Патенты автора Рябчиков Александр Ильич (RU)

Изобретение относится к машиностроению и может быть использовано при обработке внутренней поверхности протяженных отверстий металлических изделий или труб для повышения их поверхностной твердости, коррозионной стойкости и износостойкости. Технический результат - расширение арсенала способов ионно-лучевой обработки внутренней поверхности протяженных отверстий, повышение однородности обработки. Способ ионно-лучевой обработки внутренней поверхности протяженных отверстий осуществляют путем генерации плазменного потока, экстракции и ускорения ионов, облучения внутренней поверхности протяженных отверстий, перемещения обрабатываемой детали вдоль продольной оси протяженного отверстия. Плазменный поток ионов формируют в пучок путем баллистической фокусировки ионов на мелкоструктурной сетке, выполненной в форме сферического сегмента, в пространстве дрейфа пучка, предварительно заполненного плазмой. Изделие располагают в фокальной плоскости пучка на расстоянии, равном радиусу R сферического сегмента, причем в процессе ионной обработки изделие возвратно-поступательно перемещают вдоль оси пучка на расстояние, равное ± L/2, где L - глубина обрабатываемого протяженного отверстия. 4 ил.

Изобретение относится к средствам радиационного материаловедения и предназначено для улучшения электрофизических, химических и механических свойств приповерхностных слоев изделий из металлов и сплавов, полупроводников, диэлектриков и других материалов. Способ имплантации ионов вещества осуществляют путем генерации плазменного потока, предварительной инжекции плазмы в пространство дрейфа и фокусировки пучка, последующего плазменно-иммерсионного формирования ионного пучка с дальнейшей его транспортировкой и баллистической фокусировкой в пространстве дрейфа и облучением образца импульсно-периодическими потоками плазмы и пучками ионов. Перед облучением образца ионами осуществляют их торможение с одновременной компенсацией пространственного заряда ионного потока. Техническим результатом является увеличение глубины приповерхностного ионно-легированного слоя образца. 3 ил.

Изобретение относится к области спектрометрии заряженных частиц и может быть использовано для измерения зарядового и массового состава ионов плазмы. Времяпролетный спектрометр содержит вакуумную камеру (1), в которой последовательно расположены труба дрейфа (2) и детектор ионов (7), на входном и выходном торцах трубы дрейфа (2) установлены электроды (3, 4), прозрачные для ионов и электрически связанные с ней. Перед входным электродом (3) размещен заземленный электрод (5). Труба дрейфа (2) электрически соединена с импульсным источником ускоряющего напряжения (8). Между выходным электродом (4) трубы дрейфа (2) и детектором ионов (7) установлен электрод (9), прозрачный для ионов, электрически подключенный к отрицательному выходу источника постоянного напряжения (11), второй выход которого подключен к вакуумной камере (1). Между электродом (9) и детектором ионов (7) установлен дополнительный электрод (11), прозрачный для ионов, электрически подключенный к положительному выходу источника постоянного напряжения (12), второй выход которого подключен к вакуумной камере (1). Технический результат - повышение точности измерения зарядово-массового состава ионов плазмы, создаваемой любым источником плазмы и на любом расстоянии от него. 3 ил.

Изобретение относится к плазменным технологиям нанесения пленочных покрытий и может быть использовано в электронной, инструментальной, оптической, машиностроительной и других отраслях промышленности. Устройство содержит жалюзийную систему, выполненную в виде набора электродов, перекрывающих апертуру испарителя. Электроды электрически соединены между собой последовательно и встречно и подключены к источнику тока и к положительному выводу источника напряжения, вторым выводом подключенного к аноду дугового испарителя. Каждый электрод выполнен из двух прилегающих друг к другу элементов, которые подключены к источнику тока таким образом, чтобы по ним протекал ток в противоположных направлениях. Технический результат - повышение производительности за счет увеличения общего потока плазмы на выходе плазменного фильтра. 2 ил.

(57) Изобретение относится к области спектрометрии заряженных частиц и может быть использовано для измерения зарядового и массового состава ионов плазмы. Времяпролетный спектрометр содержит вакуумную камеру (1), в которой последовательно расположены труба дрейфа (2) и детектор ионов (7), на входном и выходном торцах трубы дрейфа (2) установлены электроды (3, 4), прозрачные для ионов и электрически связанные с ней, перед входным электродом (3) размещен заземленный электрод (5), труба дрейфа (2) электрически соединена с импульсным источником ускоряющего напряжения (8). Между выходным электродом (4) трубы дрейфа (2) и детектором ионов (7) установлен дополнительный электрод (9), прозрачный для ионов, электрически подключенный к отрицательному выходу источника постоянного напряжения (10), второй выход которого подключен к вакуумной камере (1). Технический результат - повышение точности измерения зарядово-массового состава ионов плазмы, создаваемой любым источником плазмы и на любом расстоянии от него. 3 ил.

