Патенты автора Духновский Михаил Петрович (RU)
Электронная отпаянная пушка для вывода электронного потока в атмосферу или иную газовую среду // 2680823
Изобретение относится к электронной технике, а именно к электронным отпаянным пушкам и ускорителям электронов, предназначенным для вывода электронного потока из вакуумной области пушки и ускорителя в атмосферу или иную газовую среду, и может быть использовано в полупроводниковой электронике для создания мощных миниатюрных структур, в квантовой электронике в электроионизационных лазерах, в медицине для стерилизации инструментов и поверхности биологических объектов, в плазмохимии для полимеризации, ускорения химических реакций, а также в других областях техники. Электронная отпаянная пушка включает металлический корпус, в торцевой части которого на опорном основании расположено окно вывода электронов, выполненное, по крайней мере, из одного теплопроводящего диэлектрика в форме пластины с тонкими участками, разнесенными друг от друга по ее площади и от ее краев. Система принудительного охлаждения окна размещена в опорном основании и охватывает окно по азимуту. Тепловые и геометрические характеристики окна удовлетворяют неравенству λтh<λмH, где λт, λм - теплопроводности тонких участков пластины и ее среднее по объему значение, h, Н - толщина тонких участков и толщина пластины, соответственно. Внутренняя поверхность окна имеет токопроводящее покрытие, соединенное с опорным основанием и корпусом пушки. Технический результат - повышение мощности и надежности пушки за счет оптимизации конструкции окна. 10 з.п. ф-лы, 3 ил.
Изобретение относится к электронной технике и рентгенотехнике, а именно к электронным пушкам, предназначенным для инжекции высокоэнергетических электронов и рентгеновского излучения из вакуумной области пушки в атмосферу или иную среду, и может быть использовано в плазмохимии, биологии, медицине, полупроводниковой и квантовой электронике, а также других областях техники. Технический результат - расширение функциональных возможностей электронной отпаянной пушки за счет дополнительной генерации рентгеновского излучения при сохранении высокой средней плотности мощности пушки. Электронная отпаянная пушка включает катод, металлический корпус, в торце которого соосно катоду расположено неоднородное по толщине окно вывода электронов с глухими отверстиями, включающее алмазную пластину. На поверхность окна, обращенную к катоду, нанесено неоднородное по площади токопроводящее покрытие, электрически связанное с корпусом, при этом покрытие вне области глухих отверстий содержит тяжелый металл для генерации рентгеновского излучения, а электронный поток выводят наружу через алмазную пластину и глухие отверстия. 7 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к электронной технике, а именно к электронным пушкам, предназначенным для вывода электронного потока из вакуумной области пушки наружу: в атмосферу или иную газовую среду, и может быть использовано в полупроводниковой электронике для создания мощных миниатюрных структур, в квантовой электронике при изготовлении электроионизационных лазеров, в медицине для стерилизации инструментов и поверхности биологических объектов, в плазмохимии для полимеризации и ускорения медленно протекающих химических реакций, а также в других областях техники. Технический результат - повышение надежности и упрощение технологии при сохранении высокой средней плотности мощности и увеличении интегральной мощности. Электронная отпаянная пушка включает металлический корпус, в торце которого расположено сплошное окно вывода электронов. Окно состоит из двух пластин: тонкой алмазной и толстой со сквозными отверстиями, выполненной из теплопроводящего материала с коэффициентом теплопроводности более 4 Вт/см К. Поверхность окна, обращенная к катоду, имеет токопроводящее покрытие, электрически соединенное с корпусом пушки. 6 з.п. ф-лы, 3 ил.
АЛМАЗНЫЙ ТЕПЛООТВОД // 2599408
Изобретение относится к твердотельной электронике, в частности к теплоотводам полупроводниковых приборов повышенной мощности, а также может быть использовано в различных теплотехнических устройствах, работающих с большими удельными тепловыми нагрузками. Техническим результатом изобретения является повышение отводимой мощности от локального источника тепла. Алмазный теплоотвод выполнен в виде слоистой структуры из алмазных пластин, при этом толщина слоистой структуры больше минимального вдоль поверхности структуры размера локального источника тепла. 6 з.п. ф-лы, 4 ил.
