Патенты автора Борисенко Дмитрий Николаевич (RU)

Изобретение относится к области электрометаллургии и может быть использовано для прецизионной сварки, наплавки и изготовления деталей способом 3D-печати из порошков тугоплавких металлов в гарнисаже, в изолированной атмосфере. Технический результат - повышение точности стабилизации пространственного положения дуги. Устройство для пространственной стабилизации дуги включает неплавящийся катод и анод, между катодом и анодом установлена пластина из диэлектрического материала с высокой температурой плавления с отверстием для электродугового разряда. Величина зазора в плоском слое между анодом и указанной пластиной обеспечивает формирование тороидального вихря, локализующего дуговой разряд и анодное пятно на оси катода. 2 ил.

Изобретение относится к получению сульфида галлия (II), являющегося перспективным материалом для полупроводниковой оптоэлектронной техники и инфракрасной оптики. Способ получения сульфида галлия (II) включает двухтемпературный химический синтез в замкнутом объеме из элементарных галлия и серы, взятых в стехиометрическом соотношении. Расплав галлия при этом имеет температуру 1050-1100°С, а расплав серы - 300-350°С. Синтез проводят в вакууме в присутствии ультрафиолетового излучения. Изобретение позволяет получить однофазный продукт GaS без использования взрывоопасного водорода. 1 ил., 1 пр.

Изобретение относится к электротехнике и может использоваться в силовой электронике для повышения надежности работы цепей питания постоянного тока напряжением 310 В при работе на индуктивную нагрузку. Технический результат достигается за счет того, что в схеме прототипа драйвер «нижнего плеча» IR2121 был заменен на симметричный триггер, собранный на базе высоковольтных MOSFET транзисторов STF12N120K5 (напряжение пробоя сток-исток 1200 В), управляющих работой высоковольтного силового MOSFET транзистора STW12N150K5 (напряжение пробоя сток-исток 1500 В). В результате предложенного оригинального схемотехнического решения с использованием новой элементной базы было обнаружено, что разработанное устройство способно защитить цепи питания постоянного тока напряжением 310 В от короткого замыкания при работе на индуктивную нагрузку с быстродействием, на 25% превосходящим быстродействие прототипа. Кроме того, устройство способно защитить цепи питания постоянного тока напряжением до 1000 В от короткого замыкания при работе на активную нагрузку. 1 ил.

Изобретение относится к области металлургии прецизионных сплавов и может быть использовано для получения сплава Гейслера. Осуществляют сплавление смеси порошков алюминия, марганца и титана в гарнисаже плазмой дугового разряда напряжением от 65 до 70 В и током от 8 до 10 А в атмосфере гелия при давлении от 0,8 до 1 атм с образованием слитка Ti2MnAl с плавным снижением мощности до нуля для равномерной кристаллизации. Плавление проводят с участием гетерофазной химической реакции в присутствии гидрида титана (II). Изобретение позволяет получить сплав Гейслера в виде слитка, пригодного для изучения свойств спин-поляризованного бесщелевого полупроводника Ti2MnAl. 1 пр.

Изобретение относится к неорганической химии, а именно к рекуперации отходов производства вольфрамата кадмия для выращивания кристаллов CdWO4, являющегося перспективным материалом для использования в спектроскопическом и радиометрическом оборудовании, компьютерной томографии и сцинтилляционных болометрах. Способ рекуперации отходов производства вольфрамата кадмия CdWO4 заключается в том, что сначала смешивают оксид кадмия с триоксидом вольфрама в стехиометрическом соотношении 1,13-1,15, нагревают полученную смесь до температуры 1000°С на воздухе с получением материала сверхстехиометрического состава CdzWO4 (z=1,13-1,15), а затем сплавляют его с отходами производства состава CdxWO4 (х=0,95-0,97), извлеченными из тигля после роста кристаллов, с последующей трехкратной перекристаллизацией расплава методом Чохральского с получением кристаллов стехиометрического состава CdWO4. Технический результат состоит в возможности безотходного промышленного выращивания кристаллов CdWO4 с минимальными потерями на переработку остаточного расплава. 5 пр., 2 ил.

