Патенты автора Дудинов Константин Владимирович (RU)

Изобретение относится к электронной технике СВЧ и может быть использовано в радиолокационных станциях с активными фазированными антенными решетками (АФАР) наземного, морского, воздушного и космического базирования. Интегральная схема СВЧ, содержащая диэлектрическую подложку, на лицевой и обратной сторонах которой выполнены слои металлизационного покрытия, на лицевой стороне подложки расположены пассивные элементы, линии передачи, по меньшей мере, один кристалл активного элемента, контактные площадки, в подложке выполнено, по меньшей мере, одно сквозное отверстие, заполненное высокоэлектротеплопроводным металлом, с минимально низким уровнем газовыделения, элементы интегральной схемы выполнены и соединены электрически согласно ее заданной топологии и электрической схемы соответственно, при этом диэлектрическая подложка выполнена из SiC, выводы расположены на обратной стороне подложки, пассивные элементы, линии передачи, кристалл активного элемента, контактные площадки кристалла активного элемента расположены в центральной части лицевой стороны подложки, а прочие контактные площадки расположены по периферии лицевой стороны диэлектрической подложки и выполнены в виде сплошного контура, непосредственно на обратной стороне кристалла активного элемента, контактных площадках кристалла активного элемента и прочих контактных площадках дополнительно выполнен проводящий слой, содержащий олово и золото в определенном соотношении, лицевая сторона кристалла активного элемента соединена с его контактными площадками посредством упомянутого проводящего слоя, интегральная схема СВЧ дополнительно снабжена основанием, выполненным из высокоэлектротеплопроводного материала, на лицевой стороне основания выполнено углубление, размеры которого определены размерами пассивных элементов, линий передачи, кристалла активного элемента, контактных площадок, при этом часть лицевой стороны подложки, с расположенными на ней пассивными элементами, линиями передачи, кристаллом активного элемента, контактными площадками собственно кристалла активного элемента, расположена в углублении, лицевая сторона подложки соединена с лицевой стороной основания посредством проводящего слоя на прочих контактных площадках, обратная сторона кристалла активного элемента соединена с дном углубления посредством его проводящего слоя. Изобретение обеспечивает повышение коэффициента усиления, выходной мощности, уровня рабочей частоты, надежности, расширение области применения, снижение себестоимости. 6 з.п. ф-лы, 4 ил., 1 табл.

Изобретение может быть широко использовано в электронной технике СВЧ, в частности в радиолокационных станциях с активными фазированными антенными решетками (АФАР). Интегральная схема СВЧ содержит диэлектрическую подложку, на лицевой и обратной сторонах выполнено металлизационное покрытие, при этом на лицевой стороне покрытие локальное, на лицевой стороне подложки расположены пассивные элементы, линии передачи, выводы, по меньшей мере, один кристалл активного элемента, контактные площадки кристалла активного элемента, в подложке выполнено, по меньшей мере, одно сквозное отверстие, элементы интегральной схемы выполнены и соединены электрически согласно ее заданной топологии и электрической схеме, при этом подложка выполнена из карбида кремния, металлизационное покрытие на обратной стороне подложки выполнено сплошным, сквозное отверстие металлизировано, на контактных площадках кристалла активного элемента выполнен проводящий слой, содержащий олово и золото, посредством которого лицевая сторона кристалла активного элемента соединена с контактными площадками кристалла активного элемента. Изобретение обеспечивает повышение коэффициента усиления, выходной мощности и уровня рабочей частоты при сохранении высокой интеграции элементов и надежности. 5 з.п. ф-лы, 5 ил.,1 табл.

