Патенты автора Щеглов Дмитрий Владимирович (RU)
Изобретение относится к области приемников излучения и касается болометрического приемника излучения терагерцового диапазона. Приемник излучения содержит корпус, в котором размещена подложка со схемой считывания, соединенная с матрицей микроболометрических приемников, образующих пиксели, выполняющая функцию входного окна, пропускающего регистрируемое излучение на микроболометры. Термочувствительные мембраны микроболометрических приемников размещены на расстоянии относительно подложки со схемой считывания более чем в 10 раз меньшем длины волны регистрируемого излучения и сформированы системой слоев, включающих термочувствительный элемент и поглотитель излучения. Напротив матрицы микроболометрических приемников размещен широкополосный поглотитель. Технический результат заключается в обеспечении отсутствия областей малой, близкой к нулю, чувствительности болометрического приемника в диапазоне длин волн от 30 мкм до 1 мм. 8 з.п. ф-лы, 5 ил.
Использование: для изготовления конструктивных элементов микромеханических приборов. Сущнось изобретения заключается в том, что на исходной структуре кремний-на-изоляторе (КНИ) структурируют слой кремния, расположенный на диэлектрическом слое, фокусированным ионным пучком (ФИП) до получения с заданной длиной и шириной тела плоской меандрообразной пружины с площадками на концах, при структурировании слоя кремния обеспечивают геометрическую конфигурацию пружины, приводящую к увеличению электрической длины от 9 до 11 раз по сравнению с формой балки в виде сплошного прямоугольника той же заданной длины и ширины, снижению влияния вертикальной собственной частоты колебаний, возникновению продольной горизонтальной собственной частоты колебаний и возникновению изгиба при вращательном движении, после окончания структурирования слоя кремния с получением конструктивных элементов активного элемента - тела плоской меандрообразной пружины, площадок на концах - из-под тела плоской меандрообразной пружины удаляют полностью материал диэлектрического слоя, получая структуру КНИ мостикообразной формы, подготавливают несущую подложку с диэлектрической рабочей поверхностью, на которой сначала выполняют пару контактных площадок и расположенный между ними управляющий электрод из электропроводящего материала, затем на контактных площадках посредством ФИП осаждают соединяющие активный элемент контактные площадки, активный элемент с плоской меандрообразной пружиной и площадками на концах выделяют из структуры КНИ мостикообразной формы, переносят на несущую подложку и жестко крепят площадками на концах к соединяющим активный элемент контактным площадкам. Технический результат: обеспечение возможности повышения точности и чувствительности при детектировании изменения параметров движения. 10 з.п. ф-лы, 5 ил.
Предложенный способ относится к изготовлению инструмента измерительной техники для исследований профилей топографических особенностей гладкой поверхности - ступенчатого высотного калибровочного стандарта для профилометрии и сканирующей зондовой микроскопии. Согласно заявленному способу, подготавливают полупроводниковую пластину с вицинальной поверхностью, характеризуемой наличием верхней и нижней террас с непрерывным положительным градиентом высот. Пластину помещают в вакуум. Проводят термоэлектрический отжиг. Сначала через пластину пропускают постоянный электрический ток, вызывающий резистивный нагрев материала пластины до температуры активируемой сублимации атомов верхнего атомного слоя. Пропускают ток параллельно вицинальной поверхности между верхней и нижней террасами. Нагревают в течение заданного промежутка времени для появления на одиночных моноатомных ступенях участков с противоположным относительно начального, отрицательным, градиентом высот. Затем направляют на нагреваемую поверхность поток атомов того же сорта, что и материал пластины, сопоставимый или равный потоку атомов, убывающих с поверхности в процессе сублимации. Воздействуют потоком в течение промежутка времени, обеспечивающего формирование скоплений из участков одиночных моноатомных ступеней с противоположным относительно начального, отрицательным, градиентом высот, содержащих точно подсчитываемое количество близко расположенных моноатомных ступеней с противоположным относительно начального, отрицательным, градиентом высот. По обе стороны от скоплений сформированы террасы, обеспечивающие воспроизводимые и с высокой точностью измерения высоты рельефа поверхности. За счет этого достигают воспроизводимость измерений, повышение точности определения высоты особенностей рельефа, обеспечение заданной погрешности измерений, обеспечение возможности калибровки по калибровочным стандартам с одинаковой точностью. 15 з.п. ф-лы, 8 ил.
Изобретение относится к технологии микро- и оптоэлектроники
Изобретение относится к измерительной технике
Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для усовершенствования работы инструментов, измеряющих высоту рельефа поверхности, и для сертификации высотных стандартов
СПОСОБ АНАЛИЗА ТРЕНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ АТОМНО-СИЛОВОЙ МИКРОСКОПИИ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ // 2364855
Изобретение относится к анализу материалов, а именно к способам анализа трения в наноразмерных масштабах на поверхности твердых тел посредством использования фазового контраста атомно-силовой микроскопии, в частности к способам измерения трения на поверхности твердых тел
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ПЛЕНОК ГЕРМАНИЯ // 2336593
Изобретение относится к полупроводниковой технологии, а именно к технологии устройств наноэлектроники, микроэлектроники, и может быть использовано при создании микроэлектронных и микроэлектромеханических систем, в частности микро-, нанопроцессоров и наномпьютеров
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ОКИСНЫХ ПЛЕНОК // 2268952
Изобретение относится к наноэлектронике, микроэлектронике и может быть использовано в микроэлектронных и микроэлектромеханических системах, а также для создания микро-, нанопроцессоров и нанокомпьютеров
