Патенты автора Иовдальский Виктор Анатольевич (RU)

Симметричная щелевая линия передачи сигнала СВЧ- и КВЧ-диапазонов // 2789795

Изобретение относится к СВЧ-технике. Симметричная щелевая линия передачи сигнала СВЧ- и КВЧ-диапазонов, содержащая щель, выполненную в проводящем покрытии, расположенном на одной стороне плоскопараллельной диэлектрической подложки, диэлектрик, размещенный в щели, полностью заполняет её, в качестве диэлектрика, заполняющего щель, используется композиция на основе отвердевающих соединений с диэлектрическим наполнителем с высокой степенью адгезии к диэлектрической подложке и проводящим покрытиям, образующим щель. На краях проводящего покрытия, образующего щель, закреплены и электрически соединены с ним проводящие пластины, образующие локальное увеличение толщины проводящего покрытия, причём толщина проводящих пластин равна от 0,005 до 0,25 мм, а содержание диэлектрического наполнителя в композиции, использующейся в качестве диэлектрика, заполняющего щель, составляет от 30 до 80%. Технический результат - улучшение электрических характеристик симметричной щелевой линии передачи сигнала в гибридной интегральной схеме СВЧ- и КВЧ-диапазонов. 2 ил.

Приемопередающий модуль активной фазированной антенной решетки СВЧ-диапазона // 2788821

Использование: изобретение относится к радиоэлектронным устройствам, а именно к конструкции приёмопередающих модулей активных фазированных антенных решёток СВЧ-диапазона. Сущность: приёмопередающий модуль активной фазированной антенной решётки СВЧ-диапазона содержит по меньшей мере один переключатель «приём/передача» на 2 положения, контакт «вход-выход» которого является входом-выходом модуля, контакт «выход» в положении переключателя «передача» подключён ко входу передающего канала, включающего последовательно соединённые согласующий усилитель, по меньшей мере один дополнительный n-разрядный ступенчатый фазовращатель, согласующий усилитель, по меньшей мере один n-разрядный ступенчатый фазовращатель, предварительный усилитель мощности, выходной усилитель мощности, направленный ответвитель мощности с системой контроля мощности канала, выход передающего канала, который является выходом модуля, причём оба фазовращателя подключены к одной схеме управления. По меньшей мере один контакт «вход» в положении переключателя «приём» подключён к выходу первого приёмного канала, содержащего согласующие усилители, n-разрядный ступенчатый аттенюатор, дополнительный n-разрядный ступенчатый аттенюатор, n-разрядный ступенчатый фазовращатель, дополнительный n-разрядный ступенчатый фазовращатель, первый выход делителя мощности СВЧ-сигнала, вход делителя последовательно соединен с малошумящим усилителем, защитным устройством, направленным ответвителем мощности, входом приёмного канала, который является входом модуля, причём оба фазовращателя подключены к одной схеме управления и оба аттенюатора подключены к одной схеме управления. Ко второму выходу делителя подключён второй приёмный канал, содержащий последовательно соединённые дополнительный n-разрядный и n-разрядный ступенчатые фазовращатели, имеющие одну схему управления, согласующий усилитель, дополнительный n-разрядный и n-разрядный ступенчатые аттенюаторы, имеющие одну схему управления, согласующий усилитель, выход второго приёмного канала, который является выходом модуля. Ко второму контакту «вход» переключателя подключён коммутатор. К направленному ответвителю мощности передающего канала подключены два n-разрядных ступенчатых управляемых аттенюатора, подключенных к одной схеме управления, причем система контроля мощности подключена к первому аттенюатору и содержит последовательно подключенные детекторный диод, усилитель постоянного тока, компаратор, выход которого является выходом контрольного сигнала исправности, между входом приемных каналов и направленным ответвителем подключен вентиль, к направленному ответвителю подключена согласованная нагрузка и система контроля мощности, содержащая последовательно включенные детекторный диод, усилитель постоянного тока, компаратор, выход которого подключен к логическому элементу, а выход логического элемента подключен ко входу модулятора и выходу контрольного сигнала, цепь питания компаратора и логического элемента 2И-НЕ соединена через модулятор с цепью питания согласующих усилителей приёмных каналов и малошумящего усилителя. Технический результат: повышение точности определения пороговой выходной мощности передающего канала приёмопередающего модуля по меньшей мере в 2-х режимах, как следствие расширение возможности контроля работоспособности приёмопередающего модуля, повышение надежности системы контроля мощности передающего канала и повышение точности обнаружения цели. 1 ил.

