Патенты автора Локтаев Юрий Михайлович (RU)
Изобретение относится к силовой полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления силовых диодов, динисторов и тиристоров, содержащих, по меньшей мере, один высоковольтный p-n-переход с прямой фаской
Изобретение относится к области конструирования полупроводниковых приборов и может быть использовано в производстве силовых диодов, тиристоров, IGBT и других приборов полностью прижимной конструкции с уменьшенными и стабильными значениями падения напряжения во включенном состоянии (Von) и теплового сопротивления (Rth )
СИЛОВОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР // 2321102
Изобретение относится к силовым полупроводниковым приборам, а именно к конструкции силовых тиристоров
СИЛОВОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР // 2308121
Изобретение относится к силовым полупроводниковым приборам, а именно к конструкции силовых диодов, динисторов и тиристоров, в том числе симметричных
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР С САМОЗАЩИТОЙ ОТ ПРОБОЯ В ПЕРИОД ВОССТАНОВЛЕНИЯ ЗАПИРАЮЩИХ СВОЙСТВ // 2297075
Изобретение относится к конструкции полупроводниковых приборов с самозащитой от пробоя в период восстановления запирающих свойств, а именно к конструкции тиристоров, в том числе фототиристоров
Изобретение относится к конструкции полупроводниковых приборов с самозащитой от пробоя при перенапряжениях в закрытом состоянии, а именно к конструкции динисторов и тиристоров, в том числе симметричных
