Патенты автора Романов Алексей Евгеньевич (RU)
Устройство фотовольтаики // 2728247
Изобретение относится к составам покрытий полупроводниковых материалов и решает задачу увеличения эффективности захвата излучения солнечной батареей на длинах волн 440±10 нм и в диапазоне от 900 до 1700 нм. Устройство фотовольтаики содержит кремниевый слой р-типа проводимости с подключенным первым электродом, слой n-типа проводимости, представляющий собой оксид металла, к которому подключен второй электрод и частицы наноструктурированного серебра, при этом согласно изобретению слой р-типа проводимости выполнен из аморфного кремния, между слоем оксида металла, к которому подключен второй электрод, и слоем р-типа проводимости расположен слой аморфного кремния n-типа проводимости, частицы наноструктурированного серебра размером 30-40 нм внедрены на расстоянии 45-50 нм друг от друга с максимальной концентрацией не более 2⋅1015 на см3 в оксидный слой металла толщиной от 80 до 200 нм, в качестве которого использован оксид цинка, легированный алюминием в процентном соотношении 0,5-1,5 мол.%. 2 ил.
Прозрачный проводящий оксид // 2701467
Использование: для усиления электролюминесценции полупроводников. Сущность изобретения заключается в том, что слой оксида цинка с максимальной толщиной 200 нм, легированный ионами алюминия в концентрации от 3 до 4 молярных процентов и со слоями наночастиц серебра с максимальной концентрацией 1,25⋅1016 на см3, центры наночастиц находятся на расстоянии 110-130 нм друг от друга и образуют трехмерную решетку, наночастицы имеют размеры 38-42 нм, причем длина волны усиления зависит от молярной концентрации алюминия n в соотношении длина волны в нанометрах λ=530+40⋅(n-3). Технический результат: обеспечение возможности усиления электролюминесценции полупроводников, излучающих на длинах волн 530-570 нм.
Использование: для усиления электролюминесценции полупроводников. Сущность изобретения заключается в том, что слой оксида цинка, легированного ионами алюминия в концентрации 1,5-3,5 молярных процента с толщиной от 100 до 200 нм и слои наночастиц с размерами 38-42 нм с максимальной концентрацией 1,25⋅1016 на см3, наночастицы являются наночастицами золота, а их центры находятся на расстоянии 70-120 нм друг от друга с образованием трехмерной решетки. Технический результат: обеспечение возможности усиления электролюминесценции полупроводников, излучающих на длинах волны 590-630 нм.
Прозрачный проводящий оксид // 2671236
Изобретение относится к составам покрытий полупроводниковых материалов и решает задачу усиления электролюминесценции полупроводников на длине волны 450 нм. Прозрачный проводящий оксид содержит слой оксида цинка с максимальной толщиной 200 нм, легированный ионами алюминия в концентрации от 1 до 3 молярных процентов и слои наночастиц серебра размерами 30-40 нм и максимальной концентрацией 1,25⋅1016 на см3. Изобретение обеспечивает усиление электролюминесценции полупроводников, излучающих на длине волны 450 нм.
Изобретение относится к способу создания медных покрытий с развитой поверхностью, в котором из раствора электролита методом электроосаждения на металлический носитель наносят медное покрытие. Способ характеризуется тем, что процесс электроосаждения ведут с применением механоактивации катода из сернокислого электролита с добавлением инертных к электролиту частиц активатора в виде порошка фракцией 10-30 мкм в концентрации 20-50 г/л, электролит с активатором перед началом электроосаждения тщательно механически или с помощью воздуха перемешивают, затем перемешивание прекращают и запускают процесс электрокристаллизации меди или электроосаждения. Процесс осуществляют при периодическом перемешивании электролита с активатором в потенциостатическом режиме при перенапряжениях 50-200 мВ в течение 10-20 минут. Изобретение дает возможность создавать медные дефектные кристаллы, покрытия и слои из них, имеющие развитую поверхность. 5 з.п. ф-лы, 8 пр., 3 ил.
Изобретение относится к получению медьсодержащего материала в виде металлической подложки с нанесенными на нее микрочастицами меди. Ведут электроосаждение на металлическую подложку монослоя икосаэдрических микрочастиц меди с размером от 5 мкм до 15 мкм, обладающих шестью осями симметрии пятого порядка, из электролита в виде сернокислого медного раствора при перенапряжении 30-150 мВ. Проводят отжиг металлической подложки с полученным монослоем микрочастиц меди в воздушной атмосфере при температуре 150-210°C и времени выдержки от 15 минут до 1,5 часов с образованием оксидного слоя на поверхности микрочастиц меди. Затем металлическую подложку размещают горизонтально в растворе, содержащем соляную кислоту, хлорид железа FeCl3 и дистиллированную воду, и проводят химическое травление полученных микрочастиц в течение 10-100 с при температуре 15-50°C с обеспечением образования развитой поверхности микрочастиц в виде внутренних полостей и/или гофрированного рельефа. Обеспечивается хорошая адгезия микрочастиц меди к подложке. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.
СИСТЕМА ОХРАНЫ ПОМЕЩЕНИЯ // 2277724
Изобретение относится к области средств обеспечения безопасности помещений от проникновения посторонних лиц
