Патенты автора Игумнов Владимир Николаевич (RU)
Изобретение относится к технологии криоэлектроники и может быть использовано при изготовлении высокотемпературных сверхпроводящих (ВТСП) схем. Техническим результатом изобретения является повышение качества ВТСП схем, увеличение их температурного рабочего диапазона, повышение удельного сопротивления ВТСП материала в нормальном состоянии путем введения ферромагнитной примеси в ВТСП пленку при электроискровой обработке отрицательными импульсами, мощность которых находится из заявленного соотношения. 4 ил.
Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано для экранирования интегральных схем и других магниточувствительных устройств
Изобретение относится к электротехнике, к криоэлектронике и может быть использовано для защиты электрических машин от токовых перегрузок
Изобретение относится к области криоэлектроники и может быть использовано в высокотемпературных сверхпроводниковых (ВТСП) схемах
Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано при изготовлении ВТСП-структур
Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано для автоматической защиты электрических цепей от токовых перегрузок
Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано для создания логических схем
Изобретение относится к криоэлектронике и криоэлектротехнике
Изобретение относится к технологии криоэлектроники и может быть использовано при изготовлении высокотемпературных сверхпроводящих (ВТСП) схем
Изобретение относится к области электроники и может быть использовано в различных устройствах для экранирования объема от магнитного поля
Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано для получения высокотемпературных сверхпроводниковых (ВТПС) пленочных элементов и схем
Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано при изготовлении экранирующих устройств из высокотемпературного сверхпроводника (ВТСП)
Изобретение относится к технологии тонких пленок, в частности к способу формирования многокомпонентного стехиометричного пленочного покрытия, и может найти применение в электронной, атомной и других отраслях науки и техники
Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано для формирования прямоугольных импульсов с регулируемой скважностью
Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано при изготовлении экранирующих элементов из высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП)
Изобретение относится к области криоэлектроники и может быть использовано для получения объемов повышенной магнитной чистоты
Изобретение относится к измерительной технике, а именно к технике измерения индуктивности высокотемпературных сверхпроводниковых (ВТСП) устройств