Патенты автора Попело Владимир Дмитриевич (RU)
СПОСОБ СКРЫТИЯ ОПТИКО-ЭЛЕКТРОННОГО СРЕДСТВА ВОЗДУШНОГО КОМПЛЕКСА ОПТИКО-ЭЛЕКТРОННОГО НАБЛЮДЕНИЯ // 2792921
Изобретение относится к области оптико-электронной техники. Способ скрытия оптико-электронного средства (ОЭС) воздушного комплекса оптико-электронного наблюдения (ВКОЭН) базируется на осуществлении наблюдения участков подстилающей поверхности ОЭС ВКОЭН путем полета беспилотного летательного аппарата (БПЛА) по заданной траектории, ведении на борту в плоскости БПЛА мониторинга рассеянного в бок излучения лазерного локационного средства (ЛЛС). При обнаружении рассеянного излучения ЛЛС измеряют пространственные параметры луча ЛЛС, определяют по измеренным пространственным параметрам луча ЛЛС и параметрам полета БПЛА координаты местоположения ЛЛС, изменяют траекторию полета БПЛА так, чтобы участок подстилающей поверхности местоположения ЛЛС наблюдался последним, при этом перед наблюдением участка подстилающей поверхности местоположения ЛЛС снижают эффективную площадь рассеивания бортового ОЭС ВКОЭН до уровня эффективной площади рассеивания корпуса БПЛА. 2 ил.
Изобретение относится к области оптико-электронной техники, системам оптико-электронного противодействия. Способ имитации пространственной последовательности отражающих поверхностей оптико-электронного средства (ОЭС) заключается в следующем. Устанавливают в секторе поиска ОЭС ложную оптическую цель (ЛОЦ). Включают в ЛОЦ N оптических уголковых отражателей (ОУО) тетраэдрического типа прямыми углами при вершине. При этом высота n-го ОУО больше высоты n+1-го ОУО на длину, обеспечивающую задержку лазерного локационного излучения (ЛЛИ), аналогичную задержке ЛЛИ между n-й и n+1-й отражающими поверхностями имитируемого ОЭС, где , а отражающие поверхности n-го и n+1-го ОУО имеют значения обобщенных коэффициентов отражения, равные значениям коэффициентов отражения соответствующих n-й и n+1-й отражающих поверхностей имитируемого ОЭС. Устанавливают N ОУО так, чтобы они имели общую прямую пространственных биссектрис трехгранных углов своих вершин, общую входную плоскость и параллельные тождественные ребра. Отражают ЛЛИ каждым ОУО ЛОЦ и имитируют пространственную последовательность отражающих поверхностей ОЭС. Технический результат - повышение эффективности ЛОЦ. 2 ил.
Изобретение относится к системам огневого поражения объектов управляемыми боеприпасами. Способ наведения самонаводящегося боеприпаса (СНБП) в условиях лазерного воздействия, дополнительно к известному способу, включает использование двух матричных фотоприемников (МФП) поражающего лазерного излучения (ПЛИ), включающих по одной линейке координатно-привязанных фоточувствительных элементов (ФЧЭ), размещенных перпендикулярно друг другу в плоскости, перпендикулярной оптической оси оптико-электронного координатора (ОЭК), на максимальном расстоянии от оптической оси ОЭК и на минимальном удалении от фокусной плоскости ОЭК, поля зрения ориентируются на оптическую ось ОЭК. Принимают МФП рассеянного вбок газовой средой ОЭК излучения источника ПЛИ и определяют координаты ФЧЭ МФП, сигнал на выходе которых превысил пороговое значение и параметры углового рассогласования направления полета СНБП и направления на источник ПЛИ. В случае неработоспособности фотоприемника осуществляют корректировку траектории полета СНБП на источник ПЛИ по значениям параметров углового рассогласования направления полета СНБП и направления на источник ПЛИ, полученным с использованием дополнительных МФП. Технический результат - повышение эффективности применения СНБП. 2 ил.
Изобретение к области оптической навигационной техники. Технический результат состоит в повышении защиты оптико-электронных средств от мощных лазерных комплексов. Для этого принимают оптические излучения ОЭС с использованием ложных оптических целей (ЛОЦ), определяют минимальную Lmin и максимальную Lmax дальности применения КЛВ по ОЭС, с использованием априорных данных о параметрах КЛВ, заданных параметрах ОЭС и текущих параметрах метеообстановки в районе применения КЛВ и ОЭС, вычисляют минимальные значений расстояний установки ЛОЦ RHП(Lmin) и RНП(Lmax) относительно ОЭС, за пределами которых поток падающего мощного лазерного излучения КЛВ не поразит ОЭС при наведении поражающего канала КЛВ на ЛОЦ на минимальной Lmin и максимальной Lmax дальностях применения КЛВ по ОЭС, и минимальных значений расстояний установки ЛОЦ RP(Lmin) и Rp(Lmax) относительно ОЭС, за пределами которых лазерный локатор КЛВ разрешает ОЭС и ЛОЦ как отдельные цели на минимальной Lmin и максимальной Lmax дальностях применения КЛВ по ОЭС. 3 ил.