Изобретение относится к электротехнике и может использоваться в силовой электронике. Технический результат заключается в повышении надежности работы и защиты силовых MOSFET транзисторов в цепях питания постоянного тока напряжением 310 В от токов короткого замыкания. Технический результат достигается за счет схемотехнического решения с разделенными силовой и сигнальной массами, повышающего надежность и обеспечивающего низкий уровень шумов с датчика тока. 1 ил.

Изобретение относится к оборудованию для выращивания кристаллов прямоугольной формы из расплава. Опора тигля выполнена в виде прямоугольного в поперечном сечении корпуса 1 с посадкой для установки тигля на опору 6 и посадкой для установки опоры на шток 5, и имеющего сквозные пазы 4, предназначенные для установки требуемого для конкретного технологического процесса количества прямоугольных пластин 3 с возможностью изменения их взаимного расположения в корпусе 1. Опора позволяет экспериментально определять комбинацию элементов, необходимую для экранирования тигля от обдува конвективным потоком инертного газа и обеспечения условий теплоотвода от дна тигля в соответствии с требованиями конкретного ростового процесса. 6 ил.

Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Способ легирования кристаллов сульфида цинка железом или хромом включает смешивание порошков сульфида цинка и порошка моносульфида легирующего металла с последующим выращиванием кристалла из расплава вертикальной зонной плавкой. Способ позволяет получать кристаллы ZnS с однородным распределением легирующей добавки по их длине и концентрацией легирующего металла (железа или хрома), совпадающей с его содержанием в исходной загрузке. 1 ил., 1 табл., 6 пр.

Изобретение относится к области металлургии, в частности к получению сплава Гейслера в виде слитков, пригодных для изучения свойств спин-поляризованного бесщелевого полупроводника Ti2MnAl. Способ получения слитков сплава Ti2MnAl из смеси алюминия, марганца и титана включает подготовку смеси алюминия, марганца и титана и ее плавление. Подготовленную смесь засыпают в тигель и осуществляют плавление в гарнисаже плазмой дугового разряда напряжением от 65 до 70 В и током от 8 до 10 А в атмосфере гелия при давлении от 0,8 до 1 атм в течение 20 минут с последующим снижением мощности до нуля. Обеспечивается равномерная кристаллизация слитка. 9 пр., 2 ил.

Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Способ легирования кристаллов селенида цинка хромом включает смешивание порошков селенида цинка и легирующей добавки и последующее выращивание кристалла из расплава под давлением аргона, при этом хром вводится в исходную загрузку в виде моноселенида хрома CrSe, а выращивание кристалла осуществляют вертикальной зонной плавкой. Изобретение обеспечивает получение кристаллов ZnSe с концентрацией хрома, практически совпадающей с содержанием Cr в исходной загрузке. 2 ил., 1 табл., 3 пр.

Изобретение может быть использовано при создании мемристивных структур на основе шпинелей семейства «изоляторов Мотта». Способ синтеза шпинели GaNb4Se8 из элементарных веществ включает твердофазную химическую реакцию в вакуумированной и герметично запаянной кварцевой ампуле. Твердофазную химическую реакцию проводят в сочетании с термолизом селенидов ниобия и галлия с пятикратной циклической сменой температуры синтеза 400-700-400°С каждые 30-40 мин. Изобретение позволяет получить материал с высокой однородностью состава, содержащий GaNb4Se8 в количестве 98 % об. 2 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано в источниках питания сварочной дуги для фильтрации высоковольтных импульсов напряжения высокой частоты, возбуждаемых осцилляторами. Технический результат заключается в разработке индуктивно-емкостного фильтра, который позволит эффективно защищать выходные каскады источников питания сварочной дуги от ВЧ импульсов высокого напряжения, возбуждаемых осцилляторами. Технический результат достигается за счет того, что фильтр включает индуктивность, выполненную в виде синфазного дросселя, и два шунтирующих конденсатора, а гашение паразитных выбросов напряжения производится газовым разрядником, включенным в цепь последовательно с конденсатором, стоящим на входе фильтра. 1 ил.

