Патенты автора Манжа Николай Михайлович (RU)

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ САМОСОВМЕЩЕННОГО ВЫСОКОВОЛЬТНОГО ИНТЕГРАЛЬНОГО ТРАНЗИСТОРА // 2492546

САМОСОВМЕЩЕННЫЙ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР // 2492551

Изобретение относится к микроэлектронике

ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ САМОСОВМЕЩЕННЫЙ ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ДИОД // 2492552

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности, к формированию самосовмещенных высоковольтных диодов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР // 1840260

Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых приборов и интегральных схем, в частности, к способам изготовления приборов с использованием эпитаксиального наращивания кремния в атмосфере водорода

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ // 1840259

Изобретение относится к технологии изготовления биполярных планарных транзисторов с полным диффузионным эмиттером

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ // 1840163

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности, а именно, к производству больших интегральных схем с боковой диэлектрической изоляцией

РЕАКТОР С ПОДЛОЖКОДЕРЖАТЕЛЕМ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЕВ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ ПРИ ПОНИЖЕННОМ ДАВЛЕНИИ // 2448205

Изобретение относится к оборудованию для получения слоев из газовой фазы при пониженном давлении (ХОГФПД) и может быть использовано при формировании и диэлектрических, полупроводниковых и проводящих слоев в производстве

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЯ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ // 2430882

Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к осаждению разных диэлектрических слоев производных кремния в производстве субмикронных СБИС (сверхбольших интегральных схем)

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОСЛОЕВ // 2425794

Изобретение относится к технологии формирования наноэлектронных структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ САМОМАСШТАБИРОВАННОЙ САМОСОВМЕЩЕННОЙ ТРАНЗИСТОРНОЙ СТРУКТУРЫ // 2408951

Изобретение относится к микроэлектронике

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ САМОСОВМЕЩЕННЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР // 2377691

Изобретение относится к микроэлектронике

СПОСОБ САМОСОВМЕЩЕННОГО ФОРМИРОВАНИЯ ИЗОЛЯЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ И ПОЛИКРЕМНИЕВЫХ КОНТАКТОВ К ПОДЛОЖКЕ И СКРЫТОМУ СЛОЮ // 2356127

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА // 2351036

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии изготовления биполярных транзисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КМОП ТРАНЗИСТОРОВ С ПРИПОДНЯТЫМИ ЭЛЕКТРОДАМИ // 2329566

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЕВ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ ПРИ ПОНИЖЕННОМ ДАВЛЕНИИ // 2324020

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии осаждения полупроводниковых, диэлектрических и металлических слоев при пониженном давлении

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЗАТВОРНЫХ ОБЛАСТЕЙ КМОП-ТРАНЗИСТОРОВ // 2297692

Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления КМОП-транзисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ САМОСОВМЕЩЕННОГО БиКМОП ПРИБОРА // 2295800

БиКМОП-ПРИБОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ // 2282268

Изобретение относится к области микроэлектроники

СТРУКТУРА БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА С ЭМИТТЕРОМ СУБМИКРОННЫХ РАЗМЕРОВ И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ // 2279733

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к области создания интегральных схем (ИС) с использованием биполярных транзисторов