Патенты автора Афанасьев Валентин Петрович (RU)
Изобретение относится к получению абразивных материалов, в частности алмазных магнитно-абразивных порошков для магнитно-абразивной обработки. Может использоваться для шлифования и полировки изделий различного функционального назначения в машиностроении, оптике, микроэлектронике, атомной энергетике. Готовят шихту из магнитного порошка с гранулометрическим составом 1,0-400 мкм и абразивного порошка в виде наноструктурированного порошка импактного алмаза, содержащего 10-40 об.% лонсдейлита, 50-89 об.% алмаза и 1-10 об.% неалмазного углерода, с удельной поверхностью 0,5-1,5 м2/г размером зерен 0,25-600 мкм и содержанием примесей в виде несгораемого остатка в пределах 1-5 мас.%. Шихту смешивают, прессуют, спекают и измельчают одновременно в механореакторе с энергонапряженностью 1-7 Вт/г в течение 10-30 мин с получением порошка с гранулометрическим составом 1-150 мкм. Обеспечивается повышение эксплуатационных свойств магнитно-абразивного порошка. 1 табл., 4 пр.
Состав композиции для получения сегнетоэлектрического материала титаната бария-стронция предназначен для получения сегнетоэлектрических материалов и может быть использован в области радиоэлектронной промышленности, например, в качестве конденсаторов малых линейных размеров. Шихта для получения сегнетоэлектрического материала состава Ba0,8Sr0,2TiO3 включает нитрат бария, нанокристаллический диоксид титана и нитрат калия, а также дополнительно содержит нитрат стронция при следующем соотношении компонентов, мол. %: Ba(NO3)2 10-16; Sr(NO3)2 2,5-4,0; TiO2 12,5-20; ΚNO3 60-75. Исходные порошки смешивают, отжигают при температуре 600°С и промывают дистиллированной водой, удаляя нитрат калия. Полученные ультра- и наноразмерные порошки сегнетоэлектрического материала позволят уменьшить линейные размеры элементов микроэлектроники при сохранении их электрофизических характеристик. Кроме того, достигается снижение энергоемкости процесса получения сегнетоэлектрического материала за счет понижения температуры, сокращения времени синтеза, отсутствия дополнительных этапов промежуточного и финального помола. 1 ил., 1 табл.
ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ // 2569164
Тонкопленочный солнечный элемент содержит светопрозрачную подложку (1), на которую последовательно нанесены светопрозрачная электропроводящая пленка (2), p-слой (3) из микрокристаллического гидрогенизированного кремния в виде твердого раствора SixC1-x:H, где 0,7<х<0,95, с оптической шириной запрещенной зоны более 2 эВ, i-слой (4) из аморфного гидрогенизированного кремния, n-слой (5) из гидрогенизированного кремния и тыльный электропроводящий слой (6). i-слой (4) выполнен с уменьшающейся концентрацией водорода в направлении от p-слоя (3) к n-слою (5), так что оптическая ширина запрещенной зоны i-слоя (4) уменьшается от 1,9 эВ вблизи p-слоя (3) до 1,55 эВ вблизи n-слоя (5). Тонкопленочный солнечный элемент согласно изобретению имеет повышенную эффективность преобразования солнечного излучения. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.
СПОСОБ НАГРЕВА ЗАГОТОВКИ ПЬЕЗОЭЛЕМЕНТА // 2542055
Изобретение относится к электротехнике и электронике, а именно к технологии изготовления пьезоэлементов из электрофизической керамики. Способ нагрева заготовки пьезоэлемента включает размещение предварительно сформованной и обожженной заготовки пьезоэлемента из керамики в форме, изготовленной из диэлектрика с высоким значением тангенса угла диэлектрических потерь, и последующий нагрев размещенной в указанной форме заготовки пьезоэлемента в поле СВЧ. Согласно изобретению на заготовку пьезоэлемента воздействуют полем СВЧ мощностью от 700 до 750 Вт в течение 5-10 минут. Техническим результатом, достигаемым при реализации изобретения, является улучшение электрофизических параметров пьезоэлемента из керамики. 2 пр.
Изобретение относится к способу получения нанокомпозитного материала для термо- и хемостойких покрытий и планарных слоев с высокой диэлектрической проницаемостью
Изобретение относится к композициям на основе титаната висмута, предназначенным для получения сегнетоэлектрических материалов, и может быть использовано в микроэлектронике для усовершенствования перепрограммируемых запоминающих устройств, а также в акусто- и оптоэлектронике для модернизации радиотехнических конденсаторов, пьезоэлектрических преобразователей и фильтров, гидроакустических устройств, пироэлектрических приемников инфракрасного излучения
СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА С ОПТИЧЕСКИМ СЧИТЫВАНИЕМ ИНФОРМАЦИИ // 2338284
Изобретение относится к области электроники и может быть использовано при конструировании датчиков оптического излучения видимой области спектра и преобразователей солнечной энергии