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов CoSi химическим транспортом паров. Процесс ведут в кварцевых ампулах при разности температур в горячей и холодной зонах в 100°С. Исходным материалом служит предварительно синтезированный CoSi, а транспортирующим агентом является йод. Температура в горячей зоне составляет 950-980°С. Изобретение обеспечивает снижение рабочих температур и продолжительности процесса до 5 суток без уменьшения размеров получаемых кристаллов (до 2-2,5 мм). 1 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области изготовления металлических порошков методом ударного измельчения и может быть использовано для переработки стружки тугоплавких металлов для повторного использования в электрометаллургии. Ударная мельница для измельчения стружки из тугоплавкого металла состоит из корпуса, сопла Лаваля и неподвижного отбойника-отражателя. Сопло Лаваля выполнено с возможностью подачи в него через входные патрубки газа-носителя в виде аргона под давлением 1 МПа и стружки из тугоплавкого металла для обеспечения ускорения упомянутой стружки до сверхзвуковой скорости. Неподвижный отбойник-отражатель выполнен в виде неподвижной отбойной плиты, выполненной из того же тугоплавкого металла, что и упомянутая стружка, и расположенной в области первого диска Маха для ударного разрушения упомянутой стружки. Обеспечивается разработка ударной мельницы, которая позволяет получить высокую равномерность измельчения стружки тугоплавких металлов с минимальным содержанием пылевой фракции и нулевым содержанием продуктов износа. 3 ил.

Изобретение относится к области производства изделий низкотемпературной электроники и может быть использовано в конструкциях датчиков и преобразователей магнитного поля. Магниторезистивный элемент содержит магниточувствительный слой и контактные площадки, при этом магниточувствительный слой состоит из сплава Ti2MnAl, а контактные площадки выполнены из золота. Технический результат – создание магниторезистивного элемента, рабочий диапазон температур которого <1,0 Κ. 2 ил.

Изобретение относится к области электросварки и может быть использовано в устройствах для возбуждения и стабилизации сварочной дуги. Устройство содержит фильтр, имеющий первый конденсатор, и осциллятор, включающий в себя генератор импульсов и сериесный трансформатор, первичная обмотка которого связана с генератором импульсов, а первая вторичная обмотка выполнена с возможностью подключения между одним из выводов сварочного выпрямителя и сварочной горелкой, при этом первый конденсатор фильтра выполнен с возможностью подключения между выводами сварочного выпрямителя. Кроме того сериесный трансформатор снабжен второй вторичной обмоткой, включенной синфазно с первой вторичной обмоткой, а фильтр снабжен соединенными одним выводом вторым конденсатором и индуктивным элементом с возможностью подключения к другому из выводов сварочного выпрямителя, причем другой вывод индуктивного элемента через вторую вторичную обмотку соединен с другим выводом второго конденсатора с возможностью подключения к свариваемой детали. Использование изобретения позволяет повысить надежность возбуждения и стабилизации горения дуги при любых сварочных токах. 1 ил.

Изобретение относится к технологическому оборудованию, предназначенному для выращивания кристаллов халькогенидов в условиях микрогравитации – важном направлении в космическом материаловедении. Осевой компенсатор пружинно-поршневого типа содержит неразгруженный компенсирующий элемент, выполненный в виде винтовой цилиндрической графитовой пружины 1, размещенной между двумя цилиндрическими поршнями 2 из кварцевого стекла так, что цилиндрические штоки 3 поршней 2 являются центрирующими элементами для пружины 1. Конструкция компенсатора обеспечивает неоднократное срабатывание для компенсации нагрузок, возникающих при старте ракеты-носителя, при увеличении объема загрузки в ампулах при ее плавлении или растворении в расплаве, при посадке спускаемого аппарата с ампулами, содержащими выращенные кристаллы. 2 ил.

