Патенты автора Митягин Александр Юрьевич (RU)

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в увеличении надежности при бесконтактном способе стирания информации. Способ стирания записанной информации с микросхемы с неоднородным полупроводниковым носителем информации с энергонезависимой памятью, основанный на ее облучении мультипликатором усиленных им переменных электромагнитных полей дросселя и конденсатора, за время воздействия этих полей не более 0,5 мс, в котором микросхему одновременно облучают электромагнитным полем, представляющим сумму трех переменных электромагнитных полей, для чего микросхему размещают в этом поле. Первое поле, создаваемое дросселем, частотой 500±50 кГц постоянной амплитуды синусоидального импульса, интенсивностью не менее 550 кА/м; второе поле между обкладками конденсатора, которые установлены в плоскостях разных торцов дросселя, и третье поле мультипликатора, которое образуется в результате повышения им в 2 раза значений напряженности электромагнитных полей дросселя и конденсатора. 2 н.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и может быть использовано при создании многоспектральных и многоэлементных фотоприемников. Гибридная фоточувствительная схема содержит алмазный матричный фотоприемник (МФП), индиевые столбики и кремниевый мультиплексор с чувствительными площадками, расположенными на нем в шахматном порядке в виде прямоугольной матрицы и по числу равными числу индиевых столбиков. В состав МФП входят алмазная пластина и расположенный на ней верхний плоский электрод, а также нижние электроды чувствительных элементов МФП, по числу равные числу индиевых столбиков, расположенных под алмазной пластиной. На нижней стороне алмазной пластины сформированы в шахматном порядке легированные бором площадки, верхние контактные поверхности четных или нечетных нижних электродов гальванически соединены с нижней поверхностью алмазной пластилины, а верхние контактные поверхности нечетных или четных нижних электродов гальванически соединены с площадками, легированными бором. Нижние контактные поверхности нижних электродов через индиевые столбики гальванически соединены с чувствительными элементами кремниевого мультиплексора. Изобретение обеспечивает расширение детектируемого диапазона излучения в 75 раз за счет одновременной регистрации изображения в УФ и ИК-спектре частот излучений. 3 ил.

Изобретение относится к области нанотехнологии и может быть использовано в интегральной СВЧ-электронике для радиотехнической аппаратуры наземного, воздушного, космического базирования. Технический результат - снижение потерь мощности СВЧ-сигнала и увеличение верхнего диапазона частот. Малогабаритный фазовращатель СВЧ-диапазона, включающий расположенную на диэлектрическом материале микрополосковую линию и размещенные между ее токовым и земляным проводниками сегнетоэлектрические конденсаторы на диэлектрической подложке, отличающийся тем, что диэлектрическим материалом является алмазная пластина, диэлектрическая подложка выполнена из монокристаллического оксида магния с кристаллической ориентацией (100), а в качестве сегнетоэлектрика используют пленку барий-стронций титаната состава Ba1-xSrxTiO3 толщиной 20±5 нм, где х=0,2±0,01. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Гибридная фоточувствительная схема содержит: алмазный матричный фотоприемник (МФП), индиевые столбики и кремниевый мультиплексор с чувствительными площадками. В состав МФП входят: верхний плоский электрод, на который подается напряжение смещения, алмазная пластина и нижние электроды чувствительных элементов алмазного МПФ, с которых снимается сигнал. Нижние электроды гальванически связаны через индиевые столбики с расположенными в виде прямоугольной матрицы с осями X и Y чувствительными элементами кремниевого мультиплексора. Число индиевых столбиков на каждой осей X и Y должно быть не менее двух. Кроме того, матрица алмазного фотоприемника по оси X и Y имеет в два раза шаг больше, чем матрица кремниевого мультиплексора, и нижние электроды чувствительных элементов алмазного МПФ расположены в шахматном порядке. Нижние электроды чувствительных элементов алмазного МПФ соединены гальванически индиевыми столбиками только с нечетными или четными чувствительными площадками кремниевого мультиплексора, поэтому, свободные чувствительные площадки кремниевого мультиплексора могут использоваться для регистрации видимого и ИК-излучений. Технический результат изобретения - расширение детектируемого диапазона излучения, за счет одновременной регистрации изображения в ультрафиолетовом, видимом и ИК спектре, увеличение срока службы ГФС за счет исключения попадания жесткого УФ излучения на мультиплексор. 4 ил.

Изобретение относится к области измерительной техники и твердотельной электроники и может быть использовано при создании миниатюрных датчиков магнитного поля для применения в магниточувствительных электронных микросистемах управления приводами, бесконтактных переключателях, дефектоскопии, при создании мобильных магнитолокаторов наземного воздушного и космического базирования и аппаратуры навигации

Изобретение относится к технике стирания записей с носителей на жестких магнитных дисках (НЖМД) и предназначено для стирания информации, записанной магнитным полем с вектором напряженности, перпендикулярным или параллельным плоскости магнитного диска

Изобретение относится к вычислительной технике приборостроения и может быть использовано для стирания записей с неоднородных полупроводниковых носителей информации, в частности устройств энергонезависимой памяти, флэш-памяти и т.п

Изобретение относится к технике стирания записи с магнитных носителей, в частности жестких и гибких дисков, магнитных лент и др

Изобретение относится к технике приборостроения и может быть использовано для стирания записей с неоднородных полупроводниковых носителей информации, в частности устройств энергонезависимой памяти, флэш-памяти и т.п

Изобретение относится к технике стирания записей с магнитных носителей, в частности жестких и гибких дисков, магнитооптических дисков, магнитных лент и др

 


Наверх