Патенты автора Аленков Владимир Владимирович (RU)
Изобретение относится к способам изготовления чувствительных элементов датчиков физических величин, в частности к способам механической обработки чувствительных пьезоэлектрических элементов для оптических измерительных трансформаторов напряжения. Технический результат: достижение высокой плоско-параллельности торцевых поверхностей заготовок. Сущность: способ включает резку объемного пьезоэлектрического кристалла на серию идентичных по форме, длине и кристаллографической ориентации заготовок, где каждая из заготовок имеет цилиндрическую форму, а также длину не менее 40 мм, площадь торцевых поверхностей не более 3 см2 и кристаллографическую ориентацию вдоль оси X, совпадающую с длиной заготовки, последующие шлифовку и химико-механическую полировку торцевых резаных поверхностей заготовок. Шлифовку и химико-механическую полировку торцевых поверхностей каждой из заготовок производят с использованием приспособления, представляющего собой цилиндр с соосным центральным отверстием. Перед проведением шлифовки и химико-механической полировки заготовку предварительно устанавливают в центральное отверстие приспособления и склеивают с приспособлением. Затем совместно шлифуют и полируют, а по достижении предварительно заданной величины плоскостности, параллельности и шероховатости торцевых поверхностей получаемого чувствительного элемента приспособление и заготовку расклеивают. Приспособление изготавливают из идентичного пьезоэлектрического материала, что и заготовка, имеющего идентичную кристаллографическую ориентацию X. 5 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к сцинтилляционным неорганическим оксидным монокристаллам со структурой граната, содержащим гадолиний, иттрий, церий, бериллий и солегированным не менее чем одним элементом второй группы из Mg, Са, Sr. Изобретение позволяет увеличить выход сцинтилляций, уменьшить его температурную зависимость, укоротить кинетику сцинтилляций и повысить энергетическое разрешение сцинтилляционных детекторов при регистрации ионизирующего излучения. Технический результат достигается за счет того, что включающий иттрий и гадолиний монокристалл со структурой граната легирован церием и бериллием и одним из элементов второй группы Ва, или Sr, или Са в заданном соотношении. Данный монокристалл получают методом Чохральского с последующим изотермическим отжигом. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 2 табл.
Изобретение относится к сцинтилляционным неорганическим оксидным монокристаллам со структурой граната, предназначенным для датчиков ионизирующего излучения в задачах медицинской диагностики, экологического мониторинга, неразрушающего контроля и разведке полезных ископаемых, экспериментальной физике, устройствах для измерения в космосе. Монокристалл со структурой граната для сцинтилляционных датчиков представляет собой соединение, описываемое формулой ((Gd1-rYr)1-s-xMesCex)3-z(Ga1-y-qAlyTiq)5+zO12, причем q находится в диапазоне от 0,00003 до 0,02; r находится в диапазоне от 0 до 1; х находится в диапазоне от 0,001 до 0,01; y находится в диапазоне от 0,2 до 0,6; z находится в диапазоне от -0,1 до 0,1; s находится в диапазоне от 0,0001 до 0,1, при этом Me обозначает, по крайней мере, один элемент из ряда Mg, Са, Sr, Ва. Изобретение позволяет увеличить выход сцинтилляций в расширенном интервале температур (от минус 20°C до плюс 50°C) и повысить энергетическое разрешение сцинтилляционных детекторов при регистрации гамма-квантов. Технический результат достигается за счет того, что монокристалл со структурой граната солегирован церием, титаном и элементами второй группы в заданном соотношении. Данный монокристалл получают методом Чохральского с последующим изотермическим отжигом. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 2 табл., 17 пр.
Способ откачки ЭВП // 2644553
Изобретение относится к области электровакуумной техники, в частности к ускоренному переводу адсорбционных газовых слоев в свободный газ с помощью тепловых и механических средств, а именно к откачке газа из объема электровакуумного прибора (ЭВП). Технический результат - уменьшение длительности откачки и энергетических затрат на откачку. В способе откачки ЭВП, включающем откачку воздуха из объема корпуса ЭВП, в который помещен катод, с одновременным приложением к корпусу ультразвуковых колебаний, корпус нагревают в условиях прохождения ультразвуковых колебаний при частоте максимального прохождения ультразвуковой волны через ЭВП. Нагревание корпуса ЭВП при частоте максимального прохождения ультразвуковых колебаний создает не известный ранее эффект ускоренного разрыва адсорбционных связей молекул воздуха с поверхностью материала, приводящий к увеличению десорбционных потоков, и является физической причиной уменьшения длительности откачки. 2 ил.
СПОСОБ ПРОМЫШЛЕННОГО ПРОИЗВОДСТВА ПРЕЦИЗИОННЫХ ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ // 2626080
Изобретение относится к технологии изготовления пьезоэлектрических чувствительных элементов из пьезоэлектрических материалов и может быть использовано при изготовлении датчиков динамического давления для двигателей внутреннего сгорания из синтетических кристаллов галлотанталата лантан La3Ga5,5Ta0,5O14. Сущность: каждый датчик формируют из трех чувствительных элементов идентичной длины. Каждый чувствительный элемент вырезают в форме прямоугольного бруска из термически обработанных монокристаллов галлотанталата лантана. Каждый чувствительный элемент имеет кристаллографическую ориентацию (22.0), длина чувствительного элемента совпадает с направлением, отвечающим на воздействие динамического давления. Чувствительные элементы изготавливают в едином технологическом цикле в три этапа. На первом этапе кристалл галлотанталата лантана режут вдоль кристаллографического полярного направления X с шагом, задающим толщину чувствительного элемента, на заготовки первого типа, имеющие плоскости реза кристаллографической ориентации (22.0), и шлифуют до заданной толщины и шероховатости. На втором этапе полученные заготовки первого типа с плоскостями реза X режут вдоль направления Y с шагом, задающим длину чувствительного элемента вдоль оси <0.10>, на заготовки второго типа. На третьем этапе полученные заготовки второго типа с плоскостями реза Y режут вдоль направления Z с шагом, определяющим ширину чувствительного элемента вдоль оси <00.1>, на заготовки третьего типа. Перед выполнением второго и третьего этапов предварительно полученные заготовки первого типа и второго типа склеивают в блоки и подвергают полученные