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в электрометаллургии для гальванической развязки в источниках питания высокочастотной дуги, используемой для плавления металлических порошков, электроэрозионной обработки поверхности и изготовления деталей сложной формы. Технический результат состоит в уменьшении проводимости магнитопровода и достигается использованием вставки из неодимового магнита с аксиальным расположением полюсов, помещенной в зазор магнитопровода трансформатора толщиной 1 мм. 3 ил.

Изобретение относится к области металлургии, в частности к получению объемных слитков спин-поляризованного бесщелевого полупроводника Ti2MnAl, который может быть использован в спинтронике. Способ получения Ti2MnAl из элементарных титана, марганца и алюминия включает помещение навесок марганца и алюминия в капсулу из титана, закрытие крышкой из титана и проведение плавки во взвешенном состоянии с использованием высокочастотного индукционного нагрева, причем плавку проводят в атмосфере инертного газа при температуре 1700-1730°С в течение 15-20 минут с последующей закалкой расплава до комнатной температуры. Обеспечивается получение объемных слитков с однородным составом. 3 ил., 2 пр.

Изобретение относится к плазменной технике, применяемой в электрометаллургии, и может быть использовано для инициирования высокочастотной плазмы на промышленной частоте 2,45 ГГц для плавления металлических порошков и изготовления деталей сложной геометрической формы в атмосфере защитных газов. Технический результат - расширение динамического диапазона работы устройства по мощности СВЧ излучения. Коллинеарный электрический вибратор выполнен из двух полуволновых и одного четвертьволнового отрезков, последовательно соединенных между собой фазирующими катушками, четвертьволновой отрезок служит для согласования с нагрузкой по току. 3 ил.
Изобретение относится к нанотехнологии и может быть использовано при изготовлении электронных приборов, а также для инжекции зарядов в объём конденсированных сред при криогенных температурах. Слой углеродных нанотрубок наносят на металлическую подложку осаждением в дуговом разряде. После этого подложку с нанесённым слоем углеродных нанотрубок выдерживают в атмосфере водорода при давлении 80-90 атм. Изобретение обеспечивает снижение напряжения, необходимого для создания тока эмиссии отрицательных зарядов – электронов, в полученном холодном катоде. Например, для создания тока электронов в 10-12 А от холодного катода, изготовленного по изобретению, в сверхтекучий гелий, на холодный катод необходимо подать напряжение, меньше или равное 50 В, что в 4,4 раза ниже, чем у аналогов. 4 пр.

Изобретение относится к устройствам для выращивания кристаллов на затравку методами Бриджмена, вертикальной зонной плавки, температурного градиента, а также их модификациями. Тигель состоит из корпуса 1 и хвостовика 2 с затравочной камерой 3, выполненной в виде сквозного отверстия в хвостовике, закрытого пробкой 4, имеющей резьбовое соединение с хвостовиком 2. Технический результат состоит в упрощении конструкции, позволяющем осуществлять разметку и высверливание затравочной камеры с наружной стороны тигля, установку затравки вручную независимо от размеров тигля, а также извлекать кристалл без отрыва от затравки. 2 ил.

Изобретение относится к области электрометаллургии и может быть использовано для прецизионной сварки, наплавки и изготовления деталей способом 3D-печати. Техническим результатом явяляется повышение эффективности способа пространственной стабилизации дуги. Способ пространственной стабилизации плазменного канала дуги лазерным излучением реализуется следующим образом: лазерный луч, сгенерированный диодом, пройдя через коллиматор, направлен в область дугового разряда перпендикулярно оси дуги. В результате абсорбции лазерного излучения с интенсивностью q≤100 Вт/см2 плазма дугового разряда поляризуется, и благодаря действию пондеромоторных сил пространственное положение дуги стабилизируется. Интервал значений плотности мощности выбран экспериментально: при плотности мощности менее 50 Вт/см2 не наблюдается достаточной стабилизации дуги; при плотности мощности свыше 100 Вт/см2 не наблюдается дальнейшего положительного эффекта. 1 ил.