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГИБРИДНОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ СВЧ-ДИАПАЗОНА // 2787551

Изобретение относится к области электронной техники, а именно к способам изготовления гибридных интегральных схем, например генераторного модуля СВЧ-диапазона. Cпособ изготовления гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона включает изготовление отдельных диэлектрических слоев заданной последовательности многослойной печатной платы, с одним сквозным отверстием, изготовление заданного топологического рисунка металлизационного покрытия на лицевой стороне каждого диэлектрического слоя и экранной заземляющей металлизации на обратной стороне, нижнего слоя многослойной печатной платы, формирование сквозного отверстия в многослойной печатной плате посредством расположения отдельных диэлектрических слоев с одновременным совмещением их сквозных отверстий, последующее их соединение, размещение и закрепление навесного компонента на лицевой поверхности верхнего диэлектрического слоя многослойной платы, электрическое соединение, контакта каждого навесного компонента с топологическим рисунком металлизационного покрытия, контроль электрических характеристик гибридной интегральной схемы, совмещение диэлектрических слоев проводят по штифтам и базовым отверстиям, а соединение слоев платы проводят препрегом, при формировании заданного топологического рисунка металлизационного покрытия на верхнем диэлектрическом слое, на его обратной стороне изготавливают экранную заземляющую металлизацию, часть отверстий в многослойной плате выполняют металлизированными, компоненты схемы: коаксиальный диэлектрический резонатор, генераторный и управляющий компоненты, образующие генератор, управляемый напряжением, располагают на лицевой стороне верхнего диэлектрического слоя, при формировании верхнего диэлектрического слоя, под топологическим рисунком металлизации с генераторным, управляющим компонентами и коаксиальным диэлектрическим резонатором, составляющую СВЧ-часть схемы генератора, с обратной стороны верхнего слоя многослойной платы удаляют экранную заземляющую металлизацию, изготавливают диэлектрический резонатор, с выходом коаксиального вывода на торцевой поверхности и металлизацией на боковой поверхности, часть топологического рисунка проводников генератора, управляемого напряжением, имеющего в своем составе емкостные связи, располагают на торцевой поверхности коаксиального диэлектрического резонатора, обращенной к активным генераторному и управляющему компонентам, и электрически соединяют с проводниками топологического рисунка, причем емкостные связи выполняют в виде зазоров, формируют проводники топологического рисунка проводников и соединяемые с ними проводники на торцевой поверхности диэлектрического резонатора таким образом, чтобы они совпадали между собой по месту расположения, причем соединение проводников осуществляют путем присоединения верхних концов соединительных проводников к нижним концам проводников топологического рисунка на торце диэлектрического резонатора, коаксиальный диэлектрический резонатор устанавливают металлизацией боковой поверхности непосредственно на металлизированную площадку, резонатор закрепляют и электрически соединяют с металлизированной площадкой топологического рисунка верхнего слоя многослойной платы; а металлизированную площадку топологического рисунка, с закрепленным диэлектрическим резонатором, соединяют с экранной заземляющей металлизацией обратной стороны нижнего слоя многослойной печатной платы через металлизированные отверстия, многослойную плату устанавливают и закрепляют на дне металлического корпуса с крышкой, а герметизацию корпуса осуществляют присоединением крышки. Техническим результатом изобретения является повышение технологичности, улучшение электрических и массогабаритных характеристик. 5 ил.

