Патенты автора Тихонов Роберт Дмитриевич (RU)

Изобретение относится к области гальванотехники, в частности к осаждению сплава пермаллоя Ni81Fe19 для получения магнитомягкого материала элементов интегральных микросистем, концентрирующих или экранирующих магнитное поле. Способ включает осаждение из хлоридного электролита, содержащего атомы никеля и железа с конгруэнтным составу сплава соотношением концентраций Ni/Fe=4,26, в гальванической ванне с вертикальным расположением электродов при постоянном токе и перемешивании электролита с осаждением пленки в локальных областях катода, ограниченных фоторезистивной маской на окисленной кремниевой пластине, поверхность которой металлизирована никелем с подслоем нихрома и контактирует на краю пластины с отрицательным электродом, причем анодом служит пластина графита, при этом электролит содержит, моль/л: NiCl2 0,0016±5%, FeCl2 0,00037±5%, Н3ВO3 0,404±20%, C7H5NO3S 0,0146±50%, NH4OH 0,0047±50%, а электрохимическое осаждение проводят при температуре электролита 22±3°С, рН=6,0±0,5 и плотности тока 4±1,0 мА/см2. Техническим результатом является получение пленок пермаллоя при комнатной температуре толщиной порядка 1-20 мкм при малом механическом напряжении в пленке на кремниевых подложках и высоких магнитных свойствах. 6 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано для получения магнитомягкого материала элементов интегральных микросистем, концентрирующих или экранирующих магнитное поле. Способ включает осаждение пленки в гальванической ванне при плотности тока 20±1,0 мА/см2, температуре 60-70°С при перемешивании электролита, содержащего хлорид никеля NiCl2⋅6H2O и хлорид железа FeCl2⋅4H2O, обеспечивающие отношение концентраций атомов никеля и железа NNi/NFe = 4,26, борной кислоты Н3ВО3 - 30 г/л, разрыхлителя сахарина C7H5NO3S - 5 г/л, соляной кислоты HCl (30%) для получения рН 1,7±10%, осаждение проводят в локальных областях, ограниченных фоторезистивной маской на окисленной кремниевой пластине, металлизированной никелем с подслоем нихрома, при этом металлизированный слой контактирует с никелевым электродом катода на краю пластины, при этом электролит при приготовлении очищают от трехвалентного железа за счет фильтрации оксида трехвалентного железа, а для компенсации удаленного хлорида железа и повышенной скорости осаждения никеля в электролит вносят добавку очищенного хлорида двухвалентного железа для получения состава пленки Ni81Fe19, а при осаждении пленок анодом служит углеродная пластина. Технический результат: повышение воспроизводимости точного состава пленок пермаллоя и улучшение их магнитных свойств. 4 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Технический результат состоит в повышении чувствительности в микроминиатюрном исполнении. Пленочный концентратор магнитного поля сформирован на подложке с магниточувствительным элементом, покрытым диэлектрическим слоем, в виде частично пересекающихся двух колец переменной ширины с зазором, около элемента, чувствительного к магнитному полю. Плоская структура концентраторов позволяет минимизировать расстояние от проводника с током и использовать сильное магнитное поле вблизи проводника с током, а индукция магнитного поля вблизи проводника с током усиливается в области расположения магниточувствительных элементов за счет изменения ширины колец и сложения магнитных потоков от двух колец. 4 ил.

Использование: для создания полупроводниковых приборов, обладающих чувствительностью к воздействию магнитного поля. Сущность изобретения заключается в том, что пленочная система формирования магнитного поля содержит подложку, диэлектрический слой, магниточувствительный элемент, пленочные концентраторы магнитного поля, расположенные с двух сторон от элемента, чувствительного к магнитному полю, пленочный магнитный экран, где пленочные концентраторы состоят из 2 или 10 областей, разделенных немагнитным зазором, а над элементом, чувствительным к магнитному полю, между концентраторами параллельно плоскости подложки расположен пленочный магнитный экран над чувствительной областью магниточувствительного элемента. Технический результат - обеспечение возможности создания датчиков магнитного поля с линейным преобразованием магнитной индукции в электрический сигнал в широком диапазоне изменения магнитного поля. 4 ил.