СПОСОБ ОДНОПОЗИЦИОННОГО ИЗМЕРЕНИЯ КООРДИНАТ МЕСТОПОЛОЖЕНИЯ ИСТОЧНИКА ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ // 2784337
Использование: изобретение относится к области мониторинга (измерения) местоположений источников оптического излучения (ИОИ) и может быть использовано в системах обеспечения вхождения в связь, системах траекторных измерений, а также в системах координатометрии оптико-электронных средств различного базирования. Сущность: в способе однопозиционного измерения координат местоположения ИОИ применяют оптико-электронный координатор (ОЭК) с матричным фотоприемником (МФП), осуществляют координатную привязку фотоэлементов МФП ОЭК, прием излучения источника оптического излучения ОЭК с МФП, определение координат фотоэлементов ОЭК с МФП, сигналы на выходе которых превысили пороговое значение, дополнительно определяют координаты местоположения элементов построения оптической системы ОЭК с МФП, изменение координат местоположения элементов построения оптической системы ОЭК с МФП, повторно определяют координаты местоположения элементов построения оптической системы ОЭК с МФП, повторно принимают излучение ИОИ ОЭК с МФП и определяют координаты фотоэлементов ОЭК с МФП, сигналы на выходе которых превысили пороговое значение, вычисление по значениям, полученным при двух измерениях, координат фотоэлементов ОЭК с МФП, сигналы на выходе которых превысили пороговое значение, и координат местоположения элементов построения оптической системы ОЭК с МФП координат местоположения ИОИ. Технический результат: обеспечение однопозиционного определения координат ИОИ. 2 ил.
Изобретение относится к области оптико-электронного приборостроения и касается способа защиты оптико-электронных устройств от мощного лазерного комплекса (МЛК). Способ включает в себя прием оптических излучений оптико-электронным средством (ОЭС) матричного типа, измерение параметров лазерного локационного излучения (ЛЛИ) и пространственных параметров его изображения на фоточувствительной матрице ОЭС. По значениям параметров ЛЛИ распознают тип МЛК и определяют параметры его мощного лазерного излучения (МЛИ). По значениям параметров ЛЛИ МЛК, пространственных параметров его изображения на фоточувствительной матрице ОЭС, заданных параметров объектива оптико-электронного средства и параметров МЛИ определяют пространственные параметры изображения МЛИ на фоточувствительной матрице оптико-электронного средства. Защиту ОЭС от поражения осуществляют путем экранирования за время между моментом времени окончания облучения ЛЛИ и моментом времени облучения МЛИ участка перед фоточувствительной матрицей с пространственными параметрами, равными полученным пространственным параметрам изображения мощного лазерного излучения МЛК на фоточувствительной матрице ОЭС. Технический результат заключается в повышении эффективности защиты ОЭС от поражения оптическим излучением. 2 ил.
Изобретение относится к области оптико-электронной техники и может быть использовано в лазерных локационных системах, системах оптико-электронного противодействия, а также системах защиты оптико-электронных средств (ОЭС) от мощного лазерного излучения. Технический результат состоит в повышении эффективности формирования ЛОЦ. Для этого способ основан на установке в секторе поиска ОЭС ЛОЦ, параметры отражения оптического излучения которой близки к реальным параметрам ОЭС, введении в состав отражателя ЛОЦ термического вещества с порогом воспламенения, равным порогу воспламенения элемента из состава ОЭС с минимальным порогом воспламенения при воздействии лазерного излучения, поджоге термического вещества лазерным излучением при превышении порога воспламенения, измерении температуры отражателя ЛОЦ, замене при превышении значения температуры отражателя ЛОЦ с параметрами отражения, повторяющими реальные параметры отражения ОЭС, выше порогового значения отражателя ЛОЦ аналогичным отражателем путем выдачи сигнала приводу, который осуществляет замену отражателя с поджогом термического вещества на новый отражатель. 2 ил.
