Патенты автора Мустафаев Гасан Абакарович (RU)
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления контактов. Способ изготовления полупроводниковых приборов включает процессы формирования активных областей полевого транзистора и контактов к ним. При этом согласно изобретению контакты формируют путем последовательного нанесения при температуре 250°С и давлении 2*10-5Па слоя германия толщиной 150 нм со скоростью осаждения 3 нм/с, слоя Ni толщиной 200 нм со скоростью осаждения 1 нм/с с последующим отжигом при температуре 300°С в течение 15 мин в атмосфере аргона. Изобретение позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надежность. 1 табл.
Способ формирования полевых транзисторов // 2791268
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с силицидом молибдена с пониженным значением контактного сопротивления. Способ изготовления полевых транзисторов включает процессы формирования активных областей полевого транзистора и электродов к ним, подзатворного диэлектрика и силицида, при этом силицид молибдена - МоSi2 формируют на подложках кремния р-типа проводимости с ориентацией (100), с удельным сопротивлением 10 Ом⋅см путем осаждения пленки молибдена Мо на пластине кремния при давлении 6,5⋅10-9 Па, температуре подложки 700°С, со скоростью роста 0,1 нм/с и последующим отжигом в форминг-газе при температуре 900°С в течение 60 мин. Изобретение обеспечивает возможность снижения контактного сопротивления, улучшение параметров приборов, повышение качества и технологичности и увеличение процента выхода годных. 1 табл.
Способ формирования полевых транзисторов // 2787299
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления оксинитрида кремния, устойчивого к дефектообразованию и воздействию горячих носителей. Способ изготовления полевых транзисторов включает формирование азотированного оксидного слоя, активных областей полевого транзистора и электродов к ним, согласно изобретению формируют азотированный оксидный слой - оксинитрид кремния путем создания слоя пористого кремния толщиной 280-300 нм, пористостью 74% анодным окислением в электрохимической ячейке с 5 вес. % HF, плотностью тока 0,5 мА/см2, с последующим азотированием пластин при 1000°С в среде аммиака в течение 1 ч и окисления в парах воды при 850°С в течение 30 мин. Изобретение обеспечивает снижение дефектности и повышение устойчивости к воздействию горячих носителей, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличения процента выхода годных. 1 табл.
Способ формирования силицида // 2786689
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов. Способ формирования силицида включает электронно-лучевое нанесение палладия толщиной 50 нм в вакууме на кремниевую подложку и отжиг, при этом согласно изобретению нанесение осуществляют испарением, которое проводят в вакууме при давлении 1·10-5 Па с последующим воздействием пучка ионов Ar энергией 200 кэВ под углом 7° дозой 3·1016 см-2 и плотностью тока ионного пучка 1,5 мкА/см2 при температуре 50°С со скоростью роста 0,3 нм/с, а отжиг осуществляют при температуре 200°С в вакууме 1·10-3 Па в течение 10 мин. Изобретение обеспечивает возможность снижения сопротивления контакта прибора, улучшение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов. Способ состоит в следующем: на кремниевых пластинах после создания тонкого затворного оксида по стандартной технологии поверх нее над канальной областью формируют слой нитрида кремния Si3N4 толщиной 40-80 нм при расходе газовой смеси SiH4-N2 35-40 см3/мин в реакторе, давлении газовой смеси 0,4 мм рт.ст., ВЧ-мощности 100 Вт, концентрации силана в смеси 1 мол.%, температуре подложки 400°С и скорости осаждения нитрида кремния Si3N4 0,3 нм/с. Нанесение слоя нитрида кремния поверх слоя оксида улучшает рабочие характеристики полупроводниковых приборов, т.к. при облучении в двухслойных системах SiO2-Si3N4 происходит уменьшение встроенного заряда за счет компенсации положительного заряда в диоксиде кремния отрицательным зарядом, накопленным в нитриде кремния, и повышается радиационная стойкость. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов. Согласно изобретению предложен способ формирования полупроводниковых приборов, включающий формирование на кремниевой пластине тонкого затворного оксида толщиной 13 нм термическим окислением при 1000°С в течение 40 мин в сухом О2 с добавкой 3% HCl, отжиг в аргоне 15 мин, нанесение поверх слоя оксида кремния над канальной областью слоя поликремния толщиной 300 нм пиролитическим разложением силана SiH4 при температуре 670°С в аргоне, после чего поликремний легируют ионами бора с дозой 1013 см-2 энергией 90 кэВ и полученную полупроводниковую структуру отжигают под действием сканирующего аргонного лазера мощностью 10-15 Вт. Изобретение обеспечивает снижение значений тока утечки, технологичность способа, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных приборов. 1 табл.
