких (субмикронных) полупроводниковых слоев
Изобретение относится к нанотехнологии и предназначено для создания наноустройств, используемых на клеточном уровне, в медицине, биохимии, цитологии и т.п
Изобретение относится к нанотехнологии и может быть использовано в микрооптомеханике, технике СВЧ, инфракрасного, видимого, ультрафиолетового и рентгеновского диапазона, где нужны структуры с киральными электромагнитными свойствами
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КВАНТОВЫХ СТРУКТУР: КВАНТОВЫХ ТОЧЕК, ПРОВОЛОК, ЭЛЕМЕНТОВ КВАНТОВЫХ ПРИБОРОВ // 2278815
Изобретение относится к микроэлектронике, наноэлектронике, полупроводниковой технике, к способам изготовления элементов квантовых приборов, структур с квантовыми эффектами
Изобретение относится к микро-, наноэлектронике и наноэлектромеханике и может быть использовано в технологии изготовления приборов микро-, наноэлектроники и наноэлектромеханики, в частности, при формировании приборных трехмерных наноструктур
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НАНОВОЛОКОН // 2270164
Изобретение относится к нанотехнологии, изготовлению наноструктур, а именно к способам производства нановолокон
Изобретение относится к области полупроводниковой техники, изготовлению интегральных схем, микроэлектронике, а именно к способам изготовления полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле и их частей