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ АЛМАЗА // 2593641
Изобретение относится к способам обработки поверхности алмаза для его использования в электронной технике СВЧ. Способ включает взаимное расположение в одной плоскости исходной поверхности алмаза и металлической поверхности из стали, обеспечение непосредственного контакта упомянутых поверхностей, термическую обработку исходной поверхности алмаза на заданную глубину, обеспечивающую заданную конечную поверхность алмаза, при этом предусматривающую нагрев упомянутых поверхностей в инертной среде, с заданной скоростью, вблизи температуры образования эвтектического сплава железо - углерод, выдержку при этой температуре и естественное охлаждение, при этом металлическую поверхность из стали берут с содержанием углерода 3,9-4,1 мас. %, с классом чистоты поверхности со стороны контакта упомянутых поверхностей не менее 14, контакт упомянутых поверхностей осуществляют по всей их поверхности либо локально согласно заданной конечной поверхности алмаза, нагрев упомянутых поверхностей осуществляют при температуре 1090-1135°С, в процессе нагрева исходной поверхности алмаза и металлической поверхности из стали и выдержки осуществляют их перемещение в плоскости контакта относительно друг друга циклически, причем выдержку при упомянутой температуре осуществляют в течение времени (tвыд., с), перемещение исходной поверхности алмаза и металлической поверхности из стали относительно друг друга осуществляют со скоростью перемещения (vпер., мм/с) и количестве циклов перемещения (n), значения величин которых определяют из соответствующих выражений. Технический результат - повышение качества обработки за счет снижения шероховатости поверхности алмаза. 6 з.п. ф-лы, 1 табл., 21 пр.
Изобретение относится к электронной технике, а именно к электронным пушкам, предназначенным для вывода электронного потока из вакуумной области пушки наружу: в атмосферу или иную газовую среду, и может быть использовано в полупроводниковой и квантовой электронике, в медицине, в плазмохимии. Технический результат - повышение средней плотности мощности. Электронная отпаянная пушка включает металлический корпус, в торце которого соосно катоду расположено окно вывода электронов. Окно выполнено из теплопроводящего диэлектрика переменной толщины по площади окна, поверхность диэлектрика, обращенная к катоду, имеет токопроводящее покрытие, электрически связанное с корпусом пушки. 6 з.п. ф-лы, 2 ил.
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ АЛМАЗА // 2579398
Изобретение относится к технологии обработки алмаза и может быть использовано в микроэлектронной технике СВЧ. Способ обработки поверхности алмаза включает взаимное расположение в одной плоскости исходной поверхности алмаза и металлической поверхности из стали, обеспечение непосредственного контакта упомянутых поверхностей, термическую обработку исходной поверхности алмаза на заданную глубину, обеспечивающую заданную конечную поверхность алмаза, при этом предусматривающую нагрев упомянутых поверхностей до температуры образования эвтектического сплава железо - углерод, выдержку при этой температуре и естественное охлаждение, причем металлическую поверхность из стали берут с содержанием углерода 3,9-4,1 мас. %, с классом чистоты поверхности со стороны контакта упомянутых поверхностей не менее 12, контакт упомянутых поверхностей осуществляют по всей их поверхности либо локально согласно заданной конечной поверхности алмаза, нагрев упомянутых поверхностей осуществляют в среде азота или инертного газа при температуре 1090-1135°C, с заданной скоростью, выдержку при этой температуре осуществляют в течение времени, определяемого из выражения: tвыд=d/f(Т,(Nэс-Nс)), где d - заданная глубина термической обработки исходной поверхности алмаза, мкм, Nэс - содержание углерода в эвтектическом сплаве железо - углерод исходной поверхности алмаза и металлической поверхности из стали, мас. %, Nc - содержание углерода металлической поверхности из стали, мас. %, f(T,(Nэс-Nс)) - функция скорости термической обработки исходной поверхности алмаза на заданную глубину от температуры нагрева упомянутых поверхностей и разницы содержания углерода в эвтектическом сплаве железо - углерод и металлической поверхности из стали. Технический результат - повышение качества обработки путем снижения шероховатости поверхности алмаза. 4 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл., 21 пр.
Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления полупроводниковой гетероструктуры для мощного полевого транзистора СВЧ включает расположение предварительно обработанной монокристаллической полуизолирующей подложки арсенида галлия на подложкодержатель в реакторе газофазной эпитаксии, запуск газа-носителя - водорода, нагрев подложкодержателя до рабочей температуры, запуск ростовых технологических газов и последующее наращивание в едином технологическом цикле последовательности слоев заданной полупроводниковой гетероструктуры. Каждый из последовательности слоев заданной полупроводниковой гетероструктуры - буферный слой GaAs, донорный слой n+-GaAs, спейсерный слой GaAs, канальный слой InyGa1-yAs, спейсерный слой AlxGa1-xAs, донорный слой n+-AlxGa1-xAs, барьерный слой AlxGa1-xAs, стоп-слой InzGa1-zP, барьерный слой AlxGa1-xAs, градиентный слой n+-AlxGa1-xAs, контактный слой n+-GaAs - наращивают при определенных технологических режимах, причем содержание химических элементов x, y, z определяются неравенствами 0,20≤x≤0,24, 0,21≤y≤0,28, 0,48≤z≤0,51 соответственно. Изобретение обеспечивает снижение плотности дефектов и повышение выхода годных полупроводниковых гетероструктур, повышение выходной мощности и выхода годных полевого транзистора СВЧ. 5 табл.
ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРА // 2563544
Изобретение относится к электронной технике. Полупроводниковая гетероструктура для мощного полевого транзистора СВЧ содержит на монокристаллической полуизолирующей подложке арсенида галлия последовательность полупроводниковых слоев каждый с заданными функциональными свойствами и техническими характеристиками - толщиной слоев, составом - качественным и количественным, концентрацией легирующей примеси. Полупроводниковая гетероструктура выполнена в виде прямой последовательности следующих упомянутых полупроводниковых слоев: буферный слой - GaAs, толщиной (150-400) нм, донорный слой - GaAs, толщиной (2-3) нм, легированный кремнием с концентрацией (6-8)×1018 см-3, спейсерный слой - GaAs, толщиной (2-5) нм, канальный слой - InyGa1-yAs, толщиной (8-12) нм, с содержанием химических элементов при у, равном (0,21-0,28), спейсерный слой - AlxGa1-xAs, толщиной (2-5) нм, с содержанием химических элементов при х, равном (0,20-0,24), донорный слой - AlxGa1-xAs, толщиной (3-6) нм, легированный кремнием с концентрацией (5-8)×1018 см-3, с содержанием химических элементов при х, равном (0,20-0,24), барьерный слой - AlxGa1-xAs, толщиной (10-30) нм, с содержанием химических элементов при х, равном (0,20-0,24), стоп-слой - InyGa1-yP, толщиной (2-4) нм, с содержанием химических элементов при y, равном (0,48-0,51), барьерный слой - AlxGa1-xAs, толщиной 10-20 нм, с содержанием химических элементов при х, равном (0,20-0,24), градиентный слой AlxGa1-xAs, толщиной (8-12) нм, легированный кремнием с концентрацией (3-5)×1018 см-3, толщиной (8-12) нм, легированный кремнием с концентрацией (3-5)×1018 см-3, с содержанием химических элементов при х, равном (0,20-0,24), с линейным изменением х до ноля по толщине слоя со стороны полуизолирующей подложки арсенида галлия, контактный слой - GaAs из двух частей - нижней, толщиной (30-50) нм, легированной кремнием с концентрацией (3-5)×1018 см-3, верхней, толщиной (10-20) нм, легированной кремнием с концентрацией (8-10)×1018 см-3, причем количественный состав упомянутых полупроводниковых слоев выражен в мольных долях. Технический результат - снижение плотности дефектов и повышение выхода годных полупроводниковых гетероструктур, повышение выходной мощности и верхней границы частотного диапазона и соответственно расширение диапазона рабочих частот полевого транзистора СВЧ и его выхода годных. 1 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ СВЧ // 2557317
