Патенты автора Смирнов Дмитрий Юрьевич (RU)

Изобретение относится к контейнерам и предназначено для транспортирования и длительного хранения отработавшего ядерного топлива (ОЯТ) в виде отработавших тепловыделяющих сборок (ОТВС). Контейнер для транспортирования и хранения ОЯТ содержит металлический корпус с нижним комингсом с закрепленными на нем днищем, концентрическими цилиндрическими обечайками с образованием полостей, верхним комингсом с закрепленными на нем наружной и внутренней крышками. На наружной крышке и комингсе нижнем установлены демпфирующие устройства. Верхний комингс выполнен с каналами для проверки и контроля герметичности контейнера. Оба комингса снабжены клапаном расхолаживания, продувки, осушки и вакуумирования внутренней полости контейнера. Верхний комингс имеет цапфы со съемными гильзами для подъема и кантования контейнера. Нижний комингс имеет цапфы со съемными гильзами для кантования контейнера. Блоки нейтронной защиты имеют продольные каналы трапециевидной формы. Вкладыши гамма-защиты выполнены из углеродистой стали. Каждое продольное ребро выполнено клиновидной формы из нержавеющей стали. Один контур герметизирующих элементов клапанов верхнего и нижнего комингса выполнен из терморадиационностойкой резиновой смеси, второй - из терморасширенного графита Изобретение позволяет расширить функциональное назначение контейнера, позволяет использовать его как для транспортирования, так и для длительного хранения ОЯТ. 9 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к контейнерам для транспортирования и временного хранения отработавшего ядерного топлива (ОЯТ). Чехол контейнера для транспортирования и хранения ОЯТ содержит центральную несущую трубу из коррозионно-стойкой стали, на которой установлены скрепленные между собой секции, каждая из которых выполнена из двух дистанционирующих решеток из нержавеющей стали, между ними размещены шестигранные трубы для размещения тепловыделяющих сборок, имеющие нейтронную защиту и установленные относительно оси центральной трубы в два кольцевых ряда. Секции установлены на основание, состоящее из дистанционирующей опоры с отверстиями. Между дистанционирующими решетками параллельно им установлены теплоотводящие диски, а параллельно шестигранным трубам установлены стальные стойки. Нейтронная защита установлена внутри каждой грани трубы в виде пластины из борсодержащего композита. Изобретение позволяет размещать максимальное количество облученных тепловыделяющих сборок реакторов типа ВВЭР-1000/1200 в чехле контейнера. 3 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий ППИ (транзисторов и интегральных схем), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий ППИ как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятии - изготовителе радиоаппаратуры. Способ заключается в том, что на произвольных одинаковых выборках из партий производят измерение квадрата напряжения шума U ш 2 ¯ на частоте до 200 Гц до и после воздействия не менее чем пятью импульсами электростатического разряда обеих полярностей потенциалом, предельно допустимым по техническим условиям. Измерения проводят по выводам «эмиттер - база» транзисторов и «вход - общая точка» интегральных схем. Затем вычисляют значение коэффициента K = U ш э с р 2 ¯ / U ш н 2 ¯ , где U ш н 2 ¯ и U ¯ ш э с р 2 - значения квадрата напряжения шума до и после воздействия ЭСР, и по средним значениям коэффициента K для выборки сравнивают партии изделий. Технический результат заключается в расширении функциональных возможностей.

Способ разделения полупроводниковых изделий по надежности заключается в том, что на партии полупроводниковых изделий измеряют интенсивность шума на двух частотах 200 Гц и 1000 Гц. Вычисляют показатель формы спектра шума γ по формуле: , где и - квадрат эффективного значения шума соответственно на частотах f1 и f2, проводят воздействие рентгеновским облучением дозой, допустимой по техническим условиям, вновь измеряют интенсивность шума и вычисляют показатель формы спектра γ2. По величине коэффициента M, равного M=γ2/γ1, партию изделий разделяют на надежные и потенциально ненадежные изделия. Технический результат - повышение достоверности способа. 1 табл.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению качества и надежности полупроводниковых изделий (ПЛИ), в частности транзисторов, и может быть использовано как на этапе производства, так и на этапе применения. Способ разделения транзисторов по надежности включает измерение низкочастотного шума, при этом измерение напряжения низкочастотного шума перехода эмиттер-база проводят до и после воздействия рентгеновским излучением дважды: после облучения половины дозы и полной дозы допустимой по техническим условиям, и по поведению параметра низкочастотного шума разделяют транзисторы на надежные и потенциально ненадежные. Технический результат - повышение достоверности способа без превышения допустимых воздействующих факторов. 1 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности интегральных схем (ИС), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий ИС как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий (ПИИ), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий НИИ как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях - изготовителях радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения надежности транзисторов, и может быть использовано для разделения транзисторов по надежности в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения надежности полупроводниковых изделий (ППИ) (транзисторов и интегральных схем), и может быть использовано для обеспечения повышенной надежности партий изделий как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к области радиоизмерений, а именно к измерению шумов полупроводниковых изделий, и может быть использовано для лабораторных и цеховых измерений параметра шума

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий (диодов, транзисторов и интегральных схем), и может быть использовано для разбраковки по критерию потенциальной надежности как в процессе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности интегральных схем (ИС), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий ИС как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к обеспечению надежности транзисторов

Изобретение относится к контролю качества полупроводниковых приборов
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности интегральных схем (ИС), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий ИС как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам разделения партии интегральных схем (ИС) на надежные и потенциально ненадежные схемы

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам определения потенциально ненадежных аналоговых интегральных схем (ИС) в процессе производства, а также при изготовлении радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению качества и надежности полупроводниковых изделий (ППИ), и может быть использовано как на этапе производства, так и на этапе применения

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению качества и надежности полупроводниковых приборов

Изобретение относится к измерению шумов полупроводниковых изделий

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению качества и надежности полупроводниковых изделий (ППИ), и может быть использовано как на этапе производства, так и на этапе применения

Изобретение относится к области испытаний и контроля полупроводниковых изделий (диодов, транзисторов, интегральных схем) и может быть использовано для разбраковки по критерию потенциальной надежности как в процессе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам определения потенциально ненадежных интегральных схем (ИС) в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам определения в партии потенциально ненадежных интегральных схем (ИС)

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в процессе отбраковки партий интегральных схем

Изобретение относится к области медицины и может быть использовано в различных отраслях хозяйства

Изобретение относится к области медицины

 


Наверх