Изобретение относится к области определения местоположений источников оптического излучения и касается способа однопозиционного определения местоположения источника оптического излучения. Способ включает в себя координатную привязку фотоэлементов матричных фотоприемников двух оптико-электронных координаторов, прием излучения источника оптического излучения двумя оптико-электронными координаторами и определение координат фотоэлементов, сигналы на выходе которых превысили пороговое значение. Оптико-электронные координаторы с матричными фотоприемниками располагают на минимальном расстоянии друг от друга так, что их приемные плоскости находятся в одной плоскости. Координаты местоположения источника оптического излучения вычисляют по значениям координат фотоэлементов, сигналы на выходе которых превысили пороговое значение, значениям параметров оптической системы оптико-электронных координаторов и по параметрам взаимного положения центральных фотоэлементов оптико-электронных координаторов. Технический результат заключается в обеспечении возможности однопозиционного определения местоположения источника оптического излучения, упрощении способа и увеличении дальности обнаружения сигналов. 2 ил.
Изобретение относится к области оптико-электронной техники и касается способа скрытия оптико-электронных средств от лазерных локационных систем. Способ включает в себя измерение параметров принимаемого оптического излучения, различение по их значениям параметров спонтанного излучения передающего канала лазерного локационного средства, предшествующего основному, регистрацию момента времени приема спонтанного излучения tC и определение момента времени прихода tO основного излучения передающего канала лазерного локационного средства. По значениям параметров спонтанного излучения определяют N координат местоположения локальных зон отражения от основной отражающей поверхности оптико-электронного прибора. Из N координат локальных зон отражения выбирают координаты центральной локальной зоны и координаты М=2 периферийных соседних локальных зон. Координаты выбранных локальных зон отражения пересчитывают в координаты установки М+1 поглощающих экранов на входной апертуре оптико-электронного прибора, рассчитывают площадь экранов и устанавливают их за время Δt < tC - tO на входной апертуре оптико-электронного прибора. Технический результат заключается в повышении эффективности скрытия и уменьшении энергетических потерь полезного сигнала во время экранирования апертуры. 3 ил.
Изобретение относится к области защиты оптико-электронных средств (ОЭС) от мощных оптических излучений. Сущность изобретения: способ защиты ОЭС летательных аппаратов (ЛА) от воздействия мощного лазерного излучения заключается в обнаружении и измерении параметров сигналов локационного модуля (ЛЛМ) мощного лазерного средства (МЛС), определении по значениям параметров сигналов ЛЛМ МЛС и текущих значений координат местоположения ОЭС ЛА координат местоположения МЛС, определении по значениям измеренных параметров сигналов лазерного ЛЛМ МЛС класса МЛС и его типовых параметров сигналов силового лазерного модуля (СЛМ), вычислении с использованием значений типовых параметров сигналов СЛМ МЛС, значений измеренных координат местоположения МЛС, значений текущих координат местоположения ОЭС ЛА, значений заданных пространственных параметров формируемого локального аэрозольного образования (ЛАО), значений заданных параметров энергетического ослабления сигналов СЛМ МЛС формируемым ЛАО, значений заданного порогового уровня мощности оптических сигналов на входе ОЭС ЛА, при котором ОЭС ЛА сохраняет свою работоспособность, значений требуемых координат формирования ЛАО, формировании в требуемых координатах от момента времени обнаружения сигналов ЛЛМ МЛС за время ΔtЛАО ЛАО и защите ЛАО ОЭС ЛА от воздействия сигналов СЛМ МЛС, при этом ΔtЛАО<Δt, где Δt - время между моментами излучения сигналов ЛЛМ и СЛМ МЛС, выводе изменениями положения ЛА и ориентации поля зрения ОЭС ЛА из поля зрения ОЭС ЛАО и сохранении просмотра заданного участка подстилающей поверхности. Технический результат: повышение эффективности защиты ОЭС от поражения оптическим излучением. 2 ил.
СПОСОБ ЗАЩИТЫ ОПТИКО-ЭЛЕКТРОННОГО СРЕДСТВА ОТ ВОЗДЕЙСТВИЯ МОЩНОГО ИМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ // 2749872
Изобретение относится к области защиты оптико-электронных средств (ОЭС) от мощных оптических излучений. Способ основан на пропускании лазерных импульсов через защитный элемент со значением лучевой стойкости меньшим значения минимальной лучевой стойкости элементов ОЭС и защите ОЭС посредством разрушения защитного элемента ОЭС при воздействии последовательности лазерных импульсов. При этом определяют начальный момент времени tнЗЭ воздействия последовательности лазерных импульсов на защитный элемент и начальный момент времени tpЗЭ разрушения защитного элемента, вычисляют интервал времени Δt между tнЗЭ и tpЗЭ, как Δt=tpЗЭ-tнЗЭ, определяют после разрушения защитного элемента начальный момент времени tнУЭ последующего воздействия последовательности лазерных импульсов на элемент из состава ОЭС с минимальным значением лучевой стойкости и ограничивают длительность последовательности лазерных импульсов от момента времени tнУЭ до момента времени tнУЭ+Δt. Технический результат заключается в повышении эффективности защиты ОЭС от поражения лазерным излучением. 2 ил.
Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться для защиты оптико-электронных средств от мощных оптических излучений. Технический результат состоит в повышении качества защиты оптико-электронных средств. Для этого принимают оптические излучения оптико-электронным средством, осуществляют прием оптических излучений оптико-электронным средством через дополнительный объектив, установленный в плоскости размещения оптико-электронного средства на расстоянии от основного объектива оптико-электронного средства R≥Rmin, где Rmin - минимальное значение радиуса зоны относительно положения основного объектива оптико-электронного средства, за пределами которой поток падающего мощного лазерного излучения не поразит оптико-электронное средство на заданной дистанции непоражения, принимают через дополнительный объектив оптико-электронным средством локационное излучение мощного лазерного комплекса и измеряют его параметры, определяют по значениям параметров локационного излучения мощного лазерного комплекса момент времени облучения оптико-электронного средства мощным лазерным излучением мощного лазерного комплекса и в момент времени облучения оптико-электронного средства мощным лазерным излучением мощного лазерного комплекса принимают оптические излучения оптико-электронного средства через основной объектив. 2 ил.
Изобретение относится к области защиты оптико-электронных средств (ОЭС) и касается способа защиты ОЭС от мощного лазерного излучения. Способ заключается в приеме оптического излучения оптико-электронным средством и пропускании оптического излучения через защитный элемент, установленный перед элементом из состава оптико-электронного средства, имеющим минимальные значения лучевой стойкости и времени разрушения под воздействием оптического излучения. Защитный элемент имеет лучевую стойкость и время разрушения меньше соответствующих значений защищаемого элемента. Защитный элемент имеет спектральные параметры своего и отражаемого оптических излучений, сопровождающих процесс его разрушения под воздействием оптического излучения, идентичные соответствующим параметрам защищаемого элемента. Защита ОЭС от мощного лазерного излучения осуществляется за счет разрушения защитного элемента и имитации разрушения защищаемого элемента. Разрушенный защитный элемент заменяют новым защитным элементом. Технический результат заключается в повышении эффективности защиты ОЭС от поражения лазерным излучением. 2 ил.
Изобретение относится к теплофизическим измерениям и может быть использовано для определения комплекса теплофизических параметров изотропных материалов. Заявленный способ включает тепловое воздействие от инфракрасного источника нагрева по всей поверхности исследуемого изотропного объекта. Измерение тепловизионным приемником радиационной температуры производят во всех точках пространственной сетки зондируемой поверхности исследуемого изотропного объекта. Располагают тепловизионный приемник на заданном расстоянии d от оси геометрического центра исследуемого объекта и совершают тепловизионным приемником круговое движение с постоянной скоростью относительно геометрического центра объекта, либо тепловизионный приемник, размещают неподвижно на заданном расстоянии d от оси геометрического центра исследуемого объекта, осуществляя вращения с постоянной скоростью исследуемого изотропного объекта и фона относительно оси поворотной конструкции, на которой они расположены. Формируют набор термограмм круговых разверток радиационных инфракрасных изображений объекта и фона, полученных в разные моменты времени. Применяют разностную модель с использованием неявных схем. Определяют из минимума невязки искомые оцененные значения для каждой точки пространственного распределения теплофизических параметров исследуемого изотропного объекта. Технический результат - повышение точности получаемых данных. 5 ил.
Изобретение относится к теплофизическим измерениям и может быть использовано для определения комплекса теплофизических параметров изотропных материалов. Способ определения комплекса теплофизических параметров изотропных материалов включает тепловое воздействие от инфракрасного источника нагрева по всей поверхности исследуемого изотропного материала. Измерение тепловизионным приемником радиационной температуры производят во всех точках пространственной сетки поверхности исследуемого изотропного материала. Осуществляют непрерывный равномерный нагрев поверхности эталонного/исследуемого изотропного материала от перемещаемого инфракрасного источника нагрева. При этом с началом перемещения радиационную температуру измеряют на поверхности эталонного изотропного материала с известными теплофизическими параметрами в одной точке пространственной сетки поверхности эталонного изотропного материала, попадаемой в объектив тепловизионного приемника. После чего радиационную температуру измеряют на поверхности исследуемого изотропного материала во всех точках пространственной сетки поверхности исследуемого изотропного материала в процессе остывания. Применяют разностную модель с использованием неявных схем. Решают оптимизационную параметрическую задачу для исследуемого изотропного материала в каждой точке пространственного разрешения в соответствии с растром изображения. Определяют из минимума невязки искомые оцененные значения теплофизических параметров исследуемого изотропного материала. Технический результат - повышение точности получаемых данных. 7 ил.
Изобретение относится к области измерений характеристик светорассеяния объектов
