Патенты автора Колесников Николай Николаевич (RU)

Изобретение может быть использовано в электронике, в частности при создании элементов постоянной памяти на основе ферроэлектрических материалов и в системах нейроморфных вычислений, для записи и хранения долговременной информации. Элемент постоянной памяти на основе проводящего ферроэлектрика включает два электрода и диэлектрическую прослойку между ними, при этом один из электродов выполнен из проводящего ферроэлектрика теллурида германия, диэлектрическая прослойка выполнена из диоксида кремния толщиной менее 100 нм, а второй электрод выполнен из кремния с р-типом проводимости, причем диэлектрическая прослойка образована окисленной поверхностью электрода из p-Si. Изобретение обеспечивает возможность значительно упростить реализацию ферроэлектрической ячейки памяти за счет использования проводящего ферроэлектрика как одного из электродов в структуре на основе промышленной кремниевой подложки, обеспечить таким образом легкую интеграцию предложенной ячейки в промышленные технологические процессы и подавить деградацию ферроэлектрика за счет уменьшения используемых границ раздела ферроэлектрического материала с другими элементами структуры. 2 ил., 1 пр.

Изобретение относится к области электрометаллургии и может быть использовано для прецизионной сварки, наплавки и изготовления деталей способом 3D-печати из порошков тугоплавких металлов в гарнисаже, в изолированной атмосфере. Технический результат - повышение точности стабилизации пространственного положения дуги. Устройство для пространственной стабилизации дуги включает неплавящийся катод и анод, между катодом и анодом установлена пластина из диэлектрического материала с высокой температурой плавления с отверстием для электродугового разряда. Величина зазора в плоском слое между анодом и указанной пластиной обеспечивает формирование тороидального вихря, локализующего дуговой разряд и анодное пятно на оси катода. 2 ил.

Изобретение относится к получению сульфида галлия (II), являющегося перспективным материалом для полупроводниковой оптоэлектронной техники и инфракрасной оптики. Способ получения сульфида галлия (II) включает двухтемпературный химический синтез в замкнутом объеме из элементарных галлия и серы, взятых в стехиометрическом соотношении. Расплав галлия при этом имеет температуру 1050-1100°С, а расплав серы - 300-350°С. Синтез проводят в вакууме в присутствии ультрафиолетового излучения. Изобретение позволяет получить однофазный продукт GaS без использования взрывоопасного водорода. 1 ил., 1 пр.

Изобретение относится к области металлургии прецизионных сплавов и может быть использовано для получения сплава Гейслера. Осуществляют сплавление смеси порошков алюминия, марганца и титана в гарнисаже плазмой дугового разряда напряжением от 65 до 70 В и током от 8 до 10 А в атмосфере гелия при давлении от 0,8 до 1 атм с образованием слитка Ti2MnAl с плавным снижением мощности до нуля для равномерной кристаллизации. Плавление проводят с участием гетерофазной химической реакции в присутствии гидрида титана (II). Изобретение позволяет получить сплав Гейслера в виде слитка, пригодного для изучения свойств спин-поляризованного бесщелевого полупроводника Ti2MnAl. 1 пр.

Изобретение относится к неорганической химии, а именно к рекуперации отходов производства вольфрамата кадмия для выращивания кристаллов CdWO4, являющегося перспективным материалом для использования в спектроскопическом и радиометрическом оборудовании, компьютерной томографии и сцинтилляционных болометрах. Способ рекуперации отходов производства вольфрамата кадмия CdWO4 заключается в том, что сначала смешивают оксид кадмия с триоксидом вольфрама в стехиометрическом соотношении 1,13-1,15, нагревают полученную смесь до температуры 1000°С на воздухе с получением материала сверхстехиометрического состава CdzWO4 (z=1,13-1,15), а затем сплавляют его с отходами производства состава CdxWO4 (х=0,95-0,97), извлеченными из тигля после роста кристаллов, с последующей трехкратной перекристаллизацией расплава методом Чохральского с получением кристаллов стехиометрического состава CdWO4. Технический результат состоит в возможности безотходного промышленного выращивания кристаллов CdWO4 с минимальными потерями на переработку остаточного расплава. 5 пр., 2 ил.