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГИБРИДНОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ СВЧ ДИАПАЗОНА // 2783368

Изобретение относится к области электронной техники, а именно к способам изготовления гибридных интегральных схем, например, генераторного модуля СВЧ-диапазона. Техническим результатом изобретения является повышение технологичности, улучшение электрических и массогабаритных характеристик гибридной интегральной схемы. Способ включает изготовление отдельных диэлектрических слоёв заданной последовательности многослойной печатной платы, по крайней мере, с одним сквозным отверстием, изготовление заданного топологического рисунка металлизационного покрытия на каждом из отдельных диэлектрических слоёв и экранной заземляющей металлизации на обратной стороне, по крайней мере, нижнего слоя многослойной печатной платы, формирование по меньшей мере одного сквозного отверстия в многослойной печатной плате посредством расположения отдельных диэлектрических слоёв с одновременным совмещением их сквозных отверстий, последующее их соединение, размещение и закрепление компонента в сквозном отверстии многослойной печатной платы. Совмещение диэлектрических слоёв многослойной платы проводят по штифтам и базовым отверстиям. При формировании заданной последовательности слоёв создают выборку в обратной стороне многослойной платы; диэлектрический резонатор размещают и закрепляют в сквозном отверстии многослойной платы на дне корпуса так, чтобы торец диэлектрического резонатора с выводом находился от края отверстия в верхнем диэлектрическом слое платы не более чем на 0,5 мм, а его коаксиальный вывод соответствовал по высоте и расположению соединения с проводником топологического рисунка, а длина соединения не превышала 1,5 мм. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.

ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ-ДИАПАЗОНА // 2782313

Изобретение относится к области электронной техники, а именно к гибридным интегральным схемам, например, генераторного модуля СВЧ-диапазона. Гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона выполнена в виде многослойной печатной платы с топологическим рисунком проводников металлизации и экранной заземляющей металлизацией на обратной стороне нижнего диэлектрического слоя; схема содержит соединенные друг с другом активный генераторный компонент, коаксиальный диэлектрический резонатор и активный управляющий компонент, образующие генератор управляемый напряжением; коаксиальный диэлектрический резонатор имеет металлизационное покрытие на боковой поверхности, электрически соединенное с экранной заземляющей металлизацией платы, при этом в многослойной печатной плате выполнено отверстие, соразмерное расположенному в нем диэлектрическому коаксиальному резонатору, часть топологического рисунка проводников генератора, управляемого напряжением, расположена на торцевой поверхности коаксиального диэлектрического резонатора; управляющий компонент установлен на металлизации боковой поверхности диэлектрического резонатора, причем емкостная связь между проводником топологического рисунка соединения генераторного компонента и коаксиальным выходом диэлектрического резонатора выполнена в виде зазора шириной 0,035-0,055 мм, а емкостная связь между боковой стороной проводника топологического рисунка соединения управляющего компонента и коаксиальным выходом диэлектрического резонатора выполнена в виде зазора шириной 0,16-0,24 мм. Техническим результатом изобретения является улучшение электрических и массогабаритных характеристик гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона. 4 ил.

ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ-ДИАПАЗОНА // 2777532

Изобретение относится к области электронной техники. В известной конструкции гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона, которая установлена на дне металлического корпуса с крышкой и электрически соединена с ним, плата выполнена: с топологическим рисунком проводников металлизации, по крайней мере, на одной из сторон каждого диэлектрического слоя многослойной печатной платы и экранной заземляющей металлизацией на обратной стороне нижнего диэлектрического слоя, с навесными компонентами, в том числе активным генераторным компонентом, активным управляющим компонентом, и коаксиальным диэлектрическим резонатором, расположенными на лицевой стороне верхнего диэлектрического слоя и электрически соединенными с его топологическим рисунком проводников металлизации, образующими генератор, управляемый напряжением; обратная сторона верхнего диэлектрического слоя многослойной платы также имеет экранную заземляющую металлизацию, по меньшей мере, на части, занятой генератором, управляемым напряжением, коаксиальный диэлектрический резонатор имеет металлизационное покрытие на боковой поверхности, электрически соединенное с экранной заземляющей металлизацией через топологический рисунок проводников металлизации верхнего диэлектрического слоя, и, по меньшей мере, один коаксиальный выход на торцевой поверхности, обращенной к указанным активным компонентам, который электрически соединен с активными генераторным и управляющим компонентами через проводники топологического рисунка металлизации, имеющими в своем составе емкостные связи. Часть топологического рисунка проводников генератора, управляемого напряжением, соединяющая активные генераторный и управляющий компоненты с коаксиальным выходом коаксиального диэлектрического резонатора, расположена на торцевой поверхности коаксиального диэлектрического резонатора и электрически соединена с пленочными проводниками топологического рисунка, расположенного на лицевой стороне верхнего диэлектрического слоя многослойной платы, и имеет в своем составе емкостные связи, причем емкостная связь между торцом пленочного проводника соединения генераторного компонента и коаксиальным выходом диэлектрического резонатора выполнена в виде зазора шириной от 0,14 до 0,18 мм, а емкостная связь между боковой стороной пленочного проводника соединения управляющего компонента и коаксиальным выходом диэлектрического резонатора выполнена в виде зазора шириной от 0,16 до 0,2 мм. Изобретение обеспечивает улучшение электрических и массогабаритных характеристик гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона. 2 ил.