Изобретение относится к электроэрозионной обработке поверхности металлов и сплавов, используемой для повышения твердости, жаропрочности и коррозионной стойкости деталей машин. Предложен способ получения покрытия из карбида молибдена на детали из молибдена, включающий электроэрозионную обработку детали высоковольтной электрической дугой высокого давления в атмосфере водорода с фиксированным зазором между электродами, при которой в качестве катода используют обрабатываемую деталь, а в качестве анода - легирующий электрод из графита. При этом обработку осуществляют при напряжении 2000 B, токе разряда 0,5-1 А с частотой следования импульсов 60 Гц, причем путем изменения скважности импульсов контролируют шероховатость получаемого покрытия из карбида молибдена. Изобретение обеспечивает получение на поверхности молибдена покрытия из карбида молибдена с шероховатостью Ra=0,08-0,4 мкм. 2 ил., 3 пр.

Устройство относится к измерительной технике для физических исследований свойств жидкостей. Устройство позволяет измерять поверхностное натяжение химически агрессивных расплавов тугоплавких веществ с высокими (больше 0,1 МПа) давлениями собственных паров над жидкой фазой, находящихся в инертной атмосфере. При этом уменьшается погрешность измерений, обусловленная влиянием конвективного уноса паров с поверхности формирующейся капли расплава. Устройство содержит графитовый сталагмометр с капилляром и штоком, приемник капель, нагреватель, токоподводы, теплоизоляционную оболочку термостата и сосуд высокого давления, в котором сталагмометр состоит из корпуса, перегородки с капиллярным каналом и крышки, а приемником капель служит дно корпуса сталагмометра. Технический результат – снижение влияния конвективного уноса паров с поверхности формирующихся капель на результаты измерений поверхностного натяжения расплавов. 1 ил.

Изобретение относится к устройствам для выращивания кристаллов халькогенидов металлов: ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, вертикальной зонной плавкой, осуществляемой путем перемещения тигля через неподвижно закрепленный нагреватель. Графитовый тигель состоит из корпуса и крышки 1, имеющей возможность перемещения внутри корпуса при изменении уровня расплава 5, причем глубина перемещения крышки 1 в корпусе ограничена на заданной высоте за счет уменьшения внутреннего диаметра корпуса в его нижней части 3. Технический результат изобретения состоит в исключении термоударов в процессе выращивания кристаллов для предотвращения их растрескивания за счет прекращения движения крышки в заданном месте, в результате чего между кристаллом и крышкой остается зазор. 4 ил.

Изобретение относится к устройствам для подачи порошков тугоплавких металлов и может быть использовано в различных отраслях промышленности, где требуется прецизионная подача порошков. Задачей настоящего изобретения является разработка шнекового дозатора порошков тугоплавких металлов для применения в установках прецизионной сварки тонколистовых металлов и изготовления деталей сложной геометрической формы электрической дугой в атмосфере защитных газов. Шнековый дозатор порошков тугоплавких металлов состоит из загрузочного бункера конической формы, корпуса шнека, выполненного в виде полой трубы, и установленного в нем шнека, а прецизионная подача порошков в технологическую зону осуществляется через промежуточную камеру, расположенную под углом к корпусу шнека и снабженную спиральным транспортером. Спиральный транспортер передает вращение шнеку малого диаметра, выполняющему роль дозатора порошков. Скорости вращения шнеков и спирального транспортера осуществляются от разных приводов и синхронизированы. Внутренняя поверхность загрузочного бункера, корпуса шнека и спирального транспортера выполнены из закаленной конструкционной стали и подвергнуты электрохимической полировке. 2 ил.

Изобретение относится к электроду для дуговой плавки металлов и может быть использовано для плавления металлических порошков, прецизионной сварки тонколистовых металлов и изготовления деталей сложной геометрической формы в среде защитных газов. Электрод для дуговой плавки металлов содержит цилиндрический корпус (1) и снабжен соленоидом (2), выполненным из графита в виде однорядной спирали. Соленоид расположен коаксиально корпусу и включен последовательно в электрическую цепь дугового разряда. Технический результат заключается в формировании соленоидом магнитного поля вокруг дугового канала, которое сжимает плазму в радиальном направлении и стабилизирует ее течение в аксиальном направлении, позволяя вести процесс сварки в контролируемых условиях. 3 ил.

