Патенты автора Крамаренко Владимир Анатольевич (RU)
Устройство относится к области техники, связанной с получением искусственных монокристаллов при постоянной температуре, например, кристаллов KDP (дигидрофосфата калия), DKDP (дейтерофосфата калия), TGS (триглицинсульфата). Устройство для выращивания кристаллов из раствора при постоянной температуре содержит кристаллизатор с кристаллизационным стаканом 1, снабженным цилиндрической крышкой 2, на которой герметично установлен конденсатор 3 растворителя, а в крышке 2 со стороны конденсатора 3 выполнена кольцевая канавка 5, образующая полость для сбора растворителя, при этом полость кольцевой канавки 5 гидравлически связана с полостью кристаллизационного стакана 1 через первую линию 6, подключенную к входу регулируемого перистальтического насоса-дозатора 7, нагнетательная сторона которого по второй линии 8 подключена к капельнице 9, выполненной заодно с третьей линией 10 или отдельно от нее, связывающей капельницу 9 с донной частью сосуда-сборника 11 растворителя, который через четвертую воздушную линию 13 связан с емкостью 14 для подпитывающего раствора 15, донная часть которой соединена пятой гидравлической линией 16 с каналом 17 в крышке 2 кристаллизационного стакана 1, открывающимся в его полость, причем четвертая воздушная линия 13 подключена шестой линией 18 к корректирующему насосу 19, а емкость 14 для рабочего подпитывающего раствора снабжена нагревателем 20. Корректирующий насос 19 является насосом перистальтического типа. Предлагаемая простая конструкция устройства обеспечивает постоянство уровня рабочего раствора и предотвращение паразитических кристаллов в кристаллизационном стакане. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к области кристаллографии, а более конкретно к устройствам для выращивания кристаллов из растворов, например к технике скоростного выращивания кристаллов группы КДР (KH2PO4), в том числе, в промышленных масштабах. Устройство для выращивания кристаллов из раствора при постоянной температуре содержит кристаллизатор 1, снабженный гидравлическим контуром 7 циркуляции раствора, в котором установлен насос 8, фильтр 9 и регулируемый дроссель 11, подключенный через штуцер к кристаллизатору 1, при этом к кристаллизатору 1 двумя гидравлическими линиями подключен компенсационный сосуд 13, одна гидравлическая линия – выходная 12 - соединяет выходной патрубок кристаллизатора 1 непосредственно с выходным патрубком компенсационного сосуда 13, а другая – входная 14 - соединяет линией контура циркуляции раствора 7 выходной патрубок кристаллизатора 1 с входным патрубком компенсационного сосуда 13, компенсационный сосуд 13 снабжен крышкой 16 с кольцевым выступом вокруг сквозного отверстия, на крышке 16 с зазором относительно выступа размещен конденсатор 17, к полости между выступом крышки 16 и внутренней стенкой конденсатора 17, предназначенного для сбора конденсата, подключен патрубок с клапаном 19, обеспечивающим периодический слив конденсата, в крышке 16 дополнительно выполнено отверстие для установки дозирующего средства 23 подачи соли или лома кристаллов в компенсационный сосуд 13, кристаллизатор снабжен датчиком температуры раствора 4, подключенным к средству термостатирования 6 кристаллизатора 1, а компенсационный сосуд 13 снабжен датчиком температуры 21, подключенным к нагревателю 15, размещенному в линии связи 14 сосуда 13 с контуром циркуляции раствора 7 в кристаллизатор 1. Средство термостатирования 6 кристаллизатора 1 может быть выполнено в виде рубашки водяного охлаждения или воздушного вентилятора. Дозирующее средство 23 подачи соли или лома кристаллов в компенсационный сосуд 13 выполнено в виде воронки или перфорированного контейнера, заполненного солью или ломом кристаллов. Конденсатор 17 имеет сферическую форму, а компенсационный сосуд 13 снабжен мешалкой 18. За счет условий поддержания в процессе роста постоянной температуры и концентрации раствора получают кристаллы КДР высокого качества. 6 з.п. ф-лы, 1 пр., 1 ил.
Изобретение относится к области выращивания искусственных кристаллов из растворов. В способе выращивания кристалла из раствора при постоянной температуре, включающем отвод и последующее возвращение раствора в кристаллизатор, общий объем раствора в кристаллизаторе делят на две сообщающиеся между собой части, в первой из которых поддерживают постоянный уровень и концентрацию раствора, а во второй меняют уровень раствора путем подачи газа под давлением, вытесняя объем раствора из второй части в первую. Для поддержания постоянного уровня в первой части из нее отводят в сборник конденсата, размещенный вне кристаллизатора, объем раствора, который равен объему раствора, вытесненного из второй части. Подачу газа во вторую часть производят вручную или автоматически. В качестве газа возможно применение воздуха. Технический результат – повышение качества кристалла при одновременном упрощении процесса. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов, предназначенных для использования в оптико-электронных устройствах. Способ выращивания кристаллов из пересыщенного раствора включает испарение растворителя с поверхности пересыщенного раствора, находящегося внутри кристаллизационного сосуда, конденсацию паров растворителя в верхней части сосуда, перетекание образовавшегося конденсата в нижнюю зону сосуда, при этом конденсат растворителя, собранный в верхней части кристаллизационного сосуда, основным насосом подают в расположенный вне сосуда контейнер, заполненный кристаллическим материалом, что обеспечивает постепенное контролируемое растворение материала, образовавшийся раствор из контейнера подают в зону кристаллизационного сосуда, заполненную пересыщенным раствором, часть раствора дополнительным насосом из верхней части контейнера по байпасной линии вновь направляют в нижнюю часть контейнера, в процессе выращивания кристалла обеспечивают контроль за изменением массы кристаллического вещества, которое находится внутри контейнера, причем по мере израсходования кристаллического вещества в контейнере в результате его растворения производят повторную загрузку контейнера кристаллическим материалом, не прерывая процесс выращивания кристалла. Изобретение обеспечивает получение качественных кристаллов при эффективном контроле их роста без сложного оборудования. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к кристаллографии, а более конкретно - к устройству для выращивания кристаллов биологических макромолекул, например кристаллов белка
Изобретение относится к технике выращивания кристаллов из растворов солей, в частности для выращивания кристаллов группы KDP (КН2РO4), которые широко применяются для изготовления элементов нелинейной оптики
Изобретение относится к области техники, связанной со скоростным выращиванием кристаллов типа КН2РО4 (KDP) при постоянной фильтрации раствора