Симметричная щелевая линия передачи сигнала СВЧ- и КВЧ-диапазонов // 2776955

Изобретение относится к радиотехнике. Симметричная щелевая линия передачи СВЧ- и КВЧ-диапазонов содержит щель, выполненную в проводящем покрытии, расположенном на одной стороне плоскопараллельной диэлектрической подложки, и диэлектрик, размещенный в щели. Ширина щели равна от 0,2 мм до 1,7 мм. Отношение ширины щели к толщине подложки составляет от 0,5 до 3,5. Диэлектрик, размещенный в щели, полностью заполняет ее, при этом его толщина не менее толщины проводящего покрытия. Отношение диэлектрической проницаемости диэлектрика, заполняющего щель, к диэлектрической проницаемости материала подложки составляет от 1 до 40. В качестве диэлектрика, заполняющего щель, используется композиция на основе отвердевающих соединений с диэлектрическим наполнителем с высокой степенью адгезии к диэлектрической подложке и проводящим покрытиям, образующим щель. В симметричной щелевой линии передачи СВЧ- и КВЧ-диапазонов толщина диэлектрика, заполняющего щель, может превышать толщину проводящего покрытия на величину не более чем на 0,05 мм, а превышение ширины щели слоем диэлектрика над проводящим покрытием может составлять не более 0,2 мм с обеих боковых сторон щели. Технический результат - снижение вносимых потерь мощности проходящего сигнала, расширение рабочего диапазона частот, упрощение технологии изготовления. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ-ДИАПАЗОНА // 2778281

Изобретение относится к области электронной техники. Гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона выполнена в виде многослойной печатной платы, которая установлена на дне металлического корпуса с крышкой и электрически соединена с ним, плата выполнена с топологическим рисунком проводников металлизации по крайней мере на одной из сторон каждого диэлектрического слоя многослойной печатной платы и экранной заземляющей металлизацией на обратной стороне нижнего диэлектрического слоя; с навесными компонентами, в том числе активным генераторным компонентом и активным управляющим компонентом, расположенными на лицевой стороне верхнего диэлектрического слоя, а также коаксиальным диэлектрическим резонатором, выводы которых электрически соединены с топологическим рисунком проводников металлизации верхнего диэлектрического слоя многослойной платы и которые в совокупности образуют генератор, управляемый напряжением; коаксиальный диэлектрический резонатор имеет металлизационное покрытие на боковой поверхности, электрически соединенное с экранной заземляющей металлизацией платы; по меньшей мере один коаксиальный выход на торцевой поверхности, обращенной к указанным активным компонентам, электрически соединен с активными генераторным и управляющим компонентами через проводники топологического рисунка металлизации, имеющими в своем составе емкостные связи, при этом в многослойной печатной плате выполнено отверстие, соразмерное расположенному в нем диэлектрическому коаксиальному резонатору, который установлен на дне металлического корпуса и электрически соединен с дном корпуса металлизацией своей боковой поверхности; часть топологического рисунка проводников генератора, управляемого напряжением, соединяющая активные генераторный и управляющий компоненты с коаксиальным выходом коаксиального диэлектрического резонатора, расположена на торцевой поверхности коаксиального диэлектрического резонатора и электрически соединена с пленочными проводниками топологического рисунка, расположенного на лицевой стороне верхнего диэлектрического слоя многослойной платы, и имеет в своем составе емкостные связи, причем емкостная связь между пленочным проводником соединения генераторного компонента и коаксиальным выходом диэлектрического резонатора выполнена в виде по меньшей мере одного зазора шириной 0,035-0,055 мм, а емкостная связь между боковой стороной пленочного проводника соединения управляющего компонента и коаксиальным выходом диэлектрического резонатора выполнена в виде зазора шириной 0,16-0,24 мм. Изобретение обеспечивает улучшение электрических и массогабаритных характеристик гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона. 1 пр., 2 ил.