Изобретение относится к области машиностроения и может быть использовано в устройствах, при работе которых возможно выделение большого количества тепла, приводящего к тепловому расширению шпонки и заклиниванию устройства. Композиционный материал шпонки представляет собой матрицу из поликристаллического кремния, армированную волокнами карбида кремния. Материал с низкими значениями коэффициента теплового расширения и сухого трения по стали может использоваться при температурах до 1300°С. Кроме того, материал обладает высокой твердостью и стойкостью к окислению при нагреве. 1 ил., 3 табл.

Изобретение может быть использовано в полупроводниковой оптоэлектронике. Навеску порошка исходного фуллерена С60 загружают в кварцевую ампулу, внутренняя поверхность которой покрыта пироуглеродом для защиты исходного порошка от воздействия УФ излучения. Затем проводят низкотемпературную обработку в динамическом вакууме, сублимацию фуллерена при последующем нагреве и выдержке в динамическом вакууме при градиенте температур между зонами сублимации и конденсации. После этого проводят пересублимацию и выращивание первичных кристаллов С60 в статическом вакууме при градиенте температур между зонами сублимации и конденсации и выращивание финишных кристаллов С60 при тех же условиях, причём первичные и финишные кристаллы С60 выращивают в той же ампуле без перезагрузки порошка, перемещая её в соответствующую зону. Выход годных кристаллов фуллерена С60 составляет 80-85 мас. %, размер кристаллов – порядка 1 см. 2 ил., 1 пр.

Изобретение относится к литейному производству, в частности к получению кремниевых профильных отливок для мишеней магнетронного распыления. Шихту полупроводникового поликристаллического кремния расплавляют в графитовом тигле, который перемещают вертикально в полости нагревателя. В донном отверстии тигля формируется пробка из застывшего кремния. После расплавления пробки происходит слив расплава через донное отверстие в литниковое отверстие графитовой формы и его кристаллизация. Обеспечивается получение изделий из кремния высокой чистоты. 3 ил., 1 табл., 1 пр.

Изобретение относится к неорганической химии, а именно к получению сульфида галлия (II), являющегося перспективным материалом для полупроводниковой оптоэлектронной техники и инфракрасной оптики. Cинтез GaS проводили в замкнутом объеме из элементарных галлия и серы, взятых в стехиометрическом соотношении, в атмосфере водорода при давлении 1300-2600 Па, при этом расплав галлия имел температуру Т(Ga)=1050-1100°C, а расплав серы - температуру Т(S)=300-350°C. Технический результат изобретения: полное протекание химической реакции с образованием чистого однофазного продукта и с возможностью масштабирования процесса для промышленного применения. 1 табл., 3 ил.

Изобретение относится к области химической технологии и может быть использовано для изготовления фильтров, способных применяться для очистки агрессивных жидкостей и газов от инородных включений при высоких температурах эксплуатации, в том числе диметилгидразина, используемого в качестве компонента жидкого ракетного топлива. Способ изготовления изделия с фильтром для агрессивных жидкостей и газов включает пропитку углеграфитовой ткани расплавленным кремнием. Перед пропиткой слой (слои) углеграфитовой ткани приклеивают слоем поливинилацетата к торцевой поверхности втулки или кольца из силицированного графита, измельченный кремний засыпают на поверхность слоя (слоев) ткани, а затем проводят нагрев в среде вакуума при температуре, превышающей точку плавления кремния. Технический результат: расширение арсенала технических средств. 1 табл., 3 пр.

Изобретение относится к нанотехнологии и может быть использовано для изготовления автоэлектронных эмиттеров. Углеродные нанотрубки осаждают на металлические подложки в дуговом реакторе в рабочей атмосфере на основе инертного газа, содержащей водород 8-10 об.% и гелий - остальное. Металлические подложки закреплены на дисковом катоде на расстоянии 10d-12d от оси дугового разряда, где d - диаметр графитового стержня анода. Полученные углеродные нанотрубки не содержат примесей сажи и фуллеренов, имеют хороший контакт с подложкой. Упрощается аппаратурное оформление процесса. 1 ил.