Изобретение относится к электронной технике. В способе изготовления интегральной схемы СВЧ, включающем изготовление диэлектрической подложки из алмаза толщиной 100-200 мкм, нанесение на нее металлизационного покрытия, формирование активных и пассивных элементов, элементов линий передачи, выводов, элементов заземления, предварительно изготавливают слой кристаллического полуизолирующего кремния с толщиной 350-500 мкм и предусматривающий обработку его поверхности с лицевой стороны с шероховатостью не ниже 14 класса, а диэлектрическую подложку из алмаза изготавливают на лицевой стороне слоя кристаллического полуизолирующего кремния, далее слой кристаллического полуизолирующего кремния с обратной стороны утоняют, а активные и пассивные элементы, элементы линий передачи и выводы формируют на обратной стороне слоя кристаллического полуизолирующего кремния, в диэлектрической подложке из алмаза и слое кристаллического полуизолирующего кремния со стороны диэлектрической подложки из алмаза изготавливают сквозные отверстия с топологией, обеспечивающей заземление, а далее наносят металлизационное покрытие на диэлектрическую подложку из алмаза и одновременно на стенки упомянутых сквозных отверстий. Изобретение обеспечивает улучшение электрических характеристик интегральной схемы при одновременном повышении надежности, воспроизводимости, снижении трудоемкости изготовления, уменьшении массогабаритных характеристик. 2 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.
ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ // 2489770
Изобретение относится к гибридным интегральным схемам СВЧ и предназначено для радиоэлектронных устройств различного назначения, в том числе радиолокационных станции с фазированными антенными решетками (ФАР)
Изобретение относится к области получения структур, используемых, например, для изготовления полевых транзисторов и элементов памяти, необходимых для применения в микроэлектронике, системотехнике
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛАСТИНЫ КОМБИНИРОВАННОГО ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО И МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО АЛМАЗА // 2489532
Изобретение относится к технологии химического осаждения из газовой фазы алмазных пленок и может быть использовано, например, для получения алмазных подложек, в которых монокристаллический и поликристаллический алмаз образует единую пластину, используемую в технологии создания электронных приборов на алмазе или применяемую в рентгеновских монохроматорах, где необходимо осуществить теплоотвод от монокристаллического алмаза
ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ // 2474921
Изобретение относится к электронной технике, а именно интегральным схемам СВЧ, и может быть широко использовано в электронной технике СВЧ, в частности в радиолокационных станциях с фазированными антенными решетками (ФАР)
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для монтажа и одновременно для отвода тепла от активных элементов как отдельных изделий электронной техники, так и радиоэлектронных устройств различного назначения
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ДЕТАЛИ ИЗ КОМПОЗИЦИОННОГО МАТЕРИАЛА АЛМАЗ - КАРБИД КРЕМНИЯ - КРЕМНИЙ // 2402509
Изобретение относится к способам обработки поверхности деталей из композиционных материалов типа «алмаз - карбид кремния - кремний» и может быть использовано, в частности, при изготовлении инструмента и конструкционных деталей для машиностроения
Изобретение относится к технологии получения изделий из поликристаллического алмаза, получаемого из смеси метана и водорода в плазме разряда
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕПЛОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК МАТЕРИАЛА И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ // 2319950
Изобретение относится к измерительной технике