Изобретение относится к оборудованию для выращивания кристаллов прямоугольной формы из расплава. Опора тигля выполнена в виде прямоугольного в поперечном сечении корпуса 1 с посадкой для установки тигля на опору 6 и посадкой для установки опоры на шток 5, и имеющего сквозные пазы 4, предназначенные для установки требуемого для конкретного технологического процесса количества прямоугольных пластин 3 с возможностью изменения их взаимного расположения в корпусе 1. Опора позволяет экспериментально определять комбинацию элементов, необходимую для экранирования тигля от обдува конвективным потоком инертного газа и обеспечения условий теплоотвода от дна тигля в соответствии с требованиями конкретного ростового процесса. 6 ил.

Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Способ легирования кристаллов сульфида цинка железом или хромом включает смешивание порошков сульфида цинка и порошка моносульфида легирующего металла с последующим выращиванием кристалла из расплава вертикальной зонной плавкой. Способ позволяет получать кристаллы ZnS с однородным распределением легирующей добавки по их длине и концентрацией легирующего металла (железа или хрома), совпадающей с его содержанием в исходной загрузке. 1 ил., 1 табл., 6 пр.

Изобретение относится к области металлургии, в частности к получению сплава Гейслера в виде слитков, пригодных для изучения свойств спин-поляризованного бесщелевого полупроводника Ti2MnAl. Способ получения слитков сплава Ti2MnAl из смеси алюминия, марганца и титана включает подготовку смеси алюминия, марганца и титана и ее плавление. Подготовленную смесь засыпают в тигель и осуществляют плавление в гарнисаже плазмой дугового разряда напряжением от 65 до 70 В и током от 8 до 10 А в атмосфере гелия при давлении от 0,8 до 1 атм в течение 20 минут с последующим снижением мощности до нуля. Обеспечивается равномерная кристаллизация слитка. 9 пр., 2 ил.

Устройство относится к сверхпроводящим цепям с эффектом близости, позволяющим управлять спектром связанных Андреевских состояний. Предлагается сверхпроводящая цепь с эффектом близости, включающая монокристаллическую пластину силицида кобальта CoSi, ориентированную в кристаллографической плоскости (001), на которую нанесены контакты из ниобия. Устройство позволяет управлять спектром связанных Андреевских состояний при приложении магнитного поля, вектор индукции которого параллелен плоскости (001) CoSi, а величина индукции изменяется в интервале 0-1,9 Тл. Технический результат - обеспечение возможности управления спектром САС в магнитных полях. 3 ил.

Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Способ легирования кристаллов селенида цинка хромом включает смешивание порошков селенида цинка и легирующей добавки и последующее выращивание кристалла из расплава под давлением аргона, при этом хром вводится в исходную загрузку в виде моноселенида хрома CrSe, а выращивание кристалла осуществляют вертикальной зонной плавкой. Изобретение обеспечивает получение кристаллов ZnSe с концентрацией хрома, практически совпадающей с содержанием Cr в исходной загрузке. 2 ил., 1 табл., 3 пр.

Изобретение может быть использовано при создании мемристивных структур на основе шпинелей семейства «изоляторов Мотта». Способ синтеза шпинели GaNb4Se8 из элементарных веществ включает твердофазную химическую реакцию в вакуумированной и герметично запаянной кварцевой ампуле. Твердофазную химическую реакцию проводят в сочетании с термолизом селенидов ниобия и галлия с пятикратной циклической сменой температуры синтеза 400-700-400°С каждые 30-40 мин. Изобретение позволяет получить материал с высокой однородностью состава, содержащий GaNb4Se8 в количестве 98 % об. 2 ил., 1 табл.