Способ изготовления нитрида кремния // 2769276
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления нитрида кремния с пониженным значением дефектности. Технология способа состоит в следующем: на полупроводниковой Si подложке формируют нитрид кремния путем пропускания газообразного азота N2 через смесь гидрозина N2H4 и силана SiH4 при температуре подложки 300°С, давлении газа 15 Па, давлении силана 10 Па, отношении парциальных давлений газообразных источников Pr(N2H4+N2)/Pr(SiH4)=8 и скорости осаждения нитрида кремния 1,5 нм/с, с последующим отжигом при температуре 400°С в атмосфере Аг в течение 30 мин. Активные области полупроводникового прибора и электроды к ним формировали по стандартной технологии. Технический результат: снижение дефектности, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления межсоединений с пониженным значением сопротивления.Технология способа состоит в следующем: методом электронно-лучевого испарения наносят нижний слой хрома толщиной 5-20 нм со скоростью осаждения 0,1 нм/с при давлении 10-9 мм рт.ст., затем наносят слой меди толщиной 450 нм со скоростью осаждения 0,5 нм/с, затем верхний слой хрома толщиной 5-30 нм со скоростью осаждения 0,1 нм/с с последующим отжигом при температуре 400°C в атмосфере Ar-Н2 в течение 30 мин. Активные области полупроводникового прибора и электроды к ним формировали по стандартной технологии. Изобретение обеспечивает снижение сопротивления, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
Способ изготовления контактов // 2772556
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления контактов с низким сопротивлением. Способ изготовления контактов включает нанесение на p-Si подложку пленки титана с последующей низкотемпературной обработкой при температуре 650°С в течение 30 с в потоке азота N2 и с последующей высокотемпературной обработкой, при этом согласно изобретению формируют контакт TiNxOy/TiSi на p-Si подложке нанесением пленки Ti толщиной 70 нм со скоростью 0,5 нм/с, при температуре подложки 450°С, давлении 10-5 Па, с последующей низкотемпературной обработкой в потоке азота N2 200 см3/мин, а последующую высокотемпературную обработку проводят при температуре 950-1050°С в течение 10 с в атмосфере аммиака NH3. Изобретение обеспечивает возможность улучшить надежность и повысить процент выхода годных приборов. 1 табл.
Способ формирования оксинитрида кремния // 2770173
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов. Способ формирования полевого транзистора согласно изобретению включает процессы создания защитного изолирующего слоя оксинитрида кремния на полупроводниковой подложке, активных областей полевого транзистора и электродов к ним, при этом слой оксинитрида кремния формируют бомбардировкой пластин кремния р-типа при комнатной температуре ионами азота N+2 и кислорода O+2 с общей дозой ионов 1.1017-1.1018 см-2, энергией 30 кэВ, при плотности тока ионного пучка 10-15 мкА/см2 с последующей термообработкой в вакууме сначала при температуре 550°С в течение 2 ч 15 мин, а затем при температуре 900°С в течение 15 мин. Изобретение обеспечивает повышение устойчивости приборов к воздействию горячих носителей за счет использования в качестве подзатворных изоляторов более устойчивого к дефектообразованию материала - оксинитрида кремния. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с пониженным значением тока подложки и повышенной стойкостью к воздействию горячих носителей. Способ состоит в следующем: формируют активные высоколегированные n+ области истока-стока с использованием слоев защитного SiО2 и Si3N4 в качестве маски, имплантацией ионов мышьяка As+ с энергией 60 кэВ, концентрацией легирующей примеси (1-2)⋅1020 см-3, а затем после удаления Si3N4 маски имплантацией ионов фосфора Р+ с энергией 30 кэВ, концентрацией легирующей примеси (1-3)⋅1015 см-3 формируют слаболегированные n- области истока-стока, расположенные между n+ областями истока и стока. Затем проводят лазерный отжиг с длиной волны излучения 1,06 мкм, длительность импульсов 50 нс, энергия импульсов 3-5 Дж/см2, в атмосфере азота, со скоростью сканирования 12,5 см/с, при температуре 150°С. Слои SiО2 и Si3N4 формировали по стандартной технологии. Создание слаболегированных n- областей стока уменьшает значение электрического поля в канале транзистора и значение тока подложки, соответственно, повышается стойкость к воздействию горячих носителей, т.к. ток подложки является индикатором эффективности генерации горячих носителей. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления мелкозалегающих переходов с пониженным значением токов утечек. Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния п-типа проводимости с удельным сопротивлением 4,5 Ом*см наносится слой Тi 110 нм, затем проводится термообработка при температуре 950°С в течение 35 с в атмосфере азота для образования силицида, потом проводят легирование слоя силицида ионами бора имплантацией с энергией 50 кэВ, дозой 7,5*1015 см-2 и термообработку при температуре 900°С в течение 20 с, в атмосфере азота. При термообработке происходит диффузия примесей из легированного слоя силицида, в результате образуется переход глубиной 80 нм. Технический результат заключается в снижении токов утечек, обеспечении технологичности, улучшении параметров приборов, повышении качества и увеличении процента выхода годных. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления контактов из силицида вольфрама с пониженным значением контактного сопротивления. Способ реализуется следующим образом: на пластинах кремния р-типа проводимости с ориентацией (100), удельным сопротивлением 10 Ом⋅см, после формирования областей стока/истока и осаждения слоя подзатворного диэлектрика полевого транзистора формируется пленка силицида вольфрама SiW2 электронно-лучевым испарением толщиной 150 нм из двух источников в вакууме 1⋅10-5 Па, со скоростью роста 0,5 нм/с для Si и 0,2 нм/с для W, с последующим отжигом сначала при температуре 625°С в течение 30 мин, а затем при температуре 1000°С в течение 20 с, в инертной среде. Активные области n-канального полевого транзистора и электроды к ним формировали по стандартной технологии. Технический результат заключается в снижении контактного сопротивления, обеспечении технологичности, улучшении параметров приборов, повышении качества и увеличении процента выхода годных. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления многослойных проводников с пониженным значением контактного сопротивления. Согласно изобретению многослойный контакт Au/Pd/Ni/Ge формируют путем последовательного осаждения пленки Ge толщиной 20 нм при давлении 1*10-5 Па, со скоростью осаждения 3 нм/с, пленки никеля Ni толщиной 15 нм при давлении 1*10-5 Па, со скоростью роста 1 нм/с, последующим осаждением слоя Pd толщиной 50 нм при давлении 1*10-5 Па, со скоростью осаждения 0,5 нм/с, и Au толщиной 100 нм, и термообработкой при температуре 450°С в течение 2,5 мин в атмосфере форминг газа. Изобретение обеспечивает снижение контактного сопротивления, улучшение параметров приборов и повышение технологичности. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления изолирующего слоя с пониженным значением тока утечки. Предложен способ изготовления полупроводникового прибора, включающий процессы формирования активных областей прибора, изолирующего слоя, отличающийся тем, что изолирующий слой формируют выращиванием слоя окисла на подложке InР р-типа проводимости с уровнем легирования 8*1017 см-3 путем реактивного распыления пластины InР n-тип 0,002 Ом*см при давлении 3-10-5 Па и напуском кислорода О2 давлением 13 Па, при плотности тока на катоде 0,5 мА/см2, плотности магнитного потока 0,015 Тл, температуре подложки 70°С осаждением со скоростью 2,5 нм/мин, с последующим отжигом при температуре подложки 250°С в атмосфере азота N2 в течение 35 мин. Технический результат заключается в снижении токов утечек, обеспечении технологичности, улучшении параметров приборов, повышении качества и увеличении процента выхода годных. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления структур с низкой дефектностью. Способ реализуется следующим образом: на пластинах кремния с ориентацией (100), (111) формируют гетероструктуру GeSi нанесением германия на кремний при давлении 2*10-5 Па, толщиной аморфного слоя пленки 150 нм, со скоростью осаждения 3 нм/с с последующим воздействием единичного импульса электронного луча с энергией электронов 25 кэВ и последующим электроннолучевым отжигом при 0,8 Дж/см2 в атмосфере водорода в течение 12 минут при температуре 325°С. Активные области полупроводникового прибора и контакты к этим областям формировали по стандартной технологии. Технический результат: снижение плотности дефектов, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления диоксида кремния с пониженными значениями токов утечек. Предложен способ изготовления полупроводникового прибора, включающий процессы формирования активных областей прибора, затворного оксида на полупроводниковой подложке, отличающееся тем, что формирование затворного оксида проводят осаждением пленки SiO2 из плазмы при отношении концентрации N2O/SiH4, равным 11, и скорости потока газа 3 дм3/мин, при скорости осаждения пленок SiO2 0,5 нм/с, и температуре 200°С, и ВЧ-мощности 20 Вт, с последующим отжигом при температуре 300°С в течение 60 мин. Технический результат заключается в снижении тока утечки, обеспечении технологичности, улучшении параметров структур, повышении качества и увеличении процента выхода годных. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов с пониженным значением токов утечек. Способ изготовления тонкопленочного транзистора включает формирование аморфного кремния a-Si осаждением со скоростью 0,5 нм/с в индукционно-плазменном реакторе из смеси РН3-SiH4, при частоте 13,55 МГц, напряжении 250 В, температуре подложки 300°С, давлении газа 6,6 Па, скорости потока смеси 5 см3/мин и отношении концентраций PH3/SiH4=10-6-10-3. Изобретение позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надежность.