Патенты автора Максимов Александр Дмитриевич (RU)

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, чувствительных к инфракрасному излучению, и может быть использовано при изготовлении фотодиодов на кристаллах InSb n-типа проводимости (изготовление p-n-переходов), фототранзисторов (изготовление базовых областей на кристаллах n-типа проводимости и эмиттеров и омических контактов на кристаллах p-типа проводимости), фоторезисторов на основе кристаллов p-типа проводимости (омические контакты)

Изобретение относится к обогащению полезных ископаемых и может быть использовано на алмазодобывающих предприятиях
Изобретение относится к области медицины, в частности к кардиохирургии
Изобретение относится к медицине, частности к способу изготовления шовного материала или ткани, используемой в эндопротезировании, и может быть использовано при изготовлении искусственных клапанов сердца, митральных и трикуспидальных опорных колец для анулопластики

 


Наверх