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов CoSi химическим транспортом паров. Процесс ведут в кварцевых ампулах при разности температур в горячей и холодной зонах в 100°С. Исходным материалом служит предварительно синтезированный CoSi, а транспортирующим агентом является йод. Температура в горячей зоне составляет 950-980°С. Изобретение обеспечивает снижение рабочих температур и продолжительности процесса до 5 суток без уменьшения размеров получаемых кристаллов (до 2-2,5 мм). 1 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области изготовления металлических порошков методом ударного измельчения и может быть использовано для переработки стружки тугоплавких металлов для повторного использования в электрометаллургии. Ударная мельница для измельчения стружки из тугоплавкого металла состоит из корпуса, сопла Лаваля и неподвижного отбойника-отражателя. Сопло Лаваля выполнено с возможностью подачи в него через входные патрубки газа-носителя в виде аргона под давлением 1 МПа и стружки из тугоплавкого металла для обеспечения ускорения упомянутой стружки до сверхзвуковой скорости. Неподвижный отбойник-отражатель выполнен в виде неподвижной отбойной плиты, выполненной из того же тугоплавкого металла, что и упомянутая стружка, и расположенной в области первого диска Маха для ударного разрушения упомянутой стружки. Обеспечивается разработка ударной мельницы, которая позволяет получить высокую равномерность измельчения стружки тугоплавких металлов с минимальным содержанием пылевой фракции и нулевым содержанием продуктов износа. 3 ил.

Предложенное изобретение относится к средствам для определения направления вектора магнитной индукции и предназначено для применения при сверхнизких температурах. Инклинатор для указания направления вектора индукции магнитного поля состоит из чувствительного элемента, выполненного из монокристалла Co3Sn2S2, и четырех металлических контактов, из которых три контакта нанесено на одну сторону чувствительного элемента, а один контакт - на противоположную. Данное устройство обеспечивает технический результат, заключающийся в обеспечении возможности работы в диапазоне температур 1,4-4,2 К. 4 ил.

Изобретение относится к области производства изделий низкотемпературной электроники и может быть использовано в конструкциях датчиков и преобразователей магнитного поля. Магниторезистивный элемент содержит магниточувствительный слой и контактные площадки, при этом магниточувствительный слой состоит из сплава Ti2MnAl, а контактные площадки выполнены из золота. Технический результат – создание магниторезистивного элемента, рабочий диапазон температур которого <1,0 Κ. 2 ил.

Изобретение относится к технологическому оборудованию, предназначенному для выращивания кристаллов халькогенидов в условиях микрогравитации – важном направлении в космическом материаловедении. Осевой компенсатор пружинно-поршневого типа содержит неразгруженный компенсирующий элемент, выполненный в виде винтовой цилиндрической графитовой пружины 1, размещенной между двумя цилиндрическими поршнями 2 из кварцевого стекла так, что цилиндрические штоки 3 поршней 2 являются центрирующими элементами для пружины 1. Конструкция компенсатора обеспечивает неоднократное срабатывание для компенсации нагрузок, возникающих при старте ракеты-носителя, при увеличении объема загрузки в ампулах при ее плавлении или растворении в расплаве, при посадке спускаемого аппарата с ампулами, содержащими выращенные кристаллы. 2 ил.

Изобретение относится к низкотемпературной электронике. Терморезистивный элемент с положительным температурным коэффициентом сопротивления включает термочувствительный слой и электрические контакты. Терморезистивный элемент состоит из монокристаллической пластины Co3Sn2S2 с тремя контактами из ниобия, нанесенными на кристаллографическую плоскость (0001). Изобретение позволяет создавать терморезистивный элемент, рабочий диапазон температур которого <1,5 К. 2 ил.

Изобретение относится к области металлургии, в частности к получению объемных слитков спин-поляризованного бесщелевого полупроводника Ti2MnAl, который может быть использован в спинтронике. Способ получения Ti2MnAl из элементарных титана, марганца и алюминия включает помещение навесок марганца и алюминия в капсулу из титана, закрытие крышкой из титана и проведение плавки во взвешенном состоянии с использованием высокочастотного индукционного нагрева, причем плавку проводят в атмосфере инертного газа при температуре 1700-1730°С в течение 15-20 минут с последующей закалкой расплава до комнатной температуры. Обеспечивается получение объемных слитков с однородным составом. 3 ил., 2 пр.