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов. Технология способа состоит в следующем: на кремниевой подложке 10 Ом*см (100), р-типа проводимости после обработки излучением галогенных ламп в Н2 при температуре 1000°С в течение 10 с формируют пленку оксидного слоя. Окисление проводили в среде сухого кислорода О2 при температуре 1100-1150°С в течение 20 с со скоростями нагрева и охлаждения 50°С/мин до толщины 20 нм при росте пленки оксидного слоя 1 нм/с. Изобретение обеспечивает возможность снижения токов утечки, обеспечения технологичности, улучшения параметров приборов, повышения качества и увеличения процента выхода годных.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления биполярного транзистора с повышенным коэффициентом усиления. Способ изготовления полупроводникового прибора включает формирование на кремниевой подложке эпитаксиального слоя, областей коллектора, базы и эмиттера, при этом область эмиттера формируют ионным внедрением мышьяка с энергией 50 кэВ, дозой 1*1015-1*1016 см-2, с последующим лазерным отжигом с длиной волны излучения 1,06 мкм, длительность импульсов 50 нс, энергией импульсов 3-5 Дж/см2, в атмосфере азота, со скоростью сканирования 12,5 см/с, при температуре 150°С. Изобретение позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надёжность. 1 табл.
Способ изготовления силицида титана // 2751983
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления силицида титана с пониженным значением контактного сопротивления. Способ изготовления полупроводниковых приборов включает процессы формирования активных областей полевого транзистора и электроды к ним, подзатворого диэлектрика и силицида титана, при этом согласно изобретению на подложках кремния р-типа проводимости с ориентацией (100), с удельным сопротивлением 10 Ом*см формируют силицид титана путем осаждения пленки титана Тi толщиной 75 нм при давлении 3*10-6Па, температуре подложки 60°С, со скоростью роста 1 нм/с и последующей обработкой структур ионами Si с энергией 85 кэВ дозой 1*1015-1*1016 см-2, с низкотемпературным отжигом при температуре 650°С в течение 30 с в атмосфере азота N2 и с проведением высокотемпературного отжига при температуре 1050°С в течение 20 с в атмосфере азота N2. Изобретение обеспечивает снижение контактного сопротивления, увеличение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличения процента выхода годных.
Способ увеличения адгезии // 2751805
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии увеличения адгезии к полупроводниковой структуре. Техническим результатом является увеличение адгезии, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. Технология способа состоит в следующем в процессе производства полупроводниковых приборов после формирования активных областей, диоксида кремния и нанесения металлизации полупроводниковую структуру обрабатывают лазером с плотностью энергии в импульсе 2-5Дж/см2 с последующим отжигом при температуре 1000°С в атмосфере азота в течение 7 мин.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочного транзистора с пониженным значением токов утечек. Способ изготовления тонкопленочного транзистора включает процессы формирования областей стока, истока, затвора, подзатворного оксида, пленки аморфного кремния на стеклянной подложке. Согласно изобретению пленку аморфного кремния a-Si:H формируют осаждением в ВЧ разряде с разложением в тлеющем разряде дисилана, растворенного в гелии при соотношении He/Si2H6=9/1, на стеклянную подложку при давлении газа 130 Па, ВЧ мощности 8 Вт, на частоте 13,56 МГц и температуре подложки 280°С, со скоростью потока газа 200 см3/мин и скоростью осаждения пленки 1,2 нм/с. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления подзатворного диэлектрика полевого транзистора с пониженным значением тока утечки. Способ изготовления полупроводникового прибора включает процессы формирования активных областей полевого транзистора, электродов к ним и подзатворного диэлектрика, при этом согласно изобретению подзатворный диэлектрик формируют на основе оксида эрбия методом электронно-лучевого испарения в вакууме 1*10-6 Па со скоростью осаждения 0,1 нм/с, толщиной 25 нм с последующим окислением при температуре 600-700°С и отжигом в атмосфере 60% N2 - 40% Н2 в течение 20 мин. Изобретение позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надежность. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов. Способ формирования активных областей полевых транзисторов включает формирование активных областей полевого транзистора на кремниевой подложке n-типа проводимости с удельным сопротивлением 4,5 Ом*см. На подложку наносят слой титана Ti толщиной 110 нм и проводят термообработку при температуре 950°C в течение 70 с в атмосфере азота N2, затем выращивают пленку пиролитического окисла толщиной 150 нм и проводят ионную имплантацию бора с энергией 50 кэВ, дозой 7,5*1015 см-2 и с последующей термообработкой при температуре 900°C в течение 20 с в атмосфере азота N2. Изобретение обеспечивает снижение токов утечек, технологичность, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. 1 табл.