Приемопередающий модуль активной фазированной антенной решетки СВЧ-диапазона // 2776863

Изобретение относится к антенной технике, а именно к приемопередающим модулям АФАР СВЧ-диапазона. Технический результат - повышение надежности работы приемных каналов приемопередающего модуля, увеличение угла обзора, повышение точности определения координат цели и дальности ее обнаружения. Результат достигается тем, что указанный модуль, содержащий переключатель прием/передача, контакт «вход-выход» переключателя, контакт «выход» в положении «передача» подключен ко входу передающего канала, а выход передающего канала является выходом модуля, контакт «вход» в положении «прием» подключен к выходу приемного канала, отличается тем, что к входу приемных каналов подключен вход вентиля, выход которого подключен ко входу направленного ответвителя, а к его выходу подключен вход защитного устройства, в ответвляющую часть подключены параллельно согласованная нагрузка и детекторный диод, выход которого подключен ко входу усилителя постоянного тока, а выход усилителя подключен к входу компаратора, выход компаратора соединен со входом логического элемента 2И-НЕ, выход элемента соединен со входом модулятора, при этом соединение имеет вывод контрольного сигнала, выход модулятора соединен с цепью питания всех согласующих усилителей приемных каналов и малошумящего усилителя. 1 ил.

ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ-ДИАПАЗОНА // 2750860

Изобретение относится к области электронной техники. Конструкция гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона выполнена в виде многослойной печатной платы с топологическим рисунком проводников металлизации на одной из сторон каждого диэлектрического слоя и экранной заземляющей металлизацией на обратной стороне нижнего диэлектрического слоя, с навесными компонентами, коаксиальным диэлектрическим резонатором. В состав конструкции входит схема обработки СВЧ-сигнала, в том числе генератор, управляемый напряжением с включенным в его схему коаксиальным диэлектрическим резонатором. Коаксиальный диэлектрический резонатор установлен в отверстии, выполненном в многослойной плате, а расстояние между выходом вывода коаксиального диэлектрического резонатора и местом его соединения с проводником многослойной печатной платы не более 1,5 мм. В слоях многослойной печатной платы выполнена выборка, на нижней поверхности верхнего диэлектрического слоя многослойной печатной платы удалена экранная заземляющая металлизация, а отверстие в многослойной печатной плате непосредственно соединено с выборкой. Технический результат - улучшение электрических и массогабаритных характеристик СВЧ-генератора. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.

Приемопередающий модуль активной фазированной антенной решетки СВЧ-диапазона // 2730042

Изобретение относится к радиоэлектронным устройствам, а именно к конструкции приемопередающих модулей активных фазированных антенных решеток СВЧ-диапазона. Сущность изобретения заключается в том, что приемопередающий модуль активной фазированной антенной решетки СВЧ-диапазона дополнительно содержит на входе каждого канала направленный ответвитель мощности, а на выходе направленный ответвитель мощности, соединенный с системой контроля мощности, при этом выход каждого канала соединен с его входом через СВЧ выключатель, передающий канал содержит n-разрядный ступенчатый аттенюатор и дополнительный n-разрядный ступенчатый аттенюатор, имеющие одну схему управления, при этом вход n-разрядного ступенчатого аттенюатора подключен к выходу n-разрядного ступенчатого фазовращателя, а выход ко входу дополнительного n-разрядного ступенчатого аттенюатора, выход которого подключен ко входу согласующего усилителя, выход которого подключен ко входу предварительного усилителя. Технический результат – повышение точности определения координат цели. 1 ил.