Изобретение относится к радиотехнике. Самоуправляемый переключатель СВЧ содержит три вывода - передача, прием, прием-передача. Блок переключателя передачи содержит полевой транзистор с барьером Шоттки, резистор, отрезок линии передачи. Блок переключателя приема, содержит полевой транзистор с барьером Шоттки, резистор, отрезок линии передачи. Блок генератора управляющего напряжения смещения выполнен в виде амплитудного выпрямителя удвоителя напряжения отрицательной полярности и содержит два выпрямительных диода с барьером Шоттки, два конденсатора, два резистора. Блок переключателя передачи имеет один отрезок линии передачи. Блок переключателя приема дополнительно имеет два защитных диода с барьером Шоттки - при этом электроды катода первого и анода второго защитных диодов с барьером Шоттки, и один конец второго отрезка линии передачи – заземлены. В генераторе управляющего напряжения смещения конец первого конденсатора является, другой его конец соединен с одним концом третьего резистора, другой конец последнего соединен одновременно с электродами анода первого и катода второго выпрямительных диодов с барьером Шоттки. Точка соединения электрода анода второго выпрямительного диода с одними концами второго конденсатора и четвертого резистора является выходом блока генератора управляющего напряжения смещения в виде амплитудного выпрямителя удвоителя напряжения отрицательной полярности. Технический результат - упрощение конструкции, уменьшение массогабаритных характеристик при сохранении - самоуправляемости, рабочей полосы частот, уровня потерь СВЧ и быстродействия. 3 ил.

Изобретение относится к электронной технике СВЧ, а именно к корпусу для поверхностного монтажа изделия полупроводниковой электронной техники СВЧ. Заявлен корпус СВЧ для изделия полупроводниковой электронной техники СВЧ, содержащий основание и крышку, которые герметично соединены металлическим ободком, в основании выполнено, по меньшей мере, три сквозных металлизированных отверстия, в центральной части внешней и внутренней сторон основания выполнены, по меньшей мере, одна внешняя и соответствующая ей, по меньшей мере, одна внутренняя «земляные» металлизированные контактные площадки, попарно соединенные между собой электрически, для расположения и последующего соединения кристалла либо кристаллов изделия СВЧ, по периферии внешней и внутренней сторон основания вне внешней и соответствующей ей внутренней «земляных» металлизированных контактных площадок выполнены, по меньшей мере, три внешних и соответствующих им, по меньшей мере, три внутренних вывода, каждые три упомянутых вывода формируют, по меньшей мере, два отрезка копланарной линии соответственно, попарно соединенные между собой электрически, заземленные проводники каждого отрезка копланарной линии соединены с внешней и соответствующей ей внутренней земляными металлизированными контактными площадками и металлическим ободком, в котором основание и крышка выполнены из материала алмаз, при этом основание, металлический ободок, внешняя и соответствующая ей внутренняя «земляные» металлизированные контактные площадки, внешние и соответствующие им внутренние выводы, сквозные металлизированные отверстия выполнены в виде единой монолитной планарной платы, при этом металлический ободок выполнен по периметру единой монолитной планарной платы, металлический ободок, внешняя и соответствующая ей внутренняя «земляные» металлизированные контактные площадки, внешние и соответствующие им внутренние выводы выполнены в виде многослойного металлизационного покрытия с высокой электропроводностью, крышка выполнена объемной формы, по внутренней поверхности которой выполнено многослойное металлизационное покрытие с высокой электропроводностью, каждая внешняя и соответствующая ей каждая внутренняя «земляные» металлизированные контактные площадки, каждые внешние и соответствующие им каждые внутренние выводы попарно соединены между собой посредством сквозных металлизированных отверстий. Технический результат заключается в повышении рабочей частоты до 40 ГГц, снижении потерь СВЧ, уменьшении коэффициента стоячей волны напряжения (КСВН), улучшении отвода тепла, упрощении конструкции, повышении надежности, расширении функциональных возможностей при сохранении электрорадиоэкранирующих характеристик. 4 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к электронной технике, в частности, для использования в радиолокационных станциях с фазированными антенными решетками. Интегральная схема СВЧ, содержащая диэлектрическую подложку из пластины алмаза толщиной более 100 мкм, на лицевой и обратной стороне которой выполнено металлизационное покрытие, при этом на лицевой стороне - в виде локального слоя, на лицевой стороне упомянутой диэлектрической подложки расположены только пассивные элементы, либо - пассивные и активные элементы, линии передачи, выводы, при этом элементы соединены электрически согласно электрической схеме, интегральная схема заземлена, в которой металлизационное покрытие на обратной стороне упомянутой диэлектрической подложки выполнено в виде сплошного либо локального слоя, между обратной стороной диэлектрической подложки и ее металлизационным покрытием в виде сплошного либо локального слоя выполнен соответственно, по меньшей мере, один высоко электротеплопроводный металлический проводник, углубленный в диэлектрическую подложку на его толщину, между высоко электротеплопроводным металлическим проводником и металлизационным покрытием выполнен слой диэлектрического материала толщиной менее 2 мкм, с относительной диэлектрической проницаемостью более 4, в диэлектрической подложке выполнено, по меньшей мере, одно сквозное отверстие, заполненное высоко электротеплопроводным металлом, выводы соединены электрически с высоко электротеплопроводным металлическим проводником и интегральная схема заземлена посредством упомянутого сквозного отверстия, при этом металлизационное покрытие в виде локального слоя на лицевой и обратной сторонах диэлектрической подложки, высоко электротеплопроводный металлический проводник, сквозное отверстие выполнены согласно заданной топологии интегральной схемы СВЧ. Технический результат заключается в улучшении электрических характеристик, повышении надежности, уменьшении массогабаритных характеристик. 5 з.п. ф-лы, 5 ил.