Изобретение относится к области получения синтетических алмазов и может быть использовано в качестве детекторов ядерного излучения в счетчиках быстрых частиц, а также в ювелирном деле. Способ включает осаждение углерода на затравочные кристаллы алмазов при их нагреве в вакууме, при этом затравочные кристаллы предварительно фиксируют на поверхности полированной пластины монокристаллического кремния, покрытой слоем поливинилацетата, после чего нагревают пластины кремния при электрическом потенциале смещения 80 В в вакууме, затем напускают метан при давлении 10-30 Торр и проводят изотермическую выдержку при температуре 1170±20°С с циклической откачкой реакционных продуктов и напуском свежего метана. Технический результат заключается в существенном увеличении исходных кристаллов алмаза в групповом процессе за значительно более короткое время технологического цикла. 2 ил., 1 пр.

Изобретение относится к области получения углеродных наноструктур, а именно слоев углеродных нанотрубок на металлических подложках, применяемых в качестве холодных катодов (автоэлектронных источников эмиссии). Технический результат - создание простого в изготовлении холодного катода без снижения его эксплуатационных характеристик. Холодный катод содержит слой углеродных нанотрубок и металлическую подложку, которая выполнена пористой, а между металлической подложкой и слоем углеродных нанотрубок содержится слой углеродной сажи. Использование сажи улучшает механический контакт нанотрубок с металлической поверхностью подложки. 3 ил.

Изобретение относится к технологическому оборудованию, предназначенному для выращивания кристаллов в условиях микрогравитации. Ампула содержит герметичный корпус 1 из кварцевого стекла и коаксиально размещенный в нем герметичный кварцевый тигель 4 с загрузкой селенида галлия 5 и графитовые вставки 3, 7, при этом загрузка 5 помещается непосредственно во внутренний объем кварцевого тигля 4, а графитовые вставки 3, 7 размещены снаружи по обе стороны тигля 4, между корпусом 1 ампулы и одной из графитовых вставок 3, 7 установлен демпфирующий элемент 2 из углеграфитового войлока. Изобретение позволяет выращивать кристаллы GaSe повышенного качества. 2 ил.

Изобретение относится к нанотехнологиям. Способ включает эксфолиацию заготовок из слоистых кристаллических материалов, закрепленных с одной стороны на опоре из глипталя, с использованием клейкой ленты, глипталь по окончании эксфолиации растворяют в ацетоне, где образуется взвесь кристаллических пластин (слоев) халькогенидов металлов, которые выделяют из взвеси путем осаждения их на подложку. Изобретение позволяет получать слои наноразмерной толщины из слоистых кристаллов с возможностью последующего осаждения на различные подложки. 3 ил., 2 пр.

Изобретение относится к области выращивания из расплава нелегированных кристаллов вольфрамата натрия-висмута NaBi(WO 4)2, являющегося перспективным материалом для Черепковских детекторов

Изобретение относится к технологии получения кристаллов GaTe, которые могут быть использованы в нелинейной оптике, а именно для оптических преобразователей частоты ИК и ТГц диапазонов

Изобретение относится к нанотехнологии

Изобретение относится к области получения наноалмазов, представляющих интерес для использования в послеоперационной поддерживающей терапии

Изобретение относится к области получения сцинтилляционных материалов и может быть использовано в нанотехнологиях, связанных с применением полупроводниковых нанопорошков

Изобретение относится к области обработки наноструктур

Изобретение относится к нанотехнологиям полупроводников
Изобретение относится к нанотехнологии и может быть использовано для получения материалов-аккумуляторов автономных систем хранения водорода

Изобретение относится к термометрии и предназначено для определения температуры химически агрессивных расплавов тугоплавких веществ, например соединений типа А2B6

Изобретение относится к области нанотехнологий, в частности для получения наночастиц Ga
Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано в полупроводниковых нанотехнологиях

 


© Патентный поиск, поиск патентов на изобретения - FindPatent.RU 2012-2024
Политика конфиденциальности
Наверх