Изобретение относится к области неорганических материалов для твердотельных индикаторов ультрафиолетового излучения. Неорганический фотохромный материал с пространственным эффектом памяти содержит Сu - 0,012-0,015 мас.%, Gd - 0,0004-0,0006 мас.% и ZnS – остальное. Техническим результатом является создание материала с выраженными пространственно-селективными фотохромными свойствами при облучении длинноволновым ультрафиолетовым излучением и эффектом памяти изменения цвета ≥ 30 сек. 1 табл., 2 ил.
Изобретение относится к нанотехнологии и может быть использовано при изготовлении электронных приборов, а также для инжекции зарядов в объём конденсированных сред при криогенных температурах. Слой углеродных нанотрубок наносят на металлическую подложку осаждением в дуговом разряде. После этого подложку с нанесённым слоем углеродных нанотрубок выдерживают в атмосфере водорода при давлении 80-90 атм. Изобретение обеспечивает снижение напряжения, необходимого для создания тока эмиссии отрицательных зарядов – электронов, в полученном холодном катоде. Например, для создания тока электронов в 10-12 А от холодного катода, изготовленного по изобретению, в сверхтекучий гелий, на холодный катод необходимо подать напряжение, меньше или равное 50 В, что в 4,4 раза ниже, чем у аналогов. 4 пр.

Использование: для сверхпроводящих логических элементов вычислительной техники. Сущность изобретения заключается в том, что сверхпроводящая цепь с участком слабой связи включает два последовательно расположенных металлических сверхпроводящих контакта, нанесенных на поверхность монокристаллического магнитного топологического полуметалла Со3Sn2S2. Технический результат: обеспечение возможности простого изготовления сверхпроводящей цепи с участком слабой связи. 1 ил.

Изобретение относится к устройствам для выращивания кристаллов на затравку методами Бриджмена, вертикальной зонной плавки, температурного градиента, а также их модификациями. Тигель состоит из корпуса 1 и хвостовика 2 с затравочной камерой 3, выполненной в виде сквозного отверстия в хвостовике, закрытого пробкой 4, имеющей резьбовое соединение с хвостовиком 2. Технический результат состоит в упрощении конструкции, позволяющем осуществлять разметку и высверливание затравочной камеры с наружной стороны тигля, установку затравки вручную независимо от размеров тигля, а также извлекать кристалл без отрыва от затравки. 2 ил.

Изобретение относится к области электрометаллургии и может быть использовано для прецизионной сварки, наплавки и изготовления деталей способом 3D-печати. Техническим результатом явяляется повышение эффективности способа пространственной стабилизации дуги. Способ пространственной стабилизации плазменного канала дуги лазерным излучением реализуется следующим образом: лазерный луч, сгенерированный диодом, пройдя через коллиматор, направлен в область дугового разряда перпендикулярно оси дуги. В результате абсорбции лазерного излучения с интенсивностью q≤100 Вт/см2 плазма дугового разряда поляризуется, и благодаря действию пондеромоторных сил пространственное положение дуги стабилизируется. Интервал значений плотности мощности выбран экспериментально: при плотности мощности менее 50 Вт/см2 не наблюдается достаточной стабилизации дуги; при плотности мощности свыше 100 Вт/см2 не наблюдается дальнейшего положительного эффекта. 1 ил.

Изобретение относится к электроэрозионной обработке поверхности металлов и сплавов, используемой для повышения твердости, жаропрочности и коррозионной стойкости деталей машин. Предложен способ получения покрытия из карбида молибдена на детали из молибдена, включающий электроэрозионную обработку детали высоковольтной электрической дугой высокого давления в атмосфере водорода с фиксированным зазором между электродами, при которой в качестве катода используют обрабатываемую деталь, а в качестве анода - легирующий электрод из графита. При этом обработку осуществляют при напряжении 2000 B, токе разряда 0,5-1 А с частотой следования импульсов 60 Гц, причем путем изменения скважности импульсов контролируют шероховатость получаемого покрытия из карбида молибдена. Изобретение обеспечивает получение на поверхности молибдена покрытия из карбида молибдена с шероховатостью Ra=0,08-0,4 мкм. 2 ил., 3 пр.