Заявлен приемопередающий модуль активной фазированной антенной решетки, содержащий, по меньшей мере, четыре одноканальных модуля, каждый из которых содержит последовательно соединенные защитное устройство и малошумящий усилитель приемного канала, выходной усилитель мощности передающего канала, два переключателя прием/передача, двунаправленный фазовращатель, схему управления, элементы электрической связи и питания, два вывода - первый и второй, при этом упомянутые электронные компоненты каждого из четырех одноканальных модулей выполнены в виде, по меньшей мере, трех фрагментов, каждый из заданных разных по составу электронных компонентов на отдельной диэлектрической подложке, при этом упомянутые фрагменты с одинаковыми электронными компонентами расположены на одном из, по меньшей мере, трех уровней - первом, втором, третьем соответственно, уровни соединены между собой посредством, по меньшей мере, трех соединительно-разделительных элементов, в каждом из них выполнены четыре полости по центру квадрантов зеркально симметрично относительно двух взаимно перпендикулярных плоскостей, проходящих через продольную ось модуля, конфигурацией повторяющей упомянутый квадрант, при этом на первом уровне выполнены выходной усилитель мощности передающего канала, второй переключатель прием/передача, контакт первого переключателя прием/передача К1 соединен через двунаправленный фазовращатель с первым выводом, его контакт в положении передача К2 - с входом выходного усилителя мощности передающего канала, выход последнего - с контактом второго переключателя прием/передача К2, его контакт К1 - с вторым выводом, контакт второго переключателя прием/передача К3 - с входом защитного устройства, выход последнего - с входом малошумящего усилителя приемного канала, его выход - с контактом первого переключателя прием/передача К3, электрическую связь между электронными компонентами упомянутых фрагментов и каждого уровня обеспечивают элементы связи, при этом приемопередающий модуль имеет корпус, основание, стенки и крышка которого соединены с обеспечением герметичности. При этом отдельные диэлектрические подложки каждого упомянутого фрагмента и каждого уровня выполнены из алмаза, при этом каждый упомянутый фрагмент выполнен на лицевой стороне каждой упомянутой отдельной диэлектрической подложки из алмаза, на обратной ее стороне - металлизационное покрытие, в ее объеме - металлизированные заземляющие отверстия, на первом уровне дополнительно выполнены защитное устройство и малошумящий усилитель приемного канала, на втором - первый переключатель прием/передача, двунаправленный фазовращатель, на третьем - схема управления, элементы электрической связи и питания, а электрическую связь между электронными компонентами упомянутых фрагментов и каждого уровня обеспечивают отрезки экранированной копланарной линии и планарные проводники, соединительно-разделительный элемент каждого уровня выполнен в виде квадратной пластины со стороной, равной длине волны λ, высотой - 2-3 мм, из металла или его сплава, имеющего высокую теплопроводность и обеспечивающего согласованный температурный коэффициент линейного расширения с каждой диэлектрической подложкой из алмаза, при этом который одновременно является основанием каждого уровня, основание первого уровня - основанием корпуса приемопередающего модуля, боковые стенки основания каждого уровня образуют наружную стенку корпуса приемопередающего модуля, а упомянутые четыре полости каждого уровня выполнены на лицевой стороне основания глубиной 1-1,5 мм, толщиной стенки 1,5-2 мм, при этом последние образуют внутренние стенки корпуса соответствующего уровня приемопередающего модуля, в основании второго, третьего уровней и крышки корпуса выполнено центральное отверстие