Патенты автора Игнатьев Сергей Михайлович (RU)
КОМПАРАТОР ДВОИЧНЫХ ЧИСЕЛ // 2762061
Изобретение относится к электронике и предназначено для использования в интегральных микросхемах счетных и управляющих устройств на комплементарных полевых транзисторах структуры металл-окисел-полупроводник (КМОП). Техническим результатом является повышение быстродействия. Устройство содержит блоки сравнения разрядов, содержащие инвертор, элемент 2И-НЕ и элемент 2ИЛИ-НЕ, блоки объединения результатов частичных сравнений, образующие древовидную цепь и реализующие функции , , и формирователь сигнала признака равенства чисел, выполненный на элементе 2ИЛИ-НЕ. 2 з.п. ф-лы, 12 ил., 1 табл.
ИСТОЧНИК ОПОРНОГО НАПРЯЖЕНИЯ // 2673243
Изобретение относится к электронике и предназначено для использования в интегральных микросхемах на комплементарных транзисторах структуры металл-диэлектрик-полупроводник (КМДП). Его технический результат, заключающийся в повышении стабильности выходного напряжения по напряжению питания, достигается введением в устройство четвертого и пятого МДП-транзисторов 6 и 7 с индуцированным каналом первого типа проводимости, третьего и четвертого МДП-транзисторов 10 и 11 с индуцированным каналом второго типа проводимости и выполнением их связей. Это позволяет выровнять электрические режимы МДП-транзисторов, формирующих токи, протекающие в диодах 12 и 13. На схеме устройства также обозначены первый и второй резисторы 1 и 2, с первого по третий МДП-транзисторы 3-5 с индуцированным каналом первого типа проводимости, первый и второй МДП-транзисторы 8 и 9 с индуцированным каналом второго типа проводимости. Стабильность выходного напряжения устройства достигается при приближении его значения к величине ширины запрещенной зоны Е0 полупроводникового материала. 1 ил.
ИСТОЧНИК ТОКА // 2620592
Изобретение относится к электронике и предназначено для использования в интегральных микросхемах на комплементарных транзисторах структуры металл-диэлектрик-полупроводник (КМДП). Технический результат, заключающийся в повышении стабильности вырабатываемого тока по напряжению питания, достигается введением в устройство четвертого и пятого МДП-транзисторов (5 и 6) с индуцированным каналом первого типа проводимости, третьего и четвертого МДП-транзисторов (9 и 10) с индуцированным каналом второго типа проводимости и выполнением их связей. Это позволяет выровнять электрические режимы МДП-транзисторов, формирующих токи, протекающие в диодах (11 и 12). На схеме устройства также обозначены резистор (1) с первого по третий МДП-транзисторы (2-4) с индуцированным каналом первого типа проводимости, первый и второй МДП-транзисторы (7 и 8) с индуцированным каналом второго типа проводимости. Выходной ток устройства выражает формула
,где k=1,38⋅10-23 Дж/град - постоянная Больцмана, q=1,6⋅10-19 Кл - заряд электрона, β2-β4 - крутизны МДП-транзисторов 2-4, отношения которых определяются отношением размеров каналов транзисторов, SD11 и SD12 - площади p-n переходов диодов 11 и 12, R10 - сопротивление резистора 1 при Т=Т0 в линейно-пропорциональной абсолютной температуре аппроксимации термозависимости сопротивления - R1=R10⋅Т/Т0. 8 ил., 2 табл.
ЛОГИЧЕСКИЙ ВЕНТИЛЬ // 2546302
Изобретение относится к электронике и предназначено для использования в интегральных логических устройствах на комплементарных униполярных полевых транзисторах структуры металл-окисел-полупроводник (МОП) с индуцированными каналами p и n типов проводимости и биполярных транзисторах n-p-n и p-n-p структур. Техническим результатом является повышение надежности за счет снижения паразитных емкостей базовых узлов. Логический вентиль содержит МОП-ключи p и n типов проводимости, истоковые выводы которых соответственно подключены к шинам положительного и отрицательного полюсов напряжения питания, эмиттерные повторители на биполярных транзисторах n-p-n и p-n-p структур, коллекторы которых соответственно подключены к шинам положительного и отрицательного полюсов напряжения питания, а эмиттеры соединены с выходом логического вентиля, МОП-ключи p и n типов проводимости составляют более двух комплементарных пар, в каждой из которых стоковые выводы МОП-ключей соединены и подключены к базе биполярного транзистора соответствующего эмиттерного повторителя. 3 ил.
Изобретение относится к области упаковки и может быть использовано для хранения, демонстрации оптических дисков и манипулирования ими