Устройство относится к измерительной технике для физических исследований свойств жидкостей. Устройство позволяет измерять поверхностное натяжение химически агрессивных расплавов тугоплавких веществ с высокими (больше 0,1 МПа) давлениями собственных паров над жидкой фазой, находящихся в инертной атмосфере. При этом уменьшается погрешность измерений, обусловленная влиянием конвективного уноса паров с поверхности формирующейся капли расплава. Устройство содержит графитовый сталагмометр с капилляром и штоком, приемник капель, нагреватель, токоподводы, теплоизоляционную оболочку термостата и сосуд высокого давления, в котором сталагмометр состоит из корпуса, перегородки с капиллярным каналом и крышки, а приемником капель служит дно корпуса сталагмометра. Технический результат – снижение влияния конвективного уноса паров с поверхности формирующихся капель на результаты измерений поверхностного натяжения расплавов. 1 ил.

Изобретение относится к технологии получения селенида цинка – широкозонного полупроводника, применяемого в технике в виде объемных поли- и монокристаллов, а также тонких пленок, получаемых термическим распылением кристаллической крошки, для которого наиболее подходящим является материал с одинаковыми размерами. Для этого используется способ пастилляции селенида цинка путем самопроизвольной кристаллизацией капель в температурном градиенте в атмосфере аргона, при этом капли кристаллизуются до отрыва от формирующего капли канала, причем объемная скорость формирования капель составляет 6,7⋅10-9-7,2⋅10-9 м3/с, давление аргона находится в интервале 5,92-6,35 МПа, а скорость движения фронта кристаллизации имеет значение менее или равное 9,7-10-6 м/с. Изобретение позволяет получать сферические кристаллы ZnSe стехиометрического состава, имеющие моноблочную структуру. 2 ил., 3 пр.

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов Co3Sn2S2, которые могут быть использованы в области экспериментальной физики как полуметаллический ферромагнетик, обладающий также свойствами полуметалла Вейля. Способ получения кристаллов Co3Sn2S2 в вакуумированной ампуле из расплава стехиометрического состава состоит в том, что ампулу с предварительно синтезированной загрузкой нагревают в горизонтальной печи до температуры 920-940°С, выдерживают при этой температуре 20-22 часа, а затем охлаждают до комнатной температуры в течение 45-46 часов. Изобретение позволяет получать монокристаллы Co3Sn2S2. 1 ил., 3 пр.

Изобретение относится к устройствам для выращивания кристаллов халькогенидов металлов: ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, вертикальной зонной плавкой, осуществляемой путем перемещения тигля через неподвижно закрепленный нагреватель. Графитовый тигель состоит из корпуса и крышки 1, имеющей возможность перемещения внутри корпуса при изменении уровня расплава 5, причем глубина перемещения крышки 1 в корпусе ограничена на заданной высоте за счет уменьшения внутреннего диаметра корпуса в его нижней части 3. Технический результат изобретения состоит в исключении термоударов в процессе выращивания кристаллов для предотвращения их растрескивания за счет прекращения движения крышки в заданном месте, в результате чего между кристаллом и крышкой остается зазор. 4 ил.

Изобретение относится к области исследования и анализа материалов и может быть использовано в инфракрасной спектроскопии. Образцы фуллерена C60 для съемки спектров пропускания инфракрасного излучения изготавливают механическим втиранием порошка C60 в полированную поверхность бромида калия. Способ прост и не приводит к появлению дополнительных полос поглощения в спектрах, что обеспечит повышение точности исследований. 2 ил.

Изобретение относится к искусственным ювелирным кристаллам. Предлагается искусственный эритроцинкит, имеющий в своем составе сульфид цинка, сульфид марганца и сульфид алюминия при следующем соотношении компонентов, мас.%: сульфид алюминия Al2S3 - 0,001-0,01, сульфид марганца MnS - 0,2-0,5, сульфид цинка ZnS - остальное. Кристаллы имеют насыщенную оранжевую окраску и фосфоресцируют после облучения естественным дневным светом. 2 ил., 1 табл., 1 пр.

