Патенты автора Вяткин Анатолий Федорович (RU)

Использование: для планаризации поверхности наноструктур материалов. Сущность изобретения заключается в том, что способ планаризации поверхности наноструктур материалов электронной техники осуществляют пучком газовых кластерных ионов, а в качестве рабочего газа пучка газовых кластерных ионов используют ксенон. Технический результат: обеспечение возможности уменьшения шероховатости поверхности примерно в 2 раза. 1 табл.

Изобретение относится к области электротехники, а именно к прямому метанольному топливному элементу, который может использоваться в качестве источника питания, например, для сотовых телефонов. Предложенный топливный элемент в катодной части содержит расположенную между газодиффузионным слоем и электротеплопроводящей жесткой пластиной газоподводящую систему со встроенным микронасосом для принудительного удаления воды из системы, при этом микронасос содержит пьезоэлектрическую подложку с расположенным на ее поверхности встречно-штыревым преобразователем. На поверхности пьезоэлектрической подложки, покрытой пленкой наноструктурированного углерода, при помощи встречно-штыревого преобразователя, соединенного с высокочастотным генератором, возбуждается поверхностная акустическая волна. Газоподводящая система расположена на пленке наноструктурированного углерода и выполнена в виде перегородок, которые образуют входной, выходной и линейные газораспределительные каналы, при этом продольные оси линейных газораспределительных каналов перпендикулярны штырям встречно-штыревого преобразователя. Акустическая волна взаимодействует с микрообъемами воды, располагающимися в газораспределительных каналах, что способствует принудительному удалению воды. Повышение удельной электрической мощности метанольного топливного элемента является техническим результатом изобретения. 3 з.п. ф-лы, 2 ил., 3 пр.

Использование: для модификации наноструктур материалов. Сущность изобретения заключается в том, что способ модификации наноструктур материалов электронной техники газовыми кластерными ионами, включающий удаление из пучка кластерных ионов любого нежелательного ионизирующего излучения, при этом пучок газовых кластерных ионов подают в импульсном режиме. Технический результат: обеспечение возможности увеличения производительности ускорителя пучка газовых кластерных ионов. 1 з.п. ф-лы, 1 табл.

Изобретение относится к области технологии микроэлектроники и может быть использовано для получения тонкого легированного примесью слоя в кремнии для создания мелко залегающих p-n-переходов. Предложенное изобретение решает задачу упрощения технологии с одновременным улучшением качества создаваемых мелко залегающих наноразмерных легированных слоев в кремнии. Способ создания мелко залегающих наноразмерных легированных слоев в кремнии включает в себя нанесение из газовой фазы на кремний тонкой пленки химического соединения легируемого элемента, облучение полученной структуры пучком ионов и удаление остатков пленки с поверхности, новизна которого заключается в том, что процесс проводят непосредственно в камере ионного облучения, предварительно подложку кремния охлаждают до температуры ниже температуры плавления химического соединения легируемого элемента, а нанесение из газовой фазы на кремний тонкой пленки производят путем напуска в камеру ионного облучения газообразного химического соединения легируемого элемента и после ионного облучения при этой температуре удаление остатков пленки проводят нагревом подложки кремния. 1 ил.

Изобретение относится к области химических источников тока, в частности к топливным элементам с твердым полимерным электролитом
Изобретение относится к технологии создания газосепарирующих мембран, функционирующих за счет селективной диффузии тех или иных газов сквозь тонкую металлическую пленку
Изобретение относится к области получения тонких металлических пленок и может быть использовано как для получения свободных сверхтонких металлических пленок, например, сусального золота, платины и др., так и последующего нанесения этих пленок на разнообразные подложки

 


Наверх