Патенты автора Трунин Евгений Борисович (RU)

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в электронной промышленности при изготовлении герметизированных магнитоуправляемых контактов (герконов) с азотированными контактными поверхностями. Особенностью устройства группового изготовления герконов с азотированными контактными площадками является то, что оно снабжено одинаковыми модулями, каждый из которых состоит из 2 неподвижных статоров, контактных площадок, предназначенных для установки герконов, подключенных, с помощью проводников, к блоку питания переменного тока, и ротором, подключенным к механизму вращения и расположенным в зазоре между 2 статорами, таким образом, чтобы обеспечить при своем вращении с угловой скоростью f поочередное замыкание-размыкание контакт-деталей герконов с частотой ϑ=fN за счет воздействия на них магнитного поля N постоянных магнитов установленных на нем. Техническим результатом заявленного устройства является снижение себестоимости геркона за счет замены низкопроизводительного оборудования с неподвижными намагничивающими катушками, на более высокопроизводительное оборудование, действие которого основано на применении вращающихся постоянных магнитов. 6 ил.

Изобретение относится к области получения электронных и ионных пучков и может быть использовано в технике в технологических целях например, при модификации поверхности материалов. Ионный источник состоит из стеклянного корпуса, анода с одной стороны корпуса, катода с отверстием с другой стороны корпуса, высоковольтного источника питания, вакуумной и газовой системы. Катод выполнен в виде кольца, обеспечивающего максимальную апертуру, и расположен в конце цилиндрического корпуса источника ионов со стороны вакуумной камеры, и внутри вакуумной камеры, а корпус выполнен из диэлектрического вакуумного материала. Технический результат - повышение производительности оборудования, надежности работы и однородности распределения потока ионов и нейтральных частиц по площади. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в электронной промышленности при изготовлении герметизированных магнитоуправляемых контактов (герконов). Техническим результатом заявленного способа является снижение себестоимости геркона за счет замены низкопроизводительного оборудования на высокопроизводительное оборудование, действие которого основано на применения вращающихся постоянных магнитов и напряжения, подаваемого на контакты геркона, в форме меандра, полярность импульсов которого меняется синхронно с каждым оборотом постоянных магнитов. Способ изготовления геркона позволяет сформировать азотированные контактные площадки непосредственно там, где при коммутации электрического тока происходит физический контакт контакт-деталей геркона, что повышает эрозионную стойкость и, как следствие, наработку герконов на отказ. 2 з.п. ф-лы, 13 ил.
Изобретение относится к области защиты металлов от коррозии и может быть использовано для защиты насосно-компрессорных труб от коррозионного и эрозионного воздействия среды. Способ нанесения антикоррозионного защитного покрытия на внутреннюю поверхность насосно-компрессорной трубы включает предварительную очистку поверхности и последующее нанесение слоев защитного покрытия, при этом после предварительной очистки на внутреннюю поверхность трубы наносят слой кремния толщиной 0,2-3,0 микрона ударно-кинетическим методом, а на естественную окисную пленку оксида кремния наращивают слой пористого оксида кремния с размерами пор 10-100 микрон с использованием щелочи и порошкового оксида кремния при температуре 200-300°С, подготовленный пористый слой пропитывают полимерной композицией и подвергают финишной температурной обработке. Технический результат: создание антикоррозионного износостойкого покрытия с высокой адгезией, длительным сроком службы и высокой химической стойкостью. 3 з.п. ф-лы
Изобретение относится к упрочнению поверхности металлической детали. Поверхность детали обрабатывают ударами тел массой от 0,1 до 1000 граммов механическим импульсом с кинетической энергией до 10 Дж. В зону обработки подают упрочняющие микронаночастицы. В результате обеспечивается создание на поверхности металла слоев с повышенной твердостью, износостойкостью, жаростойкостью и коррозионной стойкостью. 4 з.п. ф-лы.
Изобретение относится к области электротехники, а именно к высоковольтным вакуумным реле, и может быть использовано также для переключения различных высоковольтных слаботочных цепей. Техническим результатом, достигаемым при этом, является увеличение величины коммутируемого напряжения. Высоковольтное реле содержит катушку для управления работой реле и высоковольтный вакуумный геркон, включающий в себя вакуумированный герметичный корпус с расположенными в нем ферромагнитными контактами. Технический результат достигается за счет того, что последовательно с высоковольтным вакуумным герконом в цепь реле включен дугогасящий элемент, выполненный в виде проводящих площадок, последовательно расположенных на диэлектрической поверхности и соединенных диэлектрическими зазорами. Диэлектрические зазоры могут быть снабжены полупроводящей пленкой в виде двумерной пленки, выполненной из нульмерных элементов. 1 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в электронной промышленности при изготовлении герметизированных магнитоуправляемых контактов (герконов). Техническим результатом является повышение качества и ресурса работы за счет локализации азотируемых контактных площадок в области физического контакта при замыкании контакт-деталей геркона. Ионно-плазменную обработку проводят в условиях воздействия на контакт-детали геркона переменных магнитного и электрического полей, вызывающих периодическое замыкание-размыкание контакт-деталей с частотой 200-1000 Гц, протекание-разрыв электрического тока через геркон под действием приложенного к его контакт-деталям напряжения 100-250 В переменного тока 10-250 мА с частотой смены полярности 50 Гц в течение 0,25-60 мин. Таким образом, процесс азотирования поверхности контакт-деталей геркона осуществляется за счет электрической эрозии и переноса на катод материала анода в среде азотной плазмы. 6 ил.