Изобретение относится к области выращивания кристаллов диарсенида трикадмия. Кристаллы Cd3As2 получают кристаллизацией капель расплава стехиометрического состава, свободно падающих в атмосфере аргона, находящегося под давлением 5±0,5 МПа, причем градиент температуры на пути падения капель составляет 44-52 град./см. Способ позволяет получать монокристаллы, обладающие поверхностной сверхпроводимостью на образцах, ориентированных по (112). 1 ил., 7 пр.

Изобретение относится к радиолокации, может быть использовано в аппаратуре обнаружения целей на фоне комбинированных помех - активных излучений и пассивных отражений. Технический результат - повышение эффективности подавления активных помех, действующих по главному лепестку диаграммы направленности антенны на фоне пассивных помех. Технический результат достигается тем, что устройство компенсации активных помех содержит антенны с вертикальной и горизонтальной поляризациями, коррелятор, два перемножителя, два сумматора, два фильтра помехи, два фильтра сигнала, определенным образом соединенные между собой. 1 ил.

Изобретение относится к электроду для дуговой плавки металлов и может быть использовано для плавления металлических порошков, прецизионной сварки тонколистовых металлов и изготовления деталей сложной геометрической формы в среде защитных газов. Электрод для дуговой плавки металлов содержит цилиндрический корпус (1) и снабжен соленоидом (2), выполненным из графита в виде однорядной спирали. Соленоид расположен коаксиально корпусу и включен последовательно в электрическую цепь дугового разряда. Технический результат заключается в формировании соленоидом магнитного поля вокруг дугового канала, которое сжимает плазму в радиальном направлении и стабилизирует ее течение в аксиальном направлении, позволяя вести процесс сварки в контролируемых условиях. 3 ил.

Изобретение может быть использовано в полупроводниковой оптоэлектронике. Навеску порошка исходного фуллерена С60 загружают в кварцевую ампулу, внутренняя поверхность которой покрыта пироуглеродом для защиты исходного порошка от воздействия УФ излучения. Затем проводят низкотемпературную обработку в динамическом вакууме, сублимацию фуллерена при последующем нагреве и выдержке в динамическом вакууме при градиенте температур между зонами сублимации и конденсации. После этого проводят пересублимацию и выращивание первичных кристаллов С60 в статическом вакууме при градиенте температур между зонами сублимации и конденсации и выращивание финишных кристаллов С60 при тех же условиях, причём первичные и финишные кристаллы С60 выращивают в той же ампуле без перезагрузки порошка, перемещая её в соответствующую зону. Выход годных кристаллов фуллерена С60 составляет 80-85 мас. %, размер кристаллов – порядка 1 см. 2 ил., 1 пр.
Изобретение относится к области медицины, в частности к онкологии. Предложен способ интраоперационного забора биоптата глиомы и морфологически неизмененной ткани головного мозга для молекулярно-генетических исследований. Под нейронавигационным контролем осуществляют доступ к опухоли. При расстоянии от поверхности мозга до опухоли более 2 см выполняют энцефалотомию на глубину 0,3 см и из этой области осуществляют сначала забор морфологически неизмененной ткани головного мозга в объеме 1 мм3. Если расстояние от поверхности мозга до опухоли меньше 2 см, то сначала осуществляют забор ткани биоптата глиомы в объеме 1 мм3. Изобретение обеспечивает создание эффективного способа интраоперационного забора биоптата глиомы и морфологически неизмененной ткани головного мозга.

Изобретение относится к неорганической химии, а именно к получению сульфида галлия (II), являющегося перспективным материалом для полупроводниковой оптоэлектронной техники и инфракрасной оптики. Cинтез GaS проводили в замкнутом объеме из элементарных галлия и серы, взятых в стехиометрическом соотношении, в атмосфере водорода при давлении 1300-2600 Па, при этом расплав галлия имел температуру Т(Ga)=1050-1100°C, а расплав серы - температуру Т(S)=300-350°C. Технический результат изобретения: полное протекание химической реакции с образованием чистого однофазного продукта и с возможностью масштабирования процесса для промышленного применения. 1 табл., 3 ил.

