Патенты автора Бойко Владимир Иванович (RU)
Периферия полупроводниковых приборов с повышенной устойчивостью к ионизирующему излучению // 2638584
Изобретение относится к области силовых полупроводниковых приборов, изготавливаемых на эпитаксиальном кремнии. В силовых полупроводниковых приборах с повышенной устойчивостью к ионизирующему излучению, изготавливаемых на эпитаксиальном кремнии с вертикальным перемещением носителей тока и содержащих эпитаксиальный слой, активную область и периферию, в качестве периферии используется канавка шириной от 2 до 6 микрон, глубиной не менее толщины эпитаксиального слоя, стенки и дно которой покрыты слоем термического окисла кремния толщиной от 0,5 до 2 микрон, остальной объем канавки заполнен защитным наполнителем для повышения устойчивости к ионизирующему излучению. В результате такой конструкции периферии полупроводникового прибора ионизирующее излучение, попадающее в область периферии и за ее пределы под прямым углом, не изменяет электрические свойства полупроводникового прибора. Излучение, направленное под углом в сторону полупроводникового прибора, попадающее за пределами канавки, значительно ею ослабляется или отражается. Изобретение обеспечивает повышенную устойчивость полупроводниковых приборов к ионизирующему излучению. 5 з.п. ф-лы, 1 ил.
ЭЖЕКТОРНОЕ УСТРОЙСТВО УСТАНОВКИ ДЛЯ ОЧИСТКИ РЕЗЕРВУАРОВ ОТ ОТЛОЖЕНИЙ НЕФТИ И НЕФТЕПРОДУКТОВ // 2606604
Изобретение относится к оборудованию для очистки внутренней полости резервуаров, в частности железнодорожных цистерн, от вязких отложений нефти и нефтепродуктов. Эжекторное устройство выполнено в виде гидромонитора и содержит по меньшей мере одну полую штангу с установленным на ее конце эжекторным насадком. Насадок содержит корпус с крышкой, включающий внутреннюю полость и внешнюю кольцевую камеру, сообщающиеся между собой посредством подающих отверстий, по меньшей мере три опорных диска с установленными на них патрубками, снабженными соплами. Внутренняя полость корпуса выполнена сообщающейся с полой штангой. Опорные диски снабжены направляющими отверстиями. Патрубки установлены на опорных дисках под углом к нормали внешней кольцевой камеры корпуса. Направляющие отверстия в дисках расположены к нормали внешней кольцевой камеры корпуса под углом, значение которого больше значения угла установки патрубков. Сопла имеют выпускные отверстия эллипсообразного сечения и установлены на патрубках через вращающиеся диски соосно с патрубками с возможностью вращения вокруг общей оси. Гидромонитор смонтирован на стержне, на котором закреплена цепная передача и установлена с возможностью продольного перемещения каретка. На верхнем конце стержня закреплен штурвал для перемещения цепной передачи, а на нижнем конце стержня шарнирно установлена с возможностью регулирования ее углового положения штанга, соединенная посредством рычага с кареткой. Технический результат: повышение эффективности очистки внутренней полости резервуара от вязких отложений нефти и нефтепродуктов. 3 з.п. ф-лы, 3 ил.
ФАЗОСДВИГАЮЩИЙ ИНВЕРТОРНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ // 2577535
Настоящее изобретение относится к преобразовательной технике и может быть использовано, в частности, для создания источников питания с увеличенной выходной мощностью, малыми потерями и улучшенными параметрами электромагнитной совместимости. Технический результат достигается тем, что фазосдвигающий инверторный преобразователь, содержащий ведущий и ведомый полумостовые инверторы, трансформатор содержит дроссель насыщения, который последовательно соединен с первичной обмоткой трансформатора, образуя последовательную цепь, подключенную между выходами ведущего и ведомого полумостовых инверторов, первый последовательный колебательный контур, состоящий из первой емкости и первого дросселя, подключенного к выходу ведущего полумостового инвертора, причем дроссель насыщения может быть подключен к выходу ведущего полумостового инвертора, а первичная обмотка трансформатора подключена к выходу ведомого полумостового инвертора, или дроссель насыщения может быть подключен к выходу ведомого полумостового инвертора, а первичная обмотка трансформатора подключена к выходу ведущего полумостового инвертора. 6 з.п. ф-лы, 3 ил.
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к области силовых полупроводниковых приборов, в частности к силовым БТИЗ и ДМОП транзисторам. В способе изготовления полупроводникового прибора на полупроводниковой подложке первого типа проводимости создают подзатворный диэлектрик, затворный электрод и межслойную изоляцию над затворным электродом, далее в окнах затворного электрода создают методами ионной имплантации и термической диффузии канальную и истоковую области второго и первого типа проводимости соответственно, вскрывают контакты металлического истока с истоковыми и канальными диффузионными областями, располагающимися в середине окон затворного электрода в слое кремния, на глубине, превышающей глубину истоковых областей, и контакты металлического электрода затвора через межслойный диэлектрик к поликремниевому электроду затвора с использованием единой фоторезистивной маски в едином технологическом плазмохимическом процессе травления окисла кремния и кремния путем подбора скорости травления окисла над затвором и скорости травления кремния. Отношение вертикальной скорости травления окисла кремния к горизонтальной скорости травления составляет не менее 3. Изобретение обеспечивает повышение степени интеграции за счет уменьшения подтравливания бокового окисла в контактах. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий, имеющих большую площадь кристаллов
УСТРОЙСТВО ОСВЕЩЕНИЯ // 2479165
Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при проектировании осветительных приборов, в конструкции которых задействованы энергосберегающие светодиодные модули
УСТРОЙСТВО ОСВЕЩЕНИЯ // 2476037
Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при проектировании осветительных приборов, в конструкции которых задействованы энергосберегающие светодиодные модули
Изобретение относится к технологии приборов силовой электроники на основе карбида кремния
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий электронной техники и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем пайки припоями, не содержащими свинец
