Патенты автора Дмитриев Сергей Николаевич (RU)

Изобретение относится к изготовлению мембран. Производят облучение движущейся пленки пучком ускоренных ионов через диафрагму с отверстием и последующее травление. Пучок сканируют вдоль линии, проходящей через одну или несколько диафрагм. Скорость движения пучка в плоскости диафрагмы (ν), диаметр отверстия диафрагмы (d), диаметр сечения пучка в плоскости диафрагмы (D) и интенсивность пучка (I) выбирают из соотношения 0,1≤2Id2/Dν≤10. Отношение скорости движения пленки к частоте сканирования пучка составляет больше, чем минимально допустимый размер мембраны. Изобретение обеспечивает увеличение производительности способа при упрощении технологии. 2 з.п. ф-лы, 4 ил., 3 пр.

Изобретение относится к области космической техники, а более конкретно к способам космического захоронения радиоактивных отходов и космическим аппаратам (КА) с электроракетной двигательной установкой для транспортировки на орбиты захоронения в дальний космос радиоактивных отходов (РАО)

Изобретение относится к области преобразования электрической энергии и может применяться для преобразования напряжения питания переменного тока, например, промышленной сети в постоянное напряжение

Изобретение относится к области мембранной технологии, а именно к способам изготовления микро- и ультрафильтрационных мембран, а именно к способам изготовления трековых мембран

Изобретение относится к области радиохимии, а именно к способам получения и разделения изотопов

Изобретение относится к электротехнике, а более конкретно к слоистым пленочным электродам для электролитических конденсаторов, слои которых имеют существенные отличия по составу и физической структуре

Изобретение относится к средствам хранения информации, предназначенным для защиты ценных бумаг и других изделий массового производства от подделок

Изобретение относится к области исследований и анализа материалов путем определения их структуры и физических свойств

Изобретение относится к области нанотехнологии, в частности к технике получения единичных наноструктур в виде металлических нанопроволочек, имеющих перспективу применения в качестве датчиков и сенсоров

Изобретение относится к области технологии производства тонких плоскопараллельных пластин из хрупких кристаллических материалов и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых устройств типа "полупроводник на изоляторе", а также поверхностных субмикронных углублений различного геометрического профиля при производстве микроэлектронных устройств

Изобретение относится к композиционным материалам на основе высокомолекулярных соединений с использованием углерода в наноструктурированных покрытиях, включающих дополнительные элементы и связи, и может быть использовано в качестве анода электролитического конденсатора благодаря накоплению электрического потенциала в токоведущих слоях

Изобретение относится к области легирования твердых тел путем их облучения пучком ионов из фазообразующих атомов и может быть использовано для структурно-фазовой модификации твердых тел, например для улучшения их физико-механических, коррозионных и других практически важных свойств

 


Наверх