Изобретение относится к нанотехнологии и может быть использовано для изготовления автоэлектронных эмиттеров. Углеродные нанотрубки осаждают на металлические подложки в дуговом реакторе в рабочей атмосфере на основе инертного газа, содержащей водород 8-10 об.% и гелий - остальное. Металлические подложки закреплены на дисковом катоде на расстоянии 10d-12d от оси дугового разряда, где d - диаметр графитового стержня анода. Полученные углеродные нанотрубки не содержат примесей сажи и фуллеренов, имеют хороший контакт с подложкой. Упрощается аппаратурное оформление процесса. 1 ил.

Изобретение относится к области материалов для твердотельных индикаторов ультрафиолетового излучения. Фотохромное люминесцентное стекло содержит оксид европия Eu2O3 в концентрации 0,43-0,49% (мас.) и тетраборат лития Li2B4O7 (остальное). Стекло интенсивно люминесцирует при воздействии ультрафиолетового (УФ) излучения и практически мгновенно изменяет окраску при изменении интенсивности УФ-излучения. Стекло может быть использовано в простых индикаторах излучения ближнего и среднего УФ-диапазона, а также при выборе источников освещения. Технический результат изобретения - создание фотохромного люминесцентного стекла, имеющего яркую окраску и позволяющего определить наличие и оценивать интенсивность УФ-излучения. 1 табл., 3 пр., 4 ил.

Изобретение относится к области молекулярной биологии и медицины, в частности к онкологии. Из образца опухолевой ткани головного мозга выделяют суммарный пул РНК (в том числе содержащий и микроРНК) любым из известных способов. Далее проводят измерение уровней экспрессии 10 микроРНК, а именно микроРНК-21, -221, -31, -124, -125b, -16, -451, -191, -181b, -223 (диагностируемые микроРНК) в опухолевых образцах методом ОТ-ПЦР в реальном времени. Заключение о наличии и типе глиальной опухоли составляют на основании комплексного критерия (К), рассчитанного по значениям уровней экспрессии микроРНК в разных типах глиальных опухолей, характеризующихся специфическим профилем экспрессии. При значении К, равного или больше 1, делают заключение о наличии глиобластомы, при значении К, лежащего в интервале от 0 до -3, делают заключение о наличии диффузной астроцитомы, а при значении К, равного или ниже -4, делают заключение о наличии анапластической астроцитомы. Данный способ позволяет упростить дифференциальную диагностику глиальных опухолей и повысить ее точность. 1 з.п. ф-лы, 7 табл., 4 пр.

Изобретение относится к области получения углеродных наноструктур, а именно слоев углеродных нанотрубок на металлических подложках, применяемых в качестве холодных катодов (автоэлектронных источников эмиссии). Технический результат - создание простого в изготовлении холодного катода без снижения его эксплуатационных характеристик. Холодный катод содержит слой углеродных нанотрубок и металлическую подложку, которая выполнена пористой, а между металлической подложкой и слоем углеродных нанотрубок содержится слой углеродной сажи. Использование сажи улучшает механический контакт нанотрубок с металлической поверхностью подложки. 3 ил.

Изобретение касается способа дифференциальной диагностики новообразований щитовидной железы (ЩЖ) человека. Способ включает выделение из образца опухолевой ткани ЩЖ человека и образца прилежащей неизмененной ткани железы (в качестве контроля) суммарного пула РНК (в том числе содержащий и микроРНК) любым из известных способов. Далее проводят измерение уровней экспрессии 13 микроРНК, а именно микроРНК-21, -221, -222, -205, -146b, -31, -187, -181b, -375, -199b, -144, -200а, -200b (диагностируемые микроРНК) в опухолевых образцах в сравнении с нормальными тканями методом ОТ-ПЦР в реальном времени. Заключение о наличии и типе новообразования ЩЖ составляют на основании комплексного критерия, рассчитанного на основе средних значений уровней экспрессии микроРНК в разных типах новообразований ЩЖ. Изобретение позволяет упростить возможность определения типа злокачественного новообразования (папиллярный, медуллярный, фолликуллярный рак) или доброкачественного (опухолеподобные патологии (ОПП), фолликулярная аденома) и сократить его длительность. 1 з.п. ф-лы, 7 табл., 4 пр.

