Патенты автора Борисенко Елена Борисовна (RU)
Изобретение относится к неорганической химии, а именно к рекуперации отходов производства вольфрамата кадмия для выращивания кристаллов CdWO4, являющегося перспективным материалом для использования в спектроскопическом и радиометрическом оборудовании, компьютерной томографии и сцинтилляционных болометрах. Способ рекуперации отходов производства вольфрамата кадмия CdWO4 заключается в том, что сначала смешивают оксид кадмия с триоксидом вольфрама в стехиометрическом соотношении 1,13-1,15, нагревают полученную смесь до температуры 1000°С на воздухе с получением материала сверхстехиометрического состава CdzWO4 (z=1,13-1,15), а затем сплавляют его с отходами производства состава CdxWO4 (х=0,95-0,97), извлеченными из тигля после роста кристаллов, с последующей трехкратной перекристаллизацией расплава методом Чохральского с получением кристаллов стехиометрического состава CdWO4. Технический результат состоит в возможности безотходного промышленного выращивания кристаллов CdWO4 с минимальными потерями на переработку остаточного расплава. 5 пр., 2 ил.
Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Способ легирования кристаллов сульфида цинка железом или хромом включает смешивание порошков сульфида цинка и порошка моносульфида легирующего металла с последующим выращиванием кристалла из расплава вертикальной зонной плавкой. Способ позволяет получать кристаллы ZnS с однородным распределением легирующей добавки по их длине и концентрацией легирующего металла (железа или хрома), совпадающей с его содержанием в исходной загрузке. 1 ил., 1 табл., 6 пр.
Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Способ легирования кристаллов селенида цинка хромом включает смешивание порошков селенида цинка и легирующей добавки и последующее выращивание кристалла из расплава под давлением аргона, при этом хром вводится в исходную загрузку в виде моноселенида хрома CrSe, а выращивание кристалла осуществляют вертикальной зонной плавкой. Изобретение обеспечивает получение кристаллов ZnSe с концентрацией хрома, практически совпадающей с содержанием Cr в исходной загрузке. 2 ил., 1 табл., 3 пр.
Изобретение относится к устройствам для выращивания кристаллов халькогенидов металлов: ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, вертикальной зонной плавкой, осуществляемой путем перемещения тигля через неподвижно закрепленный нагреватель. Графитовый тигель состоит из корпуса и крышки 1, имеющей возможность перемещения внутри корпуса при изменении уровня расплава 5, причем глубина перемещения крышки 1 в корпусе ограничена на заданной высоте за счет уменьшения внутреннего диаметра корпуса в его нижней части 3. Технический результат изобретения состоит в исключении термоударов в процессе выращивания кристаллов для предотвращения их растрескивания за счет прекращения движения крышки в заданном месте, в результате чего между кристаллом и крышкой остается зазор. 4 ил.
Способ получения сульфида галлия (II) // 2623414
Изобретение относится к неорганической химии, а именно к получению сульфида галлия (II), являющегося перспективным материалом для полупроводниковой оптоэлектронной техники и инфракрасной оптики. Cинтез GaS проводили в замкнутом объеме из элементарных галлия и серы, взятых в стехиометрическом соотношении, в атмосфере водорода при давлении 1300-2600 Па, при этом расплав галлия имел температуру Т(Ga)=1050-1100°C, а расплав серы - температуру Т(S)=300-350°C. Технический результат изобретения: полное протекание химической реакции с образованием чистого однофазного продукта и с возможностью масштабирования процесса для промышленного применения. 1 табл., 3 ил.
Изобретение относится к нанотехнологиям. Способ включает эксфолиацию заготовок из слоистых кристаллических материалов, закрепленных с одной стороны на опоре из глипталя, с использованием клейкой ленты, глипталь по окончании эксфолиации растворяют в ацетоне, где образуется взвесь кристаллических пластин (слоев) халькогенидов металлов, которые выделяют из взвеси путем осаждения их на подложку. Изобретение позволяет получать слои наноразмерной толщины из слоистых кристаллов с возможностью последующего осаждения на различные подложки. 3 ил., 2 пр.
Изобретение относится к технологии получения кристаллов GaTe, которые могут быть использованы в нелинейной оптике, а именно для оптических преобразователей частоты ИК и ТГц диапазонов
Изобретение относится к области получения сцинтилляционных материалов и может быть использовано в нанотехнологиях, связанных с применением полупроводниковых нанопорошков
НЕЙТРАЛЬНЫЙ СВЕТОФИЛЬТР // 2402050
Изобретение относится к нанотехнологиям полупроводников
ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ РАСПЛАВА // 2366910
Изобретение относится к термометрии и предназначено для определения температуры химически агрессивных расплавов тугоплавких веществ, например соединений типа А2B6
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОЧАСТИЦ ГАЛЛИЯ // 2336371
Изобретение относится к области нанотехнологий, в частности для получения наночастиц Ga
Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано в полупроводниковых нанотехнологиях
ОПТИЧЕСКИЙ ФИЛЬТР // 2331907
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов и может использоваться для изготовления оптических фильтров видимого и ближнего инфракрасного диапазонов спектра
НЕЙТРАЛЬНЫЙ СВЕТОФИЛЬТР // 2331906
Изобретение относится к нейтральным светофильтрам и может быть использовано в оптических приборах, в частности, в качестве ослабителей, снижающих интенсивность излучения
Изобретение относится к области изготовления оптических элементов из кристаллов полупроводников и может быть использовано в инфракрасной технике
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов и может использоваться для получения объемного материала с высокой механической твердостью
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОПТИЧЕСКОГО ФИЛЬТРА // 2308061
Изобретение относится к способу изготовления оптических фильтров рассеяния для инфракрасного диапазона
Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано в нанотехнологиях, связанных с применением нанопорошков
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов, в частности детекторов ионизирующих излучений и оптических элементов для ИК-лазеров на основе керамики теллурида кадмия (CdTe), изготовленной по нанопорошковой технологии, и может использоваться для анализа микроструктуры керамики: выявления границ зерен, анализа распределения зерен по размерам
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов, и может быть использовано в технологии полупроводников, в том числе, для создания детекторов ионизирующих излучений
