Патенты автора Шелепин Николай Алексеевич (RU)
Изобретение относится к области технологии изготовления полупроводниковых приборов и сверхбольших интегральных схем на основе кремниевой подложки с использованием скрытого диэлектрика (КНИ), предназначенных для использования в средах с максимальной температурой до 250°С. Сущность изобретения: способ изготовления высокотемпературных КМОП КНИ интегральных схем, включающий операции формирования областей мелкой щелевой изоляции STI, ионной имплантации в области карманов n- и р-канальных МОП-транзисторов, формирования слоя подзатворного диэлектрика, осаждения слоя поликристаллического кремния и формирования затворов МОП-транзисторов, ионной имплантации в области стоков и истоков МОП-транзисторов, формирования контактных окон к активным областям и формирования системы металлизации, отличающийся тем, что при осуществлении операции ионной имплантации в области стоков и истоков МОП-транзисторов n-типа доза ионов мышьяка составляет от 2×1015 до 3×1015 см-2, энергия пучка - от 63 до 77 кэВ, а для областей стоков и истоков МОП-транзисторов р-типа доза ионов бора составляет от 2,8×1015 до 4,2×1015 см-2, энергия пучка - от 6 до 8 кэВ. Изобретение обеспечивает повышение устойчивости интегральных схем к воздействию высоких температур. 3 з.п. ф-лы, 19 ил., 2 табл.
Изобретение относится к субмикронным КМОП КНИ ИМС, действующим в условиях воздействия больших доз радиационного облучения, характерных для длительной эксплуатации космических аппаратов в дальнем космосе. КМОП КНИ ИМС с повышенной радиационной стойкостью содержит систему-на-кристалле, выполняющую функции преобразования и/или хранения информации, и генератор отрицательного напряжения, включающий последовательно соединенные устройство управления и блок накачки заряда, выход которого является выходом генератора отрицательного напряжения и соединен с выводом подложки КМОП КНИ ИМС, устройство управления реализует по меньшей мере функцию формирования тактовых импульсов и имеет по меньшей мере один выход тактовых импульсов, выходы тактовых импульсов устройства управления соединены с соответствующими входами тактовых импульсов блока накачки заряда. Блок накачки заряда по первому варианту изобретения включает по меньшей мере два МОП транзистора и один конденсатор, причем все МОП транзисторы в составе блока накачки заряда являются P-канальными. По второму варианту изобретения блок накачки заряда включает по меньшей мере один конденсатор и по меньшей мере два латеральных биполярных диода, реализованные в едином КМОП КНИ технологическом процессе наряду с КМОП транзисторами. Изобретение обеспечивает расширение работоспособности субмикронных КМОП КНИ ИМС в область воздействия больших доз радиационного облучения за счет исключения радиационно-индуцированных токов утечки в транзисторах блока накачки заряда, и тем самым исключения отказов блока накачки заряда и КМОП КНИ ИМС в целом. 5 з.п. ф-лы, 6 ил.
Изобретение относится к вычислительной технике
ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ ДЛЯ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩЕГО ЭСППЗУ С УПРАВЛЯЕМЫМ ПОТЕНЦИАЛОМ ПОДЗАТВОРНОЙ ОБЛАСТИ // 2465659
Изобретение относится к вычислительной технике
Изобретение относится к технологии изготовления многоуровневой металлизации интегральных схем