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано в электронной промышленности при изготовлении герметизированных магнитоуправляемых контактов (герконов). Техническим результатом является ограничение объема массопереноса при каждом срабатывании и создание условий на поверхности покрытия, препятствующих локализации эрозии, стимулирующих переход ее к планарному типу. Технический результат достигается за счет формирования в процессе ионно-плазменной обработки на контактных поверхностях геркона квазипериодической структуры азотированных нановыступов в форме конусов (конусоподобной формы) высотой 10-100 нм, диаметром основания 0,5-1 мкм и квазипериодом 1-2 мкм.
Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано при изготовлении отрицательных электродов литий-ионных аккумуляторов. Способ изготовления состоит в соединении металлической, преимущественно медной, подложки (для токосъема) и суспензии кремниевого материала. Материал электрода содержит медь и кремниевые микрочастицы и наночастицы. Их формируют одновременно в виде слоя толщины 10-50 мкм гальванически из электролита на гладкой подложке, с которой получаемый композиционный электрод снимают. Изобретение позволяет увеличивать емкость аккумулятора, благодаря увеличению площади поверхности кремния на единицу поверхности. 3 н.п. ф-лы, 2 пр.
Изобретение относится к технологии, связанной с процессами легирования и диффузии примесей в полупроводники, а именно к способам диффузионного перераспределения примеси с поверхности по глубине полупроводниковых пластин, и может быть использовано в производстве солнечных фотоэлементов, полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. В способе легирования полупроводниковых пластин к подложке подводят электрод, содержащий легирующий материал, и обрабатывают электрическими импульсами с большой плотностью энергии. В месте контакта электрода материал подложки локально проплавляется и происходит легирование полупроводника материалом электрода. Время обработки материала не превышает нескольких микросекунд. Техническим результатом изобретения является низкая себестоимость, высокая производительность и получение резкой границы диффузионной зоны.
Изобретение относится к технике, связанной с процессами ионно-плазменного легирования полупроводников и может быть использовано в производстве солнечных элементов, полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на основе кремния. Способ легирования кремния заключается в том, что пластину кремния обрабатывают в тлеющем разряде инертных газов, не являющихся легирующими примесями, в качестве источника легирующих примесей используют сильнолегированный электрод в форме пластины, выполненный из гетерогенного сплава кремния с фосфором или бором, а процесс легирования осуществляют при периодической смене полярности импульсов напряжения, подаваемого на электроды. Плазменное легирование может проводиться без специальных мер безопасности при исключении из процесса дорогостоящих высокочистых токсичных пожаровзрывоопасных газов, что упрощает процесс и снижает затраты. До ионно-плазменной обработки сопротивление пластины кремния составляло 10 Ом, после обработки оно уменьшилось до 3 Ом, что свидетельствует об улучшении технико-экономических параметров легирования кремния.

Изобретение относится к области производства промышленных взрывчатых веществ. Способ включает подготовку исходных компонентов в необходимых соотношениях, загрузку в смеситель, смешение компонентов, выгрузку и упаковку готового продукта. При этом дозирование и загрузка осуществляется в транспортный бункер, перемешивание происходит в смесителе, который представляет собой цилиндр со сложным вращением со скоростью 5-20 об/мин и максимальным отклонением от горизонтальной оси в процессе перемешивания на угол ±45°. Окончание режима перемешивания устанавливается при достижении заданной однородности смеси. Техническим результатом изобретения является повышение качества приготовления смеси, низкая энергоемкость процесса, безопасность и удобство обслуживания. Однородность смеси контролируется в процессе перемешивания и обеспечивается высокое качество. 1 табл., 2 пр.

Изобретение относится к области электротехники, в частности к конструкции магнитоуправляемых герметизированных контактов, и может быть использовано при промышленном производстве этих приборов. Техническим результатом изобретения является повышение стабильности работы магнитоуправляемого герметизированного контакта в течение длительного времени, удаление окислов металлов, упрощение технологии создания контакта, в ряде случаев исключение использования драгметаллов в контактном покрытии. Технический результат достигается за счет того, что в магнитоуправляемом герметизированном контакте с ферромагнитными контакт-деталями, помещенными в стеклянный корпус, в приповерхностной области контактирующей поверхности контакт-деталей расположен контактный металлический материал, обогащенный ионами - протонами водорода на глубину не более 10 мкм. 2 ил., 1 табл.

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в электронной промышленности при изготовлении герметизированных магнитоуправляемых контактов

Изобретение относится к области электротехники, в частности к способам создания магнитоуправляемых герметизированных контактов, и может быть использовано в промышленном производстве этих приборов

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в электронной промышленности при изготовлении герметизированных магнитоуправляемых контактов

Изобретение относится к области электротехники, в частности к конструкции магнитоуправляемых герметизированных контактов, и может быть использовано в промышленном производстве этих приборов

Изобретение относится к области электротехники, в частности к конструкции магнитоуправляемых герметизированных контактов, и может быть использовано в промышленном производстве этих приборов

Изобретение относится к металлургии, химической технологии, получению металлов высокой чистоты, преимущественно кремния, устройствам для очистки жидких металлов электропереносом в поперечном магнитном поле
Изобретение относится к способам утилизации токсичных отходов, утилизации ртутьсодержащих приборов и отходов, преимущественно к способам утилизации ртутьсодержащих люминесцентных ламп, способам демеркуризации

 


Наверх