Приемопередающий модуль активной фазированной антенной решетки СВЧ-диапазона // 2713079

Изобретение относится к радиоэлектронным устройствам, а именно к конструкции приемопередающих модулей активных фазированных антенных решеток СВЧ-диапазона. Сущность заявленного решения заключается в том, что приемопередающий модуль активной фазированной антенной решетки СВЧ-диапазона содержит, по меньшей мере, один переключатель «прием/передача» на 2 положения, контакт «вход-выход» которого является входом-выходом модуля. Контакт «выход» в положении переключателя «передача» подключен ко входу передающего канала, включающего последовательно соединенные, по меньшей мере, один управляемый n-разрядный ступенчатый фазовращатель и дополнительный n-разрядный ступенчатый фазовращатель, причем оба фазовращателя подключены к одной схеме управления, согласующие усилители, предварительный усилитель мощности, выходной усилитель мощности. Выход передающего канала, который является выходом модуля, и, по меньшей мере, один контакт «вход» в положении переключателя «прием», который подключен к выходу приемного канала, содержащего последовательно соединенные, по меньшей мере, один управляемый n-разрядный ступенчатый фазовращатель, дополнительный n-разрядный ступенчатый фазовращатель, по меньшей мере, один управляемый n-разрядный ступенчатый аттенюатор, дополнительный n-разрядный ступенчатый аттенюатор, по меньшей мере, один малошумящий усилитель, защитное устройство и вход приемного канала, который является входом модуля, причем аттенюаторы подключены к одной схеме управления и фазовращатели подключены к одной схеме управления, согласующие усилители, при этом в каждом канале каждая схема управления фазовращателями или аттенюаторами содержит преобразователь уровней сигналов управления. Передающий канал включает второй переключатель, вход которого подключен к выходу первого, а выход подключен ко входу управляемого n-разрядного ступенчатого фазовращателя, выход которого соединен со входом первого согласующего усилителя, выход усилителя соединен со входом дополнительного n-разрядного ступенчатого фазовращателя, выход которого соединен со входом управляемого n-разрядного ступенчатого аттенюатора, выход которого соединен со входом дополнительного n-разрядного ступенчатого аттенюатора, выход которого подключен ко входу второго согласующего усилителя, выход которого подключен к третьему переключателю. Первый выход третьего переключателя соединен со входом первого переключателя, а второй выход через третий согласующий усилитель подключен к предварительному усилителю мощности, выход которого соединен со входом выходного усилителя мощности, к усилителям мощности подключен модулятор передающего канала, при этом канал дополнительно содержит систему контроля мощности, вход которой подключен к выходу выходного усилителя мощности, а выход подключен к выходу Х-циркулятора, вход которого является выходом модуля. Вход приемного канала подключен ко входу X-циркулятора, а второй выход подключен ко входу защитного устройства, выход защитного устройства подключен ко входу аттенюатора, выход которого подключен ко входу малошумящего усилителя, выход которого через четвертый и пятый согласующие усилители подключен ко входу второго переключателя, к третьему, четвертому и пятому согласующим усилителям подключен модулятор приемного канала. Преобразователь последовательного кода управления в параллельный код выполнен общим и подключен к схемам управления аттенюаторов и фазовращателей через шины внутренних сигналов управления, а ко входу подключена внешняя шина, через которую подают сигналы управления и напряжение питания. Техническим результатом при реализации заявленного решения является: повышение точности определения координат объекта за счет повышения устойчивости работы каналов, улучшение электрических характеристик и повышение надежности путем упрощения схемы приемопередающего модуля. 1 ил.