Способ формирования оксинитрида кремния // 2747421
Способ формирования пленки оксинитрида кремния толщиной 50 нм на подложке кремния при температуре 380°С, давлении 133 Па, при потоке SiН4 – 390 см3/мин, N2О - 1300 см3/мин и NН3 -1200 см3/мин, с последующей термообработкой при температуре 850°С в течение 10 мин позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надёжность.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления приборов с пониженным контактным сопротивлением. Сущность: на пластинах GaAs после создания активных областей полупроводникового прибора формировали контакты Pd/Ni/Ge последовательным нанесением в вакууме при давлении 10-5 Па слоя германия (Ge) толщиной 20 нм со скоростью осаждения 3 нм/с, слоя никеля (Ni) толщиной 15 нм со скоростью осаждения 1 нм/с, слоя палладия (Pd) толщиной 50 нм со скоростью осаждения 0,5 нм/с при температуре подложки 100°С с последующей термообработкой при температуре 450°С в форминг-газе в течение 2 мин. Затем наносили Au, по стандартной технологии, толщиной 100 нм и проводили отжиг при температуре 400°С в течение 30 с в атмосфере водорода. Технический результат заключается в снижении сопротивления контакта, обеспечении технологичности, улучшении параметров приборов, повышении качества и увеличении процента выхода годных. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления конденсаторов с пониженными токами утечки. Сущность: способ изготовления полупроводникового прибора заключается в формировании двухслойного диэлектрика титаната бария BaTiO3 магнетронным ВЧ-распылением, при давлении кислорода 13,3⋅10-4 Па, ВЧ-мощности 5 Вт⋅см-2 и скорости осаждения 0,3 нм/с: нижний слой - поликристаллический толщиной 300 нм, при температуре подложки 600°С, верхний слой - аморфный толщиной 20 нм, при температуре подложки 450°С. Технический результат заключается в повышении процента выхода годных приборов и улучшении их надежности. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов. Способ осуществляется следующим образом: на пластины р-Si (10 Ом*см) с ориентацией (100), наносят слой кремния n-типа проводимости толщиной 80 нм и последовательно формируют 2-слойную структуру (SiO2+Si3N4), SiO2 толщиной 38 нм, нитрид кремния Si3N4 толщиной 24 нм, по стандартной технологии. Сформированную структуру подвергают бомбардировке электронами энергией 25 кэВ, дозой (1,6-3,2)*10-5 Кл/см2 с последующим отжигом путем высокочастотного нагрева (13,56 МГц) при мощности ВЧ-генератора 500 Вт в течение 7,5 мин, давлении 10-2 мм рт.ст. Изобретение обеспечивает снижение токов утечек в полупроводниковых структурах, а также обеспечивает технологичность, улучшение параметров структур, повышение качества и увеличение процента выхода годных. 1 табл.
Использование: для изготовления полевого транзистора с пониженным значением токов утечек. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления полупроводникового прибора включает формирование на пластинах кремния p-типа тонкого слоя оксида и слоя поликремния, при этом поликремний формируют со скоростью осаждения 8,5 нм/с при скорости потока газа-носителя аргона 2,7 см/с и скорости потока силана SiN4 1,0% от скорости потока газа-носителя при температуре подложки 800°С и последующей имплантацией ионами азота с энергией 12,5 кэВ и дозой 1*1017см-2 при температуре подложки 100°С и проведением отжига в атмосфере водорода в течение 15 минут при температуре 350°С. Технический результат: обеспечение возможности снижения токов утечек, обеспечение технологичности, улучшения параметров приборов, повышения качества и увеличения процента выхода годных. 1 табл.
