Патенты автора Игумнов Владимир Николаевич (RU)

Изобретение относится к технологии криоэлектроники и может быть использовано при изготовлении высокотемпературных сверхпроводящих (ВТСП) схем. Техническим результатом изобретения является повышение качества ВТСП схем, увеличение их температурного рабочего диапазона, повышение удельного сопротивления ВТСП материала в нормальном состоянии путем введения ферромагнитной примеси в ВТСП пленку при электроискровой обработке отрицательными импульсами, мощность которых находится из заявленного соотношения. 4 ил.

Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано для экранирования интегральных схем и других магниточувствительных устройств

Изобретение относится к электротехнике, к криоэлектронике и может быть использовано для защиты электрических машин от токовых перегрузок

Изобретение относится к области криоэлектроники и может быть использовано в высокотемпературных сверхпроводниковых (ВТСП) схемах

Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано при изготовлении ВТСП-структур

Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано для автоматической защиты электрических цепей от токовых перегрузок

Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано для создания логических схем

Изобретение относится к криоэлектронике и криоэлектротехнике

Изобретение относится к технологии криоэлектроники и может быть использовано при изготовлении высокотемпературных сверхпроводящих (ВТСП) схем

Изобретение относится к области электроники и может быть использовано в различных устройствах для экранирования объема от магнитного поля

Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано для получения высокотемпературных сверхпроводниковых (ВТПС) пленочных элементов и схем

Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано при изготовлении экранирующих устройств из высокотемпературного сверхпроводника (ВТСП)

Изобретение относится к технологии тонких пленок, в частности к способу формирования многокомпонентного стехиометричного пленочного покрытия, и может найти применение в электронной, атомной и других отраслях науки и техники

Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано для формирования прямоугольных импульсов с регулируемой скважностью

Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано при изготовлении экранирующих элементов из высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП)

Изобретение относится к области криоэлектроники и может быть использовано для получения объемов повышенной магнитной чистоты

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к технике измерения индуктивности высокотемпературных сверхпроводниковых (ВТСП) устройств

 


Наверх