Изобретение относится к области молекулярной биологии и медицины и предназначено для определения доброкачественных и злокачественных новообразований щитовидной железы (ЩЖ) человека. Осуществляют взятие образца ткани опухоли ЩЖ и прилежащей неизмененной ткани железы в качестве контроля, выделение микроРНК из образцов, проведение реакции обратной транскрипции, измерение уровня экспрессии микроРНК-21, -221, -222, -155, -205 методом ПЦР в реальном времени с последующим сравнительным анализом изменения уровня экспрессии микроРНК в норме и при опухолевых образованиях ЩЖ и составлением заключения о наличии и типе новообразования. В случае изменения уровня экспрессии вышеуказанных микроРНК не более чем в 4 раза как в сторону повышения, так и в сторону понижения экспрессии по отношению к контрольному образцу, делают заключение о доброкачественном новообразовании. В случае изменения уровня экспрессии микроРНК более чем в 4 раза делают заключение о злокачественном новообразовании. Изобретение обеспечивает эффективное определение доброкачественных и злокачественных новообразований ЩЖ человека, что способствует выбору тактики последующей терапии. 5 ил., 1 табл., 4 пр.

Изобретение относится к технологическому оборудованию, предназначенному для выращивания кристаллов в условиях микрогравитации. Ампула содержит герметичный корпус 1 из кварцевого стекла и коаксиально размещенный в нем герметичный кварцевый тигель 4 с загрузкой селенида галлия 5 и графитовые вставки 3, 7, при этом загрузка 5 помещается непосредственно во внутренний объем кварцевого тигля 4, а графитовые вставки 3, 7 размещены снаружи по обе стороны тигля 4, между корпусом 1 ампулы и одной из графитовых вставок 3, 7 установлен демпфирующий элемент 2 из углеграфитового войлока. Изобретение позволяет выращивать кристаллы GaSe повышенного качества. 2 ил.

Изобретение относится к области люминесцентных стекол для преобразования ультрафиолетового излучения в белый цвет. Техническим результатом изобретения является создание люминесцентного стекла с высокой прозрачностью в видимом диапазоне. Люминесцентное литий-боратное стекло на основе тетрабората лития Li2B4O7 содержит три легирующих добавки и имеет следующий состав: оксид туллия Tm2O3 в концентрации 0,38-0,40% (масс.), оксид тербия Tb2O3 в концентрации 0,38-0,40% (масс.), оксид европия Eu2O3 в концентрации 0,08-0,09% (масс.) и тетраборат лития Li2Β4O7 (остальное). 1 табл., 3 ил.

Изобретение относится к нанотехнологиям. Способ включает эксфолиацию заготовок из слоистых кристаллических материалов, закрепленных с одной стороны на опоре из глипталя, с использованием клейкой ленты, глипталь по окончании эксфолиации растворяют в ацетоне, где образуется взвесь кристаллических пластин (слоев) халькогенидов металлов, которые выделяют из взвеси путем осаждения их на подложку. Изобретение позволяет получать слои наноразмерной толщины из слоистых кристаллов с возможностью последующего осаждения на различные подложки. 3 ил., 2 пр.

Изобретение относится к области выращивания из расплава нелегированных кристаллов вольфрамата натрия-висмута NaBi(WO 4)2, являющегося перспективным материалом для Черепковских детекторов

Изобретение относится к технологии получения кристаллов GaTe, которые могут быть использованы в нелинейной оптике, а именно для оптических преобразователей частоты ИК и ТГц диапазонов

Изобретение относится к области источников, излучающих белый свет

Изобретение относится к области получения сцинтилляционных материалов и может быть использовано в нанотехнологиях, связанных с применением полупроводниковых нанопорошков

 


Наверх