Способ изготовления силицида никеля // 2734095
Использование: для создания силицида никеля. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления силицида никеля содержит осаждение пленки никеля Ni толщиной 30-50 нм в вакууме 3*10-6Па со скоростью роста 2 нм/с и последующей обработкой структур ионами ксенона Хе при температуре 175°С с энергией 300 кэВ, дозой 1*1015 см-2 и отжигом при температуре 240°С в течение 20 мин в атмосфере. Технический результат: обеспечение возможности снижения контактного сопротивления, обеспечения технологичности, улучшения параметров приборов. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления кремниевого биполярного n-p-n-транзистора с пониженными токами утечки. Способ изготовления полупроводникового прибора путем ионного внедрения бора в нелегированный поликристаллический кремний с энергией (25-30) кэВ, дозой 4*1014-3*1015 см-2, с последующей термообработкой в атмосфере азота в два этапа: сначала при температуре 950°С в течение 50 мин, затем при температуре 1100°С в течение 120 мин, с последующим отжигом в течение 3 мин в атмосфере водорода при температуре 850°С. Техническим результатом изобретения является снижение токов утечек, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, увеличение процента выхода годных. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии изготовления полупроводниковой структуры, в частности к технологии изготовления эпитаксиальной пленки кремния с низкой дефектностью. Предложенный способ изготовления полупроводниковых структур путем формирования пленки кремния на кремниевой подложке со скоростью роста 20 нм/мин, при температуре 750°С, давлении 1,33⋅10-5 Па, при скорости подачи силана 14,3 см3/мин с последующей термообработкой при температуре 1100°С в течение 15 с в среде аргона позволяет повысить процент выхода годных структур и улучшит их надежность. 1 табл.
Способ изготовления сверхмелких переходов // 2733924
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления переходов с пониженными токами утечки. Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния с ориентацией (100), по стандартной технологии выращивают слой термического окисла 200 нм, формируют контакты, а после отжига при температуре 300°С в течение 9 минут проводят имплантацию ионов Ga с энергией 15 кэВ, дозой 4*1013-3*1015 см-2, при токе 300 нА. Затем структуру подвергают отжигу при температуре 700°С в течение 30 с в атмосфере азота. Технический результат: обеспечение возможности снижения токов утечек, повышения качества и параметров приборов, увеличения процента выхода годных. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления приборов со слоем карбида кремния с пониженными токами утечки. В способе изготовления полупроводникового прибора на пластинах кремния после формирования областей стока/истока и осаждения слоя карбида кремния и сегнетоэлектрического материала структуру подвергают облучению электронами с энергией 6 МэВ, дозой 2⋅1018-3⋅1018 см-2, с последующей термообработкой в атмосфере водорода при температуре 970°С в течение 30 мин. Изобретение обеспечивает снижение токов утечек, улучшение параметров структур, повышение качества и выхода годных. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженными значениями токов утечек. Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем формирования слоя подзатворного окисла со скоростью осаждения 1,2 нм/с при температуре 900°С в смеси силана и двуокиси углерода в соотношении 1:100 в потоке водорода 24 л/мин, с последующей термообработкой при температуре 830°С в течение 5 мин в инертной среде, позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надежность. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженной плотностью дефектов. В способе изготовления полупроводникового прибора на GaAs подложке формируют слой нитрида алюминия AIN толщиной 55 нм, затем проводят имплантацию ионов кремния с энергией 60 кэВ, дозой (3-5)*1012 см-2. Температура в процессе имплантации не превышает 50°С. Полученные структуры отжигают при температуре 850°С в течение 15 мин в инертной среде. В последующем формируют активные области полевого транзистора и электроды к ним по стандартной технологии. Изобретение обеспечивает снижение плотности дефектов, повышение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и выхода годных. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления затворного оксида полевого транзистора с пониженными токами утечки. Сущность: на пластинах кремния n-типа проводимости с удельным сопротивлением 4,5 Ом⋅см выращивался слой термического слоя оксида 22 нм окислением в сухом кислороде при 1000°С. Далее проводили процесс азотирования затворного оксида в атмосфере аммиака NH3 в течение 15 минут при 1100°С и его оксидирование в атмосфере сухого кислорода О2 в течение 30 минут при 1100°С, затем проводили термообработку при температуре 600°С в течение 35 с в среде аргона. Области полевого транзистора и контакты к этим областям формировали по стандартной технологии. Технический результат заключается в снижении токов утечки, обеспечении технологичности, улучшении параметров приборов, повышении качества и увеличении процента выхода годных. