Патенты автора Соотс Регина Альфредовна (RU)
Элемент резистивной памяти // 2714379
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении отношения величин токов в открытом и закрытом состояниях (Ion/Ioff) с достижением 4-6 порядков. Элемент резистивной памяти содержит подложку, расположенные на подложке активный слой, два электропроводящих электрода, контактирующих с активным слоем, при этом активный слой выполнен в составе пленки поливинилового спирта с примыкающим к ней слоем частиц фторированного графена, первый электрод выполнен с возможностью контактирования с пленкой поливинилового спирта, а второй - со слоем частиц фторированного графена, которые получены из терморасширенного графита, с фторированием до степени от 20 до 25%, включая указанные значения, частицы сформированы толщиной не более 2 нм, примыкающий к пленке поливинилового спирта, толщина которой не менее 70 нм, слой частиц фторированного графена сформирован толщиной, не превышающей величины, лежащей в интервале от 5 до 10 нм, при суммарной их толщине не более 120 нм. 3 з.п. ф-лы, 4 ил.
Активный слой мемристора // 2711580
Изобретение относится к технике накопления информации, к вычислительной технике, в частности к элементам резистивной памяти, и может быть использовано при создании устройств памяти, например, вычислительных машин, микропроцессоров электронных паспортов, электронных карточек. Активный слой мемристора содержит частицы фторографена и частицы кристаллогидрата оксида ванадия V2O5⋅nH2O с n≤3. Фторографен фторирован до степени 30% или более. Латеральный размер частиц фторографена составляет от 20 до 100 нм, толщина частиц от 1 монослоя до 2 нм. Диаметр частиц кристаллогидрата оксида ванадия - от 5 до 20 нм. Частицы кристаллогидрата оксида ванадия капсулированы частицами фторографена. Соотношение содержания фторографена к содержанию кристаллогидрата оксида ванадия взято от 0,5 до 0,7 масс. %. Активный слой выполнен толщиной от 40 до 70 нм. Активный слой по изобретению обеспечивает повышение отношения величин токов в открытом и закрытом состояниях (Ion/Ioff), повышение стабильности переключений без изменений сигналов, достижение времени переключения до величины наносекундного диапазона. 7 ил.
Изобретение относится к электронике и нанотехнологии и может быть использовано в 2D-печати. Сначала получают графеновые частицы электрохимическим расслоением графита, характеризующегося массой чешуек около 10 мг, в жидкой фазе с использованием в качестве электролита водного 0,00005-0,05 М раствора (NH4)2S2O8, в течение 10 мин и менее, при напряжении не более 15 В и подаче на графитовый электрод положительного напряжения. Полученную суспензию промывают. Затем вводят добавку, препятствующую слипанию графеновых частиц - Трилон Б или поверхностно-активное вещество, например, алкилбензолсульфокислоту, или 70% лауретсульфат натрия, или диэтаноламид, или 40% кокамидопропилбетаин. После этого приступают к механическому расслоению диспергированием или ультразвуковым воздействием, центрифугированием. Диспергирование осуществляют в режиме диспергатора 2500-20000 об/мин включительно при мощности 500 Вт в течение 0,5-2 ч включительно. При механическом расслоении ультразвуковым воздействием, центрифугированием, применяют 5-10 циклов, включающих ультразвуковое воздействие около 30 мин с мощностью ультразвука от 100 до 240 Вт включительно, и последующее центрифугирование около 30 мин, со скоростью ротора 6000 об/мин и более. После механического расслоения вводят добавку, обеспечивающую стабильность суспензии - этиленгликоль, или N-метилпирролидон, или пропиленгликоль, или диэтиленгликоль. Получают суспензию, включающую монослойные и бислойные частицы графена толщиной до 1,0 нм, пригодную для использования в качестве проводящих чернил. При этом предотвращается окисление получаемых частиц графена и их слипание. 6 з.п. ф-лы, 5 ил., 7 пр.
Изобретение может быть использовано в электронике при получении прозрачных электродов, дисплеев, беспроводных электронных устройств, элементов памяти, микропроцессоров, электронных паспортов, карточек, сенсоров, биосовместимых электронных имплантов. Сначала подготавливают суспензию графена с его концентрацией 0,01-10 мг/мл. Полученную суспензию графена фторируют при температуре 60-80 °С в растворе плавиковой кислоты с концентрацией 1-15 об.%, обеспечивающей достижение требуемой степени фторирования, протекание при фторировании процессов расслоения и фрагментации частиц суспензии с достижением латерального размера и толщины получаемых частиц фторографена, соответствующих частицам в чернилах. В процессе фторирования можно дополнительно осуществлять ультразвуковую обработку и/или центрифугирование. Затем производят выдержку в течение времени, достаточного для приобретения диэлектрических свойств. Изобретение позволяет сократить время изготовления суспензии фторографена для 2D печати диэлектрических слоев до 20 дней и менее. 12 з.п. ф-лы, 1 ил., 7 пр.
Использование: для разработки наноразмерных приборов на основе гетероструктур с использованием слоев графена и мультиграфена. Сущность изобретения заключается в том, что выращивают на подложке-доноре слой графена, который затем покрывают вспомогательной для переноса графенового слоя пленкой. После этого на вспомогательной для переноса графенового слоя пленке создают натягивающую рамку, предотвращающую сминание при переносе, или наносят сплошную упрочняющую пленку, обеспечивающую механическую целостность и предотвращающую сминание при переносе. Отделяют графеновый слой, покрытый вспомогательной для переноса графенового слоя пленкой, от подложки-донора и осуществляют его перенос на подложку. После переноса графенового слоя, покрытого вспомогательной для переноса графенового слоя пленкой, на подложку осуществляют прижим к подложке. Технический результат: предотвращение ухудшения структур и электрофизических характеристик графеновых слоев. 16 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при создании современных полупроводниковых приборов и структур для микро- и наноэлектроники, в частности, при разработке наноразмерных приборов на основе кремния или структур Si/SiGe/Si с целью обеспечения проводимости тонких (субмикронных) полупроводниковых слоев
Изобретение относится к микро-, наноэлектронике и наноэлектромеханике и может быть использовано в технологии изготовления приборов микро-, наноэлектроники и наноэлектромеханики, в частности, при формировании приборных трехмерных наноструктур
