Патенты автора Зенин Виктор Васильевич (RU)
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ШАРИКОВЫХ ВЫВОДОВ НА АЛЮМИНИЕВОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ КОНТАКТНЫХ ПЛОЩАДОК КРИСТАЛЛА // 2671383
Использование: для изготовления интегральных схем (ИС), гибридных интегральных схем (ГИС), микросборок и модулей. Сущность изобретения заключается в том, что на контактных площадках кристалла формируют шариковые выводы из платиновой проволоки термозвуковым методом сварки, а после планаризации шариковых выводов на них наносят шарик припоя для последующей пайки кристалла на корпус/подложку по технологии «flip-chip». Технический результат - обеспечение возможности повышения надежности и быстрого прототипирования без применения шаблонов. 3 ил.
Использование: для сборки трехмерных интегральных схем (ИС) 3D БИС. Сущность изобретения заключается в том, что способ изоляции при монтаже перевернутых кристаллов включает сборку, на которую поступают кристаллы с контактными столбиками и подложки с металлизацией на контактных площадках из припоя заданной толщины, между кристаллом и подложкой размещают клейкую ленту, имеющую отверстия, рисунок которых является зеркальным отображением расположения контактных столбиков на кристалле, при сборке контактные столбики кристалла через отверстия в ленте совмещают с припоем контактных площадок на подложке, затем проводят пайку в вакууме, при нагреве до температуры пайки и давлении на кристалл припой расплавляется, при этом происходит смачивание припоем всей поверхности контактных столбиков кристалла, в результате этого происходит заполнение зазора между контактными столбиками и отверстиями в клеящей ленте, а т.к. толщина ленты соизмерима с расстоянием между кристаллом и подложкой, то под давлением кристалла и при температуре пайки происходит плотное соединение ленты с поверхностями кристалла и подложки, что исключает не только растекание припоя по поверхностям кристалла и подложки и короткое замыкание между контактами прибора, но и образование пор на границе ленты с паяемыми поверхностями кристалла и подложки. Технический результат: обеспечение возможности повышения теплоотвода от кристалла к подложке. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к области электроники и предназначено для изготовления трехмерных интегральных схем 3D БИС. Сущность изобретения: способ сборки трехмерных интегральных схем 3D БИС включает операции монтажа кристаллов друг на друга с последующим соединением каждого кристалла с корпусом с использованием выводов. Монтаж кристаллов последовательно осуществляют друг с другом, при этом соединения кристаллов с корпусом осуществляют с использованием выводов, закрепленных на полиимидной ленте. Техническим результатом изобретения является снижение себестоимости производства и повышение надежности. 9 ил.
СПОСОБ УМЕНЬШЕНИЯ ОСТАТОЧНЫХ ТЕРМОМЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ НА ГРАНИЦЕ ПОДЛОЖКА-МЕТАЛЛИЧЕСКОЕ ПОКРЫТИЕ // 2569642
Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к способу производства полупроводниковых изделий, предусматривающего монтаж кристаллов к корпусам, для осуществления которого используется напыление металлического покрытия на обратную поверхность кристаллов в составе подложки. Сущность изобретения: способ уменьшения остаточных термомеханических напряжений на границе подложка - металлическое покрытие, заключающийся в том, что перед напылением металлических покрытий подложку изгибают в обратном направлении. Новым в способе уменьшения остаточных термомеханических напряжений на границе подложка - металлическое покрытие является то, что напыление осуществляют на обратную поверхность подложки через трафарет, имеющий сквозные отверстия, форма и размеры которых идентичны размерам кристаллов, а перемычки между отверстиями в трафарете соизмеримы с шириной разделительных дорожек, сформированных между кристаллами на лицевой поверхности подложки. 5 ил.
УСТРОЙСТВО ОХЛАЖДЕНИЯ ИС // 2528392
Изобретение относится к области электроники и предназначено для отвода тепла от ИС, СБИС, силовых модулей, блоков радиоэлектронной аппаратуры и т.п. Технический результат - повышение теплоотвода от кристалла к корпусу; упрощение технологии сборки с использованием теплоотводов на основе эффекта Пельтье. Достигается тем, что в устройстве охлаждения ИС, основанном на использовании эффекта Пельтье, на ИС в керамическом корпусе наклеивается алюминиевый теплорассекатель, а на него охлаждающий полупроводниковый блок, использующий эффект Пельтье. При этом основание корпуса ИС является одновременно верхним теплопереходом охлаждающего полупроводникового блока, при этом пайка кристаллов к подложке, подложки с основанием корпуса (верхним теплопереходом ТЭМ), верхнего теплоперехода с одной поверхностью полупроводниковых ветвей p- и n-типа происходит при температуре на 20-25°C ниже температуры пайки другой поверхности полупроводниковых ветвей к нижнему теплопереходу, причем полупроводниковые ветви размещены между теплопереходами таким образом, что все горячие поверхности контактируют с одним теплопереходом, а все холодные - с противоположным и с помощью металлизации соединены в единую электрическую цепь, которая подключена к источнику питания, для контроля температуры корпуса ИС к нему крепится термопара, а для стабилизации температуры (нагрева или охлаждения) термопара соединена с блоком переключения полярности источника питания. 7 ил.
Изобретение может быть использовано для приварки металлических выводов при производстве силовых полупроводниковых приборов. На V-образный электрод подают импульс тока с приложением начального давления и подачей ультразвуковых колебаний вдоль оси привариваемого вывода. Прикладывают добавочное давление с уменьшением амплитуды ультразвуковых колебаний до нуля. В момент приложения добавочного давления на V-образный электрод подают повышенный импульс тока, обеспечивающий инициирование пластической деформации соединяемых материалов за счет скачкообразного увеличения температуры в зоне соединения. Изобретение обеспечивает упрощение конструкции сварочного узла, повышение прочности сварных соединений, сокращение времени сварки и повышение надежности силовых полупроводниковых приборов. 1 ил.
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий, имеющих большую площадь кристаллов
Изобретение относится к технологии приборов силовой электроники на основе карбида кремния
СПОСОБ СБОРКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ // 2387045
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем бессвинцовой пайки
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем бессвинцовой пайки
БЕССВИНЦОВЫЙ ПРИПОЙ // 2367551
Изобретение относится к области пайки с использованием бессвинцовых припоев и может быть использовано в микроэлектронике, в частности для пайки кремниевых кристаллов к основаниям корпусов силовых полупроводниковых приборов
Изобретение относится к области изготовления БИС и СБИС, имеющих большую площадь кристаллов, путем бесфлюсовой пайки в вакууме, водороде, аргоне, формир-газе и др
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий (ППИ) и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем бессвинцовой пайки
Изобретение относится к электронной технике, в частности к способу сборки полупроводниковых приборов и интегральных схем, включающему пайку кремниевого кристалла к основанию корпуса с образованием эвтектики золото - кремний
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий электронной техники и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем пайки припоями, не содержащими свинец
Изобретение относится к области сварки, в частности к подготовке к сварке изделий с серебряным покрытием, которое может быть использовано в микроэлектронике, а также в других областях техники
СПОСОБ СВАРКИ ДАВЛЕНИЕМ // 2271909
Изобретение относится к способам сварки давлением металлических выводов и может найти применение в производстве силовых полупроводниковых приборов