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с повышенным значением крутизны характеристики. Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния р-типа проводимости с удельным сопротивлением 10 Ом*см, ориентацией (100) пленка титаната висмута наносится методом ВЧ распыления. Распыление проводят в газовой смеси аргон-кислород при давлении 6*10-3 мм рт.ст. и температуре 675°С с последующей термообработкой при температуре 600°С в течение 35 с в среде аргона. Затем формируют области полевого транзистора и контакты к этим областям по стандартной технологии. Изобретение обеспечивает улучшение параметров приборов, повышение качества и процента выхода годных.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления биполярного транзистора с высоким напряжением пробоя. Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния р-типа проводимости формируют скрытый n+ слой по стандартной технологии, затем последовательно наращивают эпитаксиальный слой р-типа проводимости толщиной 3,5 мкм с концентрацией легирующей примеси бора 1,0*1015 см-3, который служит продолжением подложки, затем формируют эпитаксиальный слой n-- типа проводимости толщиной 7,1 мкм с концентрацией легирующей примеси фосфора 1,0*1015 см-3 и верхний эпитаксиальный слой n- типа проводимости толщиной 4,4 мкм с концентрацией легирующей примеси фосфора 2,3*1015 см-3. Формирование пленки кремния на кремниевой подложке проводили со скоростью роста 20 нм/мин при температуре 750°С, давлении 1,33*10-5 Па и скорости подачи силана 14,3 см3/мин. Активные области транзистора и электроды к ним формировали по стандартной технологии. Изобретение обеспечивает повышение значений напряжения пробоя приборов, улучшение параметров и качества приборов, увеличение выхода годных. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора. Согласно изобретению способ изготовления полупроводникового прибора реализуется следующим образом: на подложках кремния р-типа проводимости формируют инверсный карман имплантацией ионов фосфора с энергией 150 кэВ, дозой 2,0*1013 см-2, с разгонкой в окислительной среде в течение 15 мин при температуре 1150°С и образованием слоя диоксида кремния, затем в инертной среде - 45 мин и имплантацией бора через слой диоксида кремния с энергией 150 кэВ, дозой 1,5*1013 см-2, с последующей разгонкой при температуре 1150°С в инертной среде в течении 90 мин. Затем формируют активные области n-канального полевого транзистора и электроды к ним по стандартной технологии. Изобретение обеспечивает снижение токов утечеки и предотвращение «тиристорного эффекта», а также повышение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличения процента выхода годных. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с низкой плотностью дефектов. Технология способа состоит в следующем: на сапфировой подложке формируют слой нитрида алюминия толщиной 30-50 нм методом реактивного ионно-плазменного распыления с использованием мишени из алюминия в плазме особо чистого азота без добавления аргона, при давлении (3-5)10-3 мм рт.ст. и температуре подложки 200-250°С. Затем пиролитически осаждают слой кремния со скоростью роста пленки 15 нм/с при температуре 1000-1150°С при расходе водорода и силана соответственно 15 л/мин и 50 мл/мин. Изобретение обеспечивает снижение плотности дефектов, повышение технологичности, улучшение параметров структур, повышение качества и увеличение процента выхода годных. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления контактно-барьерной металлизации прибора. Технология способа состоит в следующем: на кремниевую подложку р-типа проводимости, ориентации (100), удельным сопротивлением 10 Ом*см с изолирующим слоем оксида кремния толщиной 0,35 мкм формируют последовательным нанесением пленки Со толщиной 25 нм методом термического испарения в вакууме 2*10-3 Па со скоростью осаждения 1 нм/с с последующим двухступенчатым отжигом: в начале при температуре 450°С в течение 30 мин в среде водорода, с образованием CoSi2, затем при температуре 910°С в течение 10 мин в среде аргона Ar. Поверх силицида CoSi2 формируют методом реактивного распыления барьерный слой TiN толщиной 35 нм в атмосфере (Ar+N2) и пленку Al (0,5% Cu) толщиной 0,8 мкм. В последующем проводят термообработку при температуре 300°С в течение 30 мин в среде водорода. Способ обеспечивает снижение значений токов утечек, улучшение параметров приборов, повышение технологичности и увеличение процента выхода годных. 1 табл.
