Патенты автора Кецко Валерий Александрович (RU)
Изобретение относится к области композиционных гетероструктур, обладающих высоким низкочастотным магнитоэлектрическим эффектом, состоящих из слоя ферромагнетика и керамической сегнетоэлектрической подложки, конкретно к способу получения слоя металлического кобальта на поверхности керамики состава PbZr0,45Ti0,55O3. Способ получения гетероструктуры Co/PbZr0,45Ti0,55O3 включает сглаживание поверхности сегнетоэлектрической подложки PbZr0,45Ti0,55O3 толщиной 120-200 мкм до уровня шероховатости не более 20 нм и напыление ионно-лучевым методом слоя кобальта толщиной 2-4 мкм. Перед напылением слоя кобальта предварительно проводят профилирование поверхности подложки PbZr0,45Ti0,55O3, включающее проведение разметки поверхности выступами в форме лент шириной 5-7 мкм с расстоянием между ними 12-15 мкм методом ионно-лучевого напыления маски алюминия толщиной 1-3 мкм и вытравливание расстояния между размеченными выступами на глубину от 1 до 3 мкм. Гетероструктуры, состоящие из слоя ферромагненика, нанесенного на подложку из сегнетоэлектрика, характеризуются высоким низкочастотным магнитоэлектрическим эффектом. 4 ил., 3 пр.
Изобретение относится к способу получения гетероструктуры Mg(Fe1-xGax)2O4/Si со стабильной межфазной границей пленка/подложка, где х=0,05÷0,25. Осуществляют нанесение на полупроводниковую подложку монокристаллического кремния пленки галлий-замещенного феррита магния Mg(Fe1-xGax)2O4, где х=0,05÷0,25. Нанесение пленки проводят в 5 этапов. На 1 этапе на подложку Si ионно-лучевым методом наносят слой галлий-замещенного феррита магния толщиной от 10 до 20 нм, распыляя порошкообразную мишень галлий-замещенного феррита магния пучком ионов кислорода с энергией от 1500 до 1600 эВ и плотностью тока пучка ионов от 0,1 до 0,25 мА/см2. На 2 этапе проводят кристаллизацию полученного слоя путем нагревания со скоростью 150°С/мин до температуры 700-720°С и выдерживания в течение 2-3 мин с последующим охлаждением. На 3 этапе кристаллическую пленку пучком ионов кислорода с энергией 300 - 400 эВ и плотностью тока пучка от 0,1 до 0,25 мА/см2 утончают до толщины 2-4 нм. На 4 этапе на утонченный кристаллический слой галлий-замещенного феррита магния ионно-лучевым методом повторно наносят слой феррита того же состава, что и на первом этапе, до толщины пленки, не превышающей 80 нм, распыляя порошкообразную мишень галлий-замещенного феррита магния пучком ионов кислорода энергией от 1500 до 1600 эВ и плотностью тока пучка ионов от 0,1 до 0,25 мА/см2. На 5 этапе проводят повторную кристаллизацию пленки галлий - замещенного феррита магния на упомянутой подложке. Изобретение позволяет создавать гетероструктуру со стабильными межфазными границами пленка/подложка для устройств спинтроники. 3 ил., 3 пр.
ОПТИЧЕСКИ ПРОЗРАЧНАЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРА // 2572499
Изобретение относится к области наноматериалов для оптоэлектроники и магнитооптики и может использоваться при создании оптически прозрачных контактных слоев или защитных слоев от агрессивного воздействия внешней атмосферы на основе гетероструктур, содержащих наноразмерные пленки золота. Предложена оптически прозрачная гетероструктура для устройств оптоэлектроники и магнитооптики, состоящая из диэлектрической подложки и нанесенной на нее пленки золота толщиной до 5 нм, причем нанесение пленки золота проводят в три этапа: сначала на подложку из железо-иттриевого граната, либо из висмут-туллиевого феррит-граната, либо фторида кальция ионно-лучевым методом наносят пленку золота толщиной от 2 до 4 нм, распыляя мишень золота пучком ионов кислорода с энергией более 1500 эВ и плотностью тока пучка ионов от 0.1 до 0.25 мА/см2, затем удаляют поверхностный слой пленки золота при распылении пучком ионов кислорода с энергией менее 300 эВ и плотности тока пучка от 0.1 до 0.15 мА/см2 до исчезновения металлической проводимости на поверхности подложки, затем, в конечном итоге, повторно наносят пленку золота толщиной до 5 нм, распыляя мишень золота пучком ионов кислорода с энергией более 1500 эВ и плотностью тока пучка ионов от 0.1 до 0.25 мА/см2. Заявляемое изобретение позволяет получать качественные оптически прозрачные пленки золота. 4 ил., 3 пр.
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ФЕРРИМАГНИТНЫЙ МАТЕРИАЛ // 2436859
Изобретение относится к области металлургии, в частности к полупроводниковым ферримагнитным материалам
Изобретение относится к способу изготовления контактной структуры BeO/Au/BeO/p-GaN для оптоэлектронных приборов, таких как светоизлучающие диоды, детекторы излучения, лазеры, а также для устройств спинтроники
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ФЕРРИМАГНИТНЫЙ МАТЕРИАЛ // 2392680
Изобретение относится к полупроводниковым материалам на основе оксидов металлов, в частности к гомогенным поликристаллическим материалам на основе сложных оксидов класса разбавленных магнитных полупроводников
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ УГЛЕВОДОРОДОВ C2-C 3 // 2341507
Изобретение относится к способу получения углеводородов С 2-С3 высокотемпературным каталитическим окислительным превращением метана, заключающемуся в подаче в реактор, в который помещен катализатор, а свободный объем которого заполнен инертной насадкой, исходной газовой смеси, содержащей смесь метана и молекулярного кислорода, со скоростью 50000-70000 мл/г/ч, причем катализатор включает в свой состав ионы щелочного металла, марганца, вольфрама и оксид кремния при мольных соотношениях M:W:Mn:Si, где M - Na, или К, или Rb, или Cs, равных 1,8-2,2:1:1,9-2,3:89-92, и характеризуется присутствием в нем вольфрама в степени окисления W6+, марганца - в степенях окисления Mn 7+, Mn6+, Mn3+ , при этом катализатор получают путем термообработки при 200°С и последующего прокаливания при температуре 795-799°С исходной твердой порошкообразной смеси, состоящей из солей и/или оксидов вольфрама, марганца, щелочного металла и SiO2 , взятых в вышеуказанных мольных соотношениях в расчете на моль атомов вольфрама, марганца, щелочного металла и кремния
Изобретение относится к материалам на основе оксидов металлов, в частности к гомогенным поликристаллическим материалам на основе сложных оксидов
КОМПОЗИЦИОННЫЙ МАТЕРИАЛ // 2278177
Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к получению композиционных материалов
