Патенты автора Латышев Александр Васильевич (RU)

Изобретение относится к области приемников излучения и касается болометрического приемника излучения терагерцового диапазона. Приемник излучения содержит корпус, в котором размещена подложка со схемой считывания, соединенная с матрицей микроболометрических приемников, образующих пиксели, выполняющая функцию входного окна, пропускающего регистрируемое излучение на микроболометры. Термочувствительные мембраны микроболометрических приемников размещены на расстоянии относительно подложки со схемой считывания более чем в 10 раз меньшем длины волны регистрируемого излучения и сформированы системой слоев, включающих термочувствительный элемент и поглотитель излучения. Напротив матрицы микроболометрических приемников размещен широкополосный поглотитель. Технический результат заключается в обеспечении отсутствия областей малой, близкой к нулю, чувствительности болометрического приемника в диапазоне длин волн от 30 мкм до 1 мм. 8 з.п. ф-лы, 5 ил.

Использование: для измерения высоты ступенчатых особенностей на гладких поверхностях. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает проведение в вакууме термоэлектрического отжига подложки твердотельного материала пропусканием электрического тока с резистивным нагревом до температуры активируемой сублимации атомов, отжиг сочетают с подачей потока осаждаемого на поверхность материала подложки, перед отжигом на рабочей поверхности подложки формируют рельеф с геометрией и поперечным размером, определяемыми в оптический микроскоп, в составе рельефа выполняют углубление, в котором боковая часть расположена под углом ±45° относительно нормали к кристаллографической плоскости рабочей поверхности подложки, отжигом в дне углубления и вокруг углубления с примыканием к краю формируют две опорные поверхности, в боковой части углубления получают, сочетая отжиг с подачей потока материала подложки, калибровочную ступень и средство для определения калибровочной высоты калибровочной ступени, из счетного количества моноатомных ступеней, ступенчатый высотный калибровочный эталон содержит на подложке пару опорных поверхностей, расположенных друг относительно друга с образованием калибровочной ступени калибровочной высоты из счетного количества моноатомных ступеней, одна опорная поверхность - в дне углубления, другая - примыкает к краю углубления, в боковой части углубления сформированы калибровочная ступень калибровочной высоты из счетного количества высокой плотности моноатомных ступеней и средство, обеспечивающее определение калибровочной высоты калибровочной ступени, из того же счетного количества моноатомных ступеней, но меньшей плотности, при этом для опорных поверхностей характерна субангстремная шероховатость и достаточные для оптических измерений размеры. Технический результат: обеспечение возможности увеличения ширины опорных поверхностей, снижения ширины калибровочной ступени, увеличения точности подсчета моноатомных ступеней в калибровочной ступени. 2 н. и 15 з.п. ф-лы, 3 ил.

Использование: для изготовления конструктивных элементов микромеханических приборов. Сущнось изобретения заключается в том, что на исходной структуре кремний-на-изоляторе (КНИ) структурируют слой кремния, расположенный на диэлектрическом слое, фокусированным ионным пучком (ФИП) до получения с заданной длиной и шириной тела плоской меандрообразной пружины с площадками на концах, при структурировании слоя кремния обеспечивают геометрическую конфигурацию пружины, приводящую к увеличению электрической длины от 9 до 11 раз по сравнению с формой балки в виде сплошного прямоугольника той же заданной длины и ширины, снижению влияния вертикальной собственной частоты колебаний, возникновению продольной горизонтальной собственной частоты колебаний и возникновению изгиба при вращательном движении, после окончания структурирования слоя кремния с получением конструктивных элементов активного элемента - тела плоской меандрообразной пружины, площадок на концах - из-под тела плоской меандрообразной пружины удаляют полностью материал диэлектрического слоя, получая структуру КНИ мостикообразной формы, подготавливают несущую подложку с диэлектрической рабочей поверхностью, на которой сначала выполняют пару контактных площадок и расположенный между ними управляющий электрод из электропроводящего материала, затем на контактных площадках посредством ФИП осаждают соединяющие активный элемент контактные площадки, активный элемент с плоской меандрообразной пружиной и площадками на концах выделяют из структуры КНИ мостикообразной формы, переносят на несущую подложку и жестко крепят площадками на концах к соединяющим активный элемент контактным площадкам. Технический результат: обеспечение возможности повышения точности и чувствительности при детектировании изменения параметров движения. 10 з.п. ф-лы, 5 ил.