ВЫВОДНАЯ РАМКА ДЛЯ МНОГОКРИСТАЛЬНОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА СВЧ // 2541725

Изобретение относится к электронной технике. В выводной рамке для многокристального полупроводникового прибора СВЧ, содержащей, по меньшей мере, два вывода каждый с внешними и внутренними концами, внешние концы выводов соединены с технологической рамкой, внутренние концы каждого вывода имеют конфигурацию, соответствующую конфигурации контактных площадок кристалла полупроводникового прибора, и предназначены для непосредственного соединения с последним. Внутренние концы каждого вывода выполнены и сгруппированы соответственно конфигурации контактных площадок, по меньшей мере, двух кристаллов полупроводникового прибора, при этом упомянутые группы внутренних концов выводов расположены между собой на расстоянии, обеспечивающем расположение кристаллов полупроводникового прибора с зазором не более 5 мм, упомянутые группы внутренних концов выводов, предназначенные для соединения однофункциональных выводов кристаллов полупроводникового прибора, соединены в один внешний конец вывода упомянутых групп внутренних концов. Изобретение обеспечивает расширение функциональных возможностей, снижение трудоемкости изготовления, повышение воспроизводимости, улучшение электрических характеристик. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНОЙ ГИБРИДНОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ СВЧ-ДИАПАЗОНА // 2537695

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при создании мощных гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона многоцелевого назначения. Технический результат - улучшение электрических характеристик за счет улучшения теплоотвода, повышение технологичности при сохранении массогабаритных характеристик. Достигается тем, что способом изготовления мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона изготовливают отдельные диэлектрические слои заданной последовательности многослойной диэлектрической подложки, по меньшей мере, с одним сквозным отверстием, наносят заданное металлизационное покрытие топологического рисунка на каждый из отдельных диэлектрических слоев и экранную заземляющую металлизацию на обратной стороне нижнего слоя многослойной диэлектрической подложки. Формируют заданную последовательность многослойной диэлектрической подложки посредством расположения отдельных диэлектрических слоев с одновременным совмещением их сквозных отверстий с обеспечением формирования, по меньшей мере, одного сквозного отверстия в многослойной диэлектрической подложке, далее спекание и отжиг, распологают и закрепляют многослойную диэлектрическую подложку экранной заземляющей металлизацией на электро- и теплопроводящем основании, распологают и закрепляют в каждом сквозном отверстии многослойной диэлектрической подложки активный тепловыделяющий компонент, с обеспечением расположения их лицевых сторон в одной плоскости, соединяют электрически контактные площадки активного тепловыделяющего компонента с топологическим рисунком металлизационного покрытия многослойной диэлектрической подложки. 2 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНОЙ ГИБРИДНОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ СВЧ-ДИАПАЗОНА // 2536771

Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона включает формирование многослойной диэлектрической подложки посредством расположения отдельных диэлектрических слоев с обеспечением формирования, по меньшей мере, одного сквозного отверстия в подложке, последующее спекание и отжиг, закрепление подложки экранной заземляющей металлизацией на электро- и теплопроводящее основание, закрепление активного тепловыделяющего компонента в одном сквозном отверстии подложки, соединение электрически контактных площадок активного тепловыделяющего компонента с топологическим рисунком металлизационного покрытия подложки, контроль электрических характеристик гибридной интегральной схемы. При изготовлении отдельных диэлектрических слоев многослойной диэлектрической подложки сквозные отверстия изготавливают с определенным сечением. При нанесении металлизационного покрытия топологического рисунка и экранной заземляющей металлизации одновременно заполняют материалом металлизационного покрытия одно сквозное отверстие и дополнительные сквозные отверстия. При формировании многослойной диэлектрической подложки отдельные диэлектрические слои располагают определенным образом, а формирование активного тепловыделяющего компонента осуществляют непосредственно в одном сквозном отверстии многослойной диэлектрической подложки. Технический результат - снижение трудоемкости изготовления и улучшение электрических характеристик. 1 ил., 1 табл.