Изобретение относится к области гальванотехники, в частности к осаждению сплава пермаллоя Ni81Fe19 для получения магнитомягкого материала элементов интегральных микросистем, концентрирующих или экранирующих магнитное поле. Способ включает электрохимическое осаждение пленок пермаллоя в гальванической ванне с вертикальным расположением электродов на постоянном токе при перемешивании хлоридного электролита, который содержит атомы никеля и железа при соотношении концентраций NNi/NFe = 4,26, соответствующему составу сплава, добавку соляной кислоты вводят для получения pH=1,7 ± 10 % в электролит с температурой 60-70°С, а осаждение проводят при плотности тока 20 ± 1,0 мА/см2 в локальных областях, ограниченных фоторезистивной маской на окисленной кремниевой пластине, поверхность которой металлизирована никелем с подслоем нихрома, при этом катодом и анодом служат листы никелевой фольги и катод контактирует с металлизированным слоем на краю пластины. Технический результат: получение пленок пермаллоя толщиной порядка 10 мкм при снижении механических напряжений в пленке и улучшении магнитных свойств без высокотемпературного отжига. 4 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Магнитотранзистор с компенсацией коллекторного тока содержит кремниевую монокристаллическую подложку, диффузионный карман, область базы в кармане, области эмиттера, первого и второго измерительных коллекторов в базе, области контактов к базе, к диффузионному карману, к подложке. Магнитотранзистор отличается геометрией областей сильнолегированных контактов к базе и напряжением смещения на этих контактах, при котором на части областей коллекторов проходит втекающий ток от эмиттера, а на другой части вытекающий ток в сторону контакта к базе. Эти токи компенсируют ток коллекторов в исходном состоянии, что повышает отношение тока коллекторов в магнитном поле к току коллекторов без магнитного поля и таким образом повышает чувствительность по току коллекторов. Магнитотранзистор с компенсацией коллекторного тока в составе интегральных магнитных датчиков повышает чувствительность к магнитному полю, направленному перпендикулярно поверхности кристалла. 6 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Изобретение обеспечивает повышение чувствительности к магнитному полю, направленному параллельно поверхности кристалла. Трехколлекторный биполярный магнитотранзистор с ортогональными потоками носителей заряда содержит кремниевую монокристаллическую подложку, базовую область на поверхности подложки, имеющую малую концентрацию примеси, сильнолегированные области эмиттера, первый и второй измерительные коллекторы с глубиной меньше глубины базовой области и расположенные внутри базовой области, области сильнолегированных контактов к базе, диффузионный карман, который отделяет базовую область от подложки и является третьим коллектором, сильнолегированные контакты к карману и подложке. Контакты к карману соединены металлизацией с контактами к базе, контакты к подложке соединены металлизацией с контактами к эмиттеру, области эмиттера и коллекторов располагаются в области базы на расстоянии друг от друга, контакты к карману располагаются в кармане около границы p-n-перехода база-карман напротив измерительных коллекторов, эмиттер имеет одинаковую длину с измерительными коллекторами, сильнолегированные контакты к базе располагаются встык с торцами полоскового эмиттера с ортогональным направлением между эмиттером и контактом к базе относительно направления между эмиттером и измерительными коллекторами. 5 ил.

Изобретение относится к области приборостроения. Оно может быть использовано в датчиках перемещений в системах навигации, автоматического управления и стабилизации подвижных объектов. Технический результат заключается в уменьшении массогабаритных характеристик, а также увеличении разрешающей способности. Технический результат достигается благодаря тому, что микроэлектромеханический датчик микроперемещений с магнитным полем содержит консоль 1, сформированную в кремниевом кристалле 2 с образованием зазора 3, магниточувствительный элемент 4 и постоянный магнит 5. При этом поверхность кристалла 1 покрыта изолирующим слоем 6. На поверхности изолирующего слоя 6, по меньшей мере, на части консоли 1 и, по меньшей мере, на части поверхности кристалла 1, включая край зазора 3, противолежащий концу консоли 1, на изолирующем слое размещен магнитопровод 7 из пленки магнитомягкого материала. Постоянный магнит 5 размещен на магнитопроводе 7. Магниточувствительный элемент 4 размещен в области изменения магнитного поля, формируемого постоянным магнитом 5, при перемещении консоли 1. 2 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, к полупроводниковым приборам с биполярной структурой, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Техническим результатом изобретения является повышение чувствительности к магнитному полю, направленному параллельно поверхности кристалла. Трехколлекторный биполярный магнитотранзистор, содержащий кремниевую монокристаллическую подложку, диффузионный карман, область базы в кармане, области эмиттера, первого и второго измерительных коллекторов в базе, области контактов, отличается расположением областей эмиттера и коллекторов. Области эмиттера и коллекторов располагаются в области базы на расстоянии друг от друга вдоль границы pn-перехода база-карман с низкой скоростью поверхностной рекомбинации, контакты к карману располагаются в кармане около границы pn-перехода база-карман напротив коллекторов, контакты к базе располагаются между эмиттером и коллекторами, контакты к карману соединены металлизацией с контактами к базе. Разница токов коллекторов в магнитном поле соответствует измеряемой составляющей вектора магнитной индукции параллельной поверхности кристалла. 5 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой электронике

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, к полупроводниковым приборам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам - биполярным структурам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля

Изобретение относится к полупроводниковым приборам для преобразования воздействий радиационного излучения, преимущественно нейтронного, в электрический сигнал, измерение которого позволяет определить уровень радиации или набранную дозу облучения

Изобретение относится к полупроводниковым приборам для преобразования механических воздействий в электрический сигнал, измерение которого позволяет определить ускорение или силу воздействий

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам - биполярным структурам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля

Изобретение относится к полупроводниковым приборам для преобразования механических воздействий в электрический сигнал, измерение которого позволяет определить ускорение или силу ударов

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым биполярным приборам, предназначенным для выпрямления, усиления, переключения или генерирования электрических сигналов и имеющим структуру типа тиристора

Изобретение относится к технологии получения расплава безванновым способом из горных пород и отходов минераловатного производства и может быть использовано при изготовлении волокнистых утеплителей для гражданского и промышленного строительства

 


Наверх