Патенты автора Елисеев Вячеслав Васильевич (RU)

Изобретение относится к высоковольтным твердотельным коммутаторам, используемым в ускорительной и лазерной технике, радиолокации, электрооборудовании управляемого термоядерного синтеза, электроразрядных, электромагнитных и пучковых технологиях. Техническим результатом изобретения является создание высоковольтного сильноточного полупроводникового ключа, управляемого маломощным импульсом тока, аналогичным импульсу управления обычного тиристора, предназначенного для работы в режимах коммутации мощных двуполярных импульсов тока в субмиллисекундном и микросекундном диапазоне. Технический результат достигается с помощью конструкции высоковольтного коммутатора, состоящего из электрически и механически соединенных между собой коммутирующего блока, выполненного в виде последовательно соединенных реверсивно-включаемых динисторов с интегрированным управлением, зашунтированных резисторами и демпфирующими цепочками, и встроенного в коммутатор генератора запуска, в состав которого входят блок управления тиристорами и импульсные трансформаторы, вследствие чего высоковольтный блок РВДТ включается маломощным импульсом управления, коммутируя первый мощный импульс прямого тока, подобно тиристору, а последующие знакопеременные импульсы силового тока коммутируются по механизму реверсивно-включаемого динистора с обратной проводимостью, обеспечивая эффективную работу коммутатора в режимах переключения мощных слабозатухающих двуполярных импульсов тока. 2 ил.

Изобретение относится к мощным импульсным полупроводниковым приборам, предназначенным для высоковольтных твердотельных коммутаторов, используемых в ускорительной и лазерной технике, радиолокации, электрооборудовании управляемого термоядерного синтеза, электроразрядных, электромагнитных и пучковых технологиях. Техническим результатом изобретения является создание силового полупроводникового прибора, включаемого маломощным импульсом тока, аналогичным импульсу управления обычного тиристора, для использования в схемах мощных коммутаторов на основе последовательно соединенных приборов, предназначенных для работы в режимах коммутации знакопеременных затухающих импульсов тока. Это достигается с помощью конструкции реверсивно-включаемого динистора с интегрированным управлением (РВДТ), представляющей собой четырехслойную p+-n-p-n+-структуру с анодным p+- и катодным n+- эмиттерами, закороченными шунтами, с встроенными обратными диодами, при этом в центральной области динистора располагается асимметричный тиристор с регенеративным управляющим электродом и активной областью, выполненной в виде p+-n-p-n+ структуры, расположенной вокруг регенеративного управляющего электрода и повторяющей его форму, имеющую общие с реверсивно-включаемым динистором n- и p-базы, высоковольтный коллекторный переход, катодную и анодную металлизации, вследствие чего РВДТ включается маломощным импульсом управления, подобно тиристору, коммутируя первый мощный импульс прямого тока, а затем последующее включение прибора происходит по механизму реверсивно-инжекционного управления, обеспечивая эффективную работу РВДТ в режимах коммутации мощных слабозатухающих двухполярных импульсов тока. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к способам получения композиционных материалов для теплоотводящих оснований полупроводниковых приборов, в частности, композиционного материала Al-SiC, имеющего металлическое покрытие, и изделиям, полученным с использованием этих материалов. Способ включает пропитку порошка SiC расплавом алюминия или алюминиевого сплава и диффузионное соединение пропитанной заготовки с алюминиевой фольгой, размещенной, по крайней мере, с одной ее стороны, в котором порошок SiC используют в виде предварительно скомпактированной в форме теплоотводящего основания пористой заготовки, размещение алюминиевой фольги на пористой заготовке осуществляют перед пропиткой ее расплавом алюминия или алюминиевого сплава, а их диффузионное соединение совмещают с пропиткой пористой заготовки. Пористые заготовки с размещенной по крайней мере на одной стороне алюминиевой фольгой перед пропиткой алюминием или алюминиевым сплавом могут быть собраны в пакет, включающий две и более пористых заготовок. Пористые заготовки в пакете отделяют друг от друга металлическими пластинами, имеющими температуру плавления выше температуры плавления алюминия или алюминиевого сплава. Изобретение позволяет снизить время технологического цикла, повысить производительности процесса и, соответственно, понизить стоимость получаемых изделий для электронной промышленности. 3 н. и 2 з.п. ф-лы, 1 табл., 4 пр.

Изобретение относится к устройствам барьерного разряда

Изобретение относится к производству силовых модулей на основе диодов, тиристоров, транзисторов и других полупроводниковых приборов и может использоваться в высоковольтной преобразовательной технике для различных отраслей промышленности, транспорта, энергетики, коммунального хозяйства

 


Наверх