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНОЙ ГИБРИДНОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ СВЧ-ДИАПАЗОНА // 2521222

Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона включает изготовление многослойной диэлектрической подложки, нанесение на каждый из диэлектрических слоев металлизационного покрытия топологического рисунка и экранной заземляющей металлизации на обратной стороне нижнего слоя многослойной диэлектрической подложки, совмещение сквозных отверстий диэлектрических слоев, спекание и отжиг, расположение и закрепление многослойной диэлектрической подложки экранной заземляющей металлизацией на электро- и теплопроводящее основание, расположение и закрепление в каждом сквозном отверстии активного тепловыделяющего компонента с обеспечением расположения их лицевых сторон в одной плоскости, электрическое соединение контактных площадок активного тепловыделяющего компонента с топологическим рисунком металлизации многослойной диэлектрической подложки. При этом одну часть отдельных диэлектрических слоев подложки изготавливают со сквозным отверстием, сечением соразмерным активному тепловыделяющему компоненту с превышением не более 0,5 мм, другую часть - с меньшим сечением при соотношении их площади сечения 1,4-10 соответственно, сквозные отверстия последних заполняют материалом металлизационного покрытия, а при формировании последовательности многослойной диэлектрической подложки с ее лицевой стороны располагают отдельные диэлектрические слои с большим сечением, с обратной стороны - с меньшим. Изобретение обеспечивает повышение технологичности и электрических характеристик. 2 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.

МОЩНАЯ ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ-ДИАПАЗОНА // 2498455

Изобретение относится к электронной технике, а именно к конструкции мощных гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона длин волн. Технический результат - улучшение тепловых и электрических характеристик. Достигается тем, что мощная гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона содержит электро- и теплопроводящее основание с выступом, диэлектрическую подложку с топологическим рисунком металлизации на лицевой стороне и экранной заземляющей металлизацией на обратной стороне, разделенную, по меньшей мере, на две части, каждая из которых установлена на теплопроводящем основании с противоположных сторон выступа вплотную к нему, на выступе установлен и закреплен, по меньшей мере, один кристалл активного полупроводникового прибора, высота выступа выполнена такой, что лицевые поверхности кристаллов и диэлектрической подложки расположены в одной плоскости, выступ электро- и теплопроводящего основания выполнен в виде металлизированной алмазной вставки, расположенной и закрепленной в углублении основания, при этом глубина углубления h выбрана такой, что обеспечивается минимальная разность температур Δt (°C) кристалла активного полупроводникового прибора и обратной стороны электро- и теплопроводящего основания: где λ - удельная теплопроводность алмаза (коэффициент теплопроводности Вт/(м×град)), Q - мощность кристалла активного полупроводникового прибора (Вт), полиномиальные коэффициенты - A1=-17,44331; А2=31,36052; А3=-22,21548; А4=19,01102; А5=-995,19516; А6=-4,10308×103; А7=-1,56933×103; A8=4,81737×106; А9=-1,6359×109, что соответствует глубине углубления h от 0,001 до 0,8 мм, а толщина дна углубления выбрана равной или более 0,2 мм, 1 з.п. ф-лы, 5 ил., 3 табл.

ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ // 2489770

Изобретение относится к гибридным интегральным схемам СВЧ и предназначено для радиоэлектронных устройств различного назначения, в том числе радиолокационных станции с фазированными антенными решетками (ФАР)

ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ-ДИАПАЗОНА // 2478240

Изобретение относится к электронной технике, а именно к конструкции гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона длин волн

МОЩНАЯ ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ-ДИАПАЗОНА // 2458432

Изобретение относится к электронной технике, а именно к конструкции мощных гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона длин волн

ВЫВОДНАЯ РАМКА ДЛЯ СВЧ И КВЧ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА // 2456703

Изобретение относится к электронной технике

ПРИЕМОПЕРЕДАЮЩИЙ МОДУЛЬ АКТИВНОЙ ФАЗИРОВАННОЙ АНТЕННОЙ РЕШЕТКИ СВЧ-ДИАПАЗОНА // 2454763

Изобретение относится к радиоэлектронным устройствам, а именно к конструкции приемопередающих модулей активных фазированных антенных решеток СВЧ-диапазона