Предложенный способ относится к изготовлению инструмента измерительной техники для исследований профилей топографических особенностей гладкой поверхности - ступенчатого высотного калибровочного стандарта для профилометрии и сканирующей зондовой микроскопии. Согласно заявленному способу, подготавливают полупроводниковую пластину с вицинальной поверхностью, характеризуемой наличием верхней и нижней террас с непрерывным положительным градиентом высот. Пластину помещают в вакуум. Проводят термоэлектрический отжиг. Сначала через пластину пропускают постоянный электрический ток, вызывающий резистивный нагрев материала пластины до температуры активируемой сублимации атомов верхнего атомного слоя. Пропускают ток параллельно вицинальной поверхности между верхней и нижней террасами. Нагревают в течение заданного промежутка времени для появления на одиночных моноатомных ступенях участков с противоположным относительно начального, отрицательным, градиентом высот. Затем направляют на нагреваемую поверхность поток атомов того же сорта, что и материал пластины, сопоставимый или равный потоку атомов, убывающих с поверхности в процессе сублимации. Воздействуют потоком в течение промежутка времени, обеспечивающего формирование скоплений из участков одиночных моноатомных ступеней с противоположным относительно начального, отрицательным, градиентом высот, содержащих точно подсчитываемое количество близко расположенных моноатомных ступеней с противоположным относительно начального, отрицательным, градиентом высот. По обе стороны от скоплений сформированы террасы, обеспечивающие воспроизводимые и с высокой точностью измерения высоты рельефа поверхности. За счет этого достигают воспроизводимость измерений, повышение точности определения высоты особенностей рельефа, обеспечение заданной погрешности измерений, обеспечение возможности калибровки по калибровочным стандартам с одинаковой точностью. 15 з.п. ф-лы, 8 ил.

Ветроэнергетическая установка относится к области ветроэнергетики, а именно к ветроэнергетическим установкам с вертикальной осью вращения ротора, используемым для получения механической и электрической энергии. Технический результат заключается в повышении эффективности использования энергии ветра, а именно в использовании энергии всего ветрового потока, поступающего на лопатки турбины из направляющего аппарата, для создания механической энергии. Достигается технический результат тем, что направляющий аппарат выполнен сложной формы, наружная и внутренняя оболочки направляющего аппарата представляют собой круговые седлообразные поверхности вращения вокруг оси вращения ротора, выходные кромки лопаток ориентированы перпендикулярно оси вращения, лопатки направляющего аппарата закручены от входной кромки, ориентированной по оси вращения ротора, как в осевом, так и окружном, относительно оси вращения ротора, направлениях, причем проходное сечение межлопаточных каналов уменьшается в направлении выхода - входа в турбину, выполненную осевой. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к технологии микро- и оптоэлектроники

Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для усовершенствования работы инструментов, измеряющих высоту рельефа поверхности, и для сертификации высотных стандартов

Изобретение относится к анализу материалов, а именно к способам анализа трения в наноразмерных масштабах на поверхности твердых тел посредством использования фазового контраста атомно-силовой микроскопии, в частности к способам измерения трения на поверхности твердых тел

Изобретение относится к полупроводниковой технологии, а именно к технологии устройств наноэлектроники, микроэлектроники, и может быть использовано при создании микроэлектронных и микроэлектромеханических систем, в частности микро-, нанопроцессоров и наномпьютеров

Изобретение относится к наноэлектронике, микроэлектронике и может быть использовано в микроэлектронных и микроэлектромеханических системах, а также для создания микро-, нанопроцессоров и нанокомпьютеров

 


Наверх