Способ формирования гетероструктуры // 2698538
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления гетероструктур с низкой плотностью дефектов. Предложенный способ формирования гетероструктуры InAs на подложках GaAs путем подачи триэтилиндия и арсина при температуре подложки 600°С со скоростью потока арсина 15 мл/мин, со скоростью потока водорода через барботер и триэтилиндия 2,5 л/мин при скорости роста пленки 1 нм/с с последующим отжигом в течение 60 с в потоке азота при температуре 700°С позволяет повысит процент выхода годных структур и улучшит их надежность.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления преобразователя солнечной энергии. Способ изготовления полупроводникового прибора со структурой с р, i, n слоями, включающий процессы легирования, при этом формирование i-слоя в p-i-n структуре осуществляют в три этапа: первый этап - осаждением пленок Si:H со скоростью 0,3 нм/с, при ВЧ мощности 8 Вт, со скоростью потока SiH4 20 см3/с и давлении 27 Па; второй этап - осаждением пленок Si:H со скоростью 0,6 нм/с, при ВЧ мощности 15 Вт, со скоростью потока SiH4 50 см3/с и давлении 45 Па, третий этап - осаждением пленок Si:H со скоростью 1,0 нм/с, при ВЧ мощности 28 Вт, со скоростью потока SiH4 80 см3/с и давлении 65 Па, с последующим легированием i-слоя бором до 0,05×10-4% при соотношении (B2H6/SiH4) 10-4% в газовой смеси. Изобретение обеспечивает повышение КПД, технологичность, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов с низким значением тока утечки. Технология способа состоит в следующем: гидрогенизированный аморфный кремний формировали обработкой кристаллического кремния потоком ионов кремния дозой 1*1016 см-2 с энергией 250 кэВ при температуре 40°С. Водород вводили имплантацией после аморфизации с энергией 20 кэВ и дозой 5*1015 см-2. Предложенный способ изготовления тонкопленочного транзистора позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надежность. Также способ обеспечивает снижение токов утечек, улучшение параметров структур, повышение технологичности и качества. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления защитной изолирующей пленки. Изобретение обеспечивает снижение значения токов утечек, повышение технологичности и качества, улучшение параметров приборов и увеличение процента выхода годных. В способе изготовления полупроводникового прибора на пластинах кремния р-типа проводимости ориентации (100) формируют активные области прибора и разводку межсоединений для данного прибора по стандартной технологии. После чего наносят на подложку и систему межсоединений пленку арсенид силикатного стекла. Пленку арсенид силикатного стекла формируют толщиной 350 нм со скоростью осаждения 2,2 нм/с, окислением SiH4 и AsH3 при температуре 500°С, подавая в реактор 1% SiH4 в потоке аргона 380 см3/мин, 1% AsH3 в потоке аргона 50 см3/мин и кислород 80-90 см3/мин, с последующим отжигом при температуре 600°С в течение 50 с. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с повышенным значением напряжения пробоя изолирующих областей. Изобретение обеспечивает повышение значений напряжения пробоя изолирующих областей, повышение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. В способе изготовления полупроводникового прибора на подложке кремния n-типа проводимости формируют карман р-типа путем имплантации ионов магния с энергией 150 кэВ, дозой 1*1014 см-2, с последующей термообработкой при температуре 700-750°С в течение 5-15 мин в атмосфере водорода. Затем формируют структуру прибора, электроды стока, истока и затвора по стандартной технологии. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии формирования силицидных слоев с низким сопротивлением. Изобретение обеспечивает снижение сопротивления, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. Способ изготовления полупроводникового прибора осуществляют путем формирования силицида ионной бомбардировкой ионов аргона с дозой 4*1015 см-2, энергией 300 кэВ в кремниевую подложку через пленку никеля толщиной 40-45 нм на ее поверхности, полученную в процессе напыления при давлении 9*10-5Па, со скоростью осаждения 1 нм/с, с последующим отжигом в течение 3 мин в потоке азота при температуре 350°С. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления затворного слоя оксида кремния с низкой плотностью дефектов. Слой затворного оксида кремния формируют с применением пиролиза силана в присутствии двуокиси углерода в соотношении (1:100) в потоке водорода 24 л/мин, со скоростью роста 3-5 нм/с, при температуре 1100°С, с последующим отжигом в течение 3 мин в потоке азота при температуре 570°С. Технический результат: снижение плотности дефектов, обеспечение технологичности, улучшение параметров структур, повышение качества и увеличения процента выхода годных.