Изобретение относится к ионной очистке поверхности изделий из диэлектрического материала или проводящего материала с диэлектрическими включениями. Изделия размещают на проводящем держателе, генерируют плазму с импульсно-периодическим ускорением ее ионов путем прохождения плазменного потока через ускоряющий зазор и с обеспечением поочередного облучения поверхности изделий потоком ускоренных ионов и плазмой при подаче на проводящий держатель высокочастотных короткоимпульсных потенциалов смещения. Длительность импульсов 0,1-10 мкс, коэффициент заполнения импульсов 50-99% и амплитуда потенциала 1-10 кВ. При этом облучение поверхности изделий ведут при длительности импульса потенциала смещения, которая меньше времени зарядки емкости конденсатора, образованного проводящим держателем и эмиссионной границей плазмы, и при длительности паузы между импульсами ускоряющего напряжения, которая меньше времени прохождения плазменного потока через ускоряющий зазор. Обеспечивается повышение эффективности короткоимпульсной, высокочастотной ионной обработки материалов. 7 з.п. ф-лы, 6 ил., 2 пр.

Изобретение относится к плазменным технологиям нанесения пленочных покрытий и предназначено для очистки плазменного потока дуговых ускорителей от микрокапельной фракции. Вакуумно-дуговой генератор с жалюзийной системой фильтрации плазмы от микрочастиц содержит охлаждаемый катод 1 в виде усеченного конуса, поджигающий электрод 3, установленный на конической поверхности катода 1, цилиндрический охлаждаемый анод 4, установленный коаксиально с катодом 1, источник питания 5 вакуумной дуги, включенный между катодом 1 и анодом 4, источник питания 6 поджигающего электрода 3, подключенный отрицательным выходом к катоду 1, осесимметричную жалюзийную систему вставленных друг в друга конических электродов 7, электрически соединенных между собой последовательно и встречно и подключенных к источнику тока 9 и к положительному выводу источника напряжения 8, вторым выводом подключенного к аноду дугового испарителя, над анодом, до жалюзийной системы и после нее установлена, по меньшей мере, одна электромагнитная катушка 10, 11, 12 и перед жалюзийной системой электродов, соосно с ней, установлен дополнительный охлаждаемый анод 13. В центре катода 1 выполнено отверстие в виде встречного, по отношению к внешней поверхности катода, усеченного конуса, а электроды 7 жалюзийной системы выполнены в форме конической многовитковой винтовой линии. В центральной части катода, в плоскости малого диаметра усеченного конуса, установлен диск 2 из тугоплавкого материала. Жалюзийная система выполнена двухэлектродной. Электроды 7 жалюзийной системы и дополнительный анод 13 выполнены так, чтобы не было прямой видимости рабочей поверхности катода, включая его конические поверхности, из любой точки пространства, расположенного за жалюзийной системой. Электроды 7 выполнены с зазорами между соседними витками конической винтовой линии и разной длины. Технический результат - увеличение эффективности прохождения плазмы через жалюзийную систему электродов и ионного тока на выходе. 5 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение может быть использовано при обработке длинномерных изделий для модифицирования поверхности и нанесения функциональных покрытий с использованием технологий вакуумной ионно-плазменной обработки, ионной имплантации и нанесения покрытий. Цилиндрическая вакуумная камера (1) установки имеет загрузочную дверь (11), оснащенную фланцевыми соединениями для установки технологических модулей (4, 5, 6, 7, 8). Установка содержит систему подачи газов, откачную систему, источники питания и блок управления. Приспособление для размещения обрабатываемых изделий выполнено поворотным. В качестве технологических модулей установка содержит, по крайней мере, один протяженный вакуумно-дуговой генератор металлической плазмы, протяженный генератор газовой плазмы, среднечастотный дуальный магнетрон, источник ионов металлов, источник ионов газов, а также источник напряжения смещения, выполненный с возможностью обеспечения ионной имплантации и/или осаждения покрытий. Техническим результатом изобретения является обеспечение одновременной или последовательной комплексной поверхностной обработки, включающей очистку и активацию поверхности, нанесение различного вида функциональных многослойных покрытий, модифицирование поверхности металлической и газовой плазмой. 16 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл., 1 пр.

Изобретение относится к области авиадвигателестроения, а именно к нанесению покрытий на лопатки компрессора газотурбинных двигателей

Изобретение относится к установке для комбинированной ионно-плазменной обработки и может быть применено в машиностроении, преимущественно для ответственных деталей, например рабочих и направляющих лопаток турбомашин

Изобретение относится к плазменным технологиям нанесения пленочных покрытий и предназначено для очистки плазменного потока дуговых испарителей от микрокапельной фракции

Изобретение относится к технике переработки углеводородного газа и производства чистых продуктов - углерода и водорода

Изобретение относится к области спектрометрии заряженных частиц и может быть использовано для измерения зарядового и массового состава плазмы

Изобретение относится к трубопроводному транспорту, в частности к эксплуатации магистральных и промысловых трубопроводов

Изобретение относится к области радиохимии, в частности к способам получения технеция-99m для медицины

 


Наверх