соосно, симметрично относительно двух взаимно перпендикулярных плоскостей, проходящих через продольную ось модуля, и которое заглублено в основание первого уровня на 1-1,5 мм, на лицевой стороне основания каждого уровня выполнены четыре канавки кратчайшим путем по биссектрисе квадранта, проходящей через продольную ось модуля, глубиной и шириной 1-1,5 мм соответственно, обеспечивающие соединение четырех полостей каждого уровня с центральным отверстием для последующей герметизации приемопередающего модуля, обратная сторона основания каждого уровня выполнена плоской, на обратной стороне основания первого уровня выполнен второй вывод для соединения с выводом плоской антенной решетки, крышка корпуса выполнена высотой 1-1,5 мм, соразмерной с основанием корпуса приемопередающего модуля, основание, стенки и крышка приемопередающего модуля соединены между собой герметично по их периметру посредством пайки. Технический результат - повышение: выходной мощности, коэффициента полезного действия, надежности и долговечности, стабильности во времени и повторяемости амплитудных и фазовых характеристик, снижение массогабаритных характеристик. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Заявлена интегральная схема СВЧ, содержащая диэлектрическую подложку из алмаза, на обратной стороне которой выполнено металлизационное покрытие, элементы интегральной схемы - активные и пассивные элементы, линии передачи, выводы, в диэлектрической подложке из алмаза выполнены сквозные металлизированные отверстия, посредством которых интегральная схема заземлена, элементы интегральной схемы выполнены монолитно и соединены согласно ее электрической схемы. При этом активные и пассивные элементы, линии передачи и выводы выполнены планарно на лицевой стороне диэлектрической подложки из алмаза, при этом каждый активный элемент заглублен в диэлектрическую подложку из алмаза на толщину его эпитаксиальной структуры соответственно, при этом активные и пассивные элементы, линии передачи и выводы выполнены с обеспечением единой планарной плоскости. Технический результат - улучшение электрических характеристик - выходной мощности, коэффициента полезного действия, повышение воспроизводимости и надежности интегральной схемы СВЧ. 4 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к электронной технике. В способе изготовления интегральной схемы СВЧ, включающем изготовление диэлектрической подложки из алмаза толщиной 100-200 мкм, нанесение на нее металлизационного покрытия, формирование активных и пассивных элементов, элементов линий передачи, выводов, элементов заземления, предварительно изготавливают слой кристаллического полуизолирующего кремния с толщиной 350-500 мкм и предусматривающий обработку его поверхности с лицевой стороны с шероховатостью не ниже 14 класса, а диэлектрическую подложку из алмаза изготавливают на лицевой стороне слоя кристаллического полуизолирующего кремния, далее слой кристаллического полуизолирующего кремния с обратной стороны утоняют, а активные и пассивные элементы, элементы линий передачи и выводы формируют на обратной стороне слоя кристаллического полуизолирующего кремния, в диэлектрической подложке из алмаза и слое кристаллического полуизолирующего кремния со стороны диэлектрической подложки из алмаза изготавливают сквозные отверстия с топологией, обеспечивающей заземление, а далее наносят металлизационное покрытие на диэлектрическую подложку из алмаза и одновременно на стенки упомянутых сквозных отверстий. Изобретение обеспечивает улучшение электрических характеристик интегральной схемы при одновременном повышении надежности, воспроизводимости, снижении трудоемкости изготовления, уменьшении массогабаритных характеристик. 2 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.

Изобретение относится к интегральным схемам СВЧ и может быть использовано в электронной технике СВЧ. Интегральная схема СВЧ, содержащая диэлектрическую подложку, выполненную из алмаза, элементы интегральной схемы - активные и пассивные элементы, линии передачи, выводы, на обратной стороне диэлектрической подложки выполнено металлизационное покрытие, при этом элементы интегральной схемы электрически соединены и заземлены согласно ее электрической схемы. На лицевой стороне упомянутой диэлектрической подложки дополнительно выполнен слой кристаллического полуизолирующего кремния толщиной не более 10 мкм, а элементы интегральной схемы - активные и пассивные элементы, линии передачи, выводы выполнены на поверхности этого слоя кристаллического полуизолирующего кремния, при этом элементы интегральной схемы выполнены монолитно, в упомянутой диэлектрической подложке и слое кристаллического полуизолирующего кремния выполнены сквозные металлизированные отверстия, а заземлена интегральная схема посредством этих сквозных металлизированных отверстий. Техническим результатом является улучшение электрических характеристик и повышение их воспроизводимости, повышение надежности, снижение массогабаритных характеристик, уменьшение трудоемкости изготовления интегральной схемы СВЧ. 5 з.п. ф-лы, 7 ил., 1 табл.

Изобретение относится к электронной технике. В выводной рамке для многокристального полупроводникового прибора СВЧ, содержащей, по меньшей мере, два вывода каждый с внешними и внутренними концами, внешние концы выводов соединены с технологической рамкой, внутренние концы каждого вывода имеют конфигурацию, соответствующую конфигурации контактных площадок кристалла полупроводникового прибора, и предназначены для непосредственного соединения с последним. Внутренние концы каждого вывода выполнены и сгруппированы соответственно конфигурации контактных площадок, по меньшей мере, двух кристаллов полупроводникового прибора, при этом упомянутые группы внутренних концов выводов расположены между собой на расстоянии, обеспечивающем расположение кристаллов полупроводникового прибора с зазором не более 5 мм, упомянутые группы внутренних концов выводов, предназначенные для соединения однофункциональных выводов кристаллов полупроводникового прибора, соединены в один внешний конец вывода упомянутых групп внутренних концов. Изобретение обеспечивает расширение функциональных возможностей, снижение трудоемкости изготовления, повышение воспроизводимости, улучшение электрических характеристик. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при создании мощных гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона многоцелевого назначения. Технический результат - улучшение электрических характеристик за счет улучшения теплоотвода, повышение технологичности при сохранении массогабаритных характеристик. Достигается тем, что способом изготовления мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона изготовливают отдельные диэлектрические слои заданной последовательности многослойной диэлектрической подложки, по меньшей мере, с одним сквозным отверстием, наносят заданное металлизационное покрытие топологического рисунка на каждый из отдельных диэлектрических слоев и экранную заземляющую металлизацию на обратной стороне нижнего слоя многослойной диэлектрической подложки. Формируют заданную последовательность многослойной диэлектрической подложки посредством расположения отдельных диэлектрических слоев с одновременным совмещением их сквозных отверстий с обеспечением формирования, по меньшей мере, одного сквозного отверстия в многослойной диэлектрической подложке, далее спекание и отжиг, распологают и закрепляют многослойную диэлектрическую подложку экранной заземляющей металлизацией на электро- и теплопроводящем основании, распологают и закрепляют в каждом сквозном отверстии многослойной диэлектрической подложки активный тепловыделяющий компонент, с обеспечением расположения их лицевых сторон в одной плоскости, соединяют электрически контактные площадки активного тепловыделяющего компонента с топологическим рисунком металлизационного покрытия многослойной диэлектрической подложки. 2 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.

Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона включает формирование многослойной диэлектрической подложки посредством расположения отдельных диэлектрических слоев с обеспечением формирования, по меньшей мере, одного сквозного отверстия в подложке, последующее спекание и отжиг, закрепление подложки экранной заземляющей металлизацией на электро- и теплопроводящее основание, закрепление активного тепловыделяющего компонента в одном сквозном отверстии подложки, соединение электрически контактных площадок активного тепловыделяющего компонента с топологическим рисунком металлизационного покрытия подложки, контроль электрических характеристик гибридной интегральной схемы. При изготовлении отдельных диэлектрических слоев многослойной диэлектрической подложки сквозные отверстия изготавливают с определенным сечением. При нанесении металлизационного покрытия топологического рисунка и экранной заземляющей металлизации одновременно заполняют материалом металлизационного покрытия одно сквозное отверстие и дополнительные сквозные отверстия. При формировании многослойной диэлектрической подложки отдельные диэлектрические слои располагают определенным образом, а формирование активного тепловыделяющего компонента осуществляют непосредственно в одном сквозном отверстии многослойной диэлектрической подложки. Технический результат - снижение трудоемкости изготовления и улучшение электрических характеристик. 1 ил., 1 табл.

Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона включает изготовление многослойной диэлектрической подложки, нанесение на каждый из диэлектрических слоев металлизационного покрытия топологического рисунка и экранной заземляющей металлизации на обратной стороне нижнего слоя многослойной диэлектрической подложки, совмещение сквозных отверстий диэлектрических слоев, спекание и отжиг, расположение и закрепление многослойной диэлектрической подложки экранной заземляющей металлизацией на электро- и теплопроводящее основание, расположение и закрепление в каждом сквозном отверстии активного тепловыделяющего компонента с обеспечением расположения их лицевых сторон в одной плоскости, электрическое соединение контактных площадок активного тепловыделяющего компонента с топологическим рисунком металлизации многослойной диэлектрической подложки. При этом одну часть отдельных диэлектрических слоев подложки изготавливают со сквозным отверстием, сечением соразмерным активному тепловыделяющему компоненту с превышением не более 0,5 мм, другую часть - с меньшим сечением при соотношении их площади сечения 1,4-10 соответственно, сквозные отверстия последних заполняют материалом металлизационного покрытия, а при формировании последовательности многослойной диэлектрической подложки с ее лицевой стороны располагают отдельные диэлектрические слои с большим сечением, с обратной стороны - с меньшим. Изобретение обеспечивает повышение технологичности и электрических характеристик. 2 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.

Изобретение относится к гибридным интегральным схемам СВЧ и предназначено для радиоэлектронных устройств различного назначения, в том числе радиолокационных станции с фазированными антенными решетками (ФАР)

Изобретение относится к электронной технике, а именно интегральным схемам СВЧ, и может быть широко использовано в электронной технике СВЧ, в частности в радиолокационных станциях с фазированными антенными решетками (ФАР)

Изобретение относится к электронной технике, а именно к монолитным интегральным схемам СВЧ, и может быть использовано в твердотельных модулях СВЧ различного функционального назначения

Изобретение относится к электронной технике, а именно к устройствам для испытания планарных элементов интегральных схем на полупроводниковых пластинах

Изобретение относится к электронной технике, а именно к устройствам для измерения электрических характеристик планарных элементов интегральных схем на полупроводниковых или диэлектрических пластинах

 


© Патентный поиск, поиск патентов на изобретения - FindPatent.RU 2012-2024
Политика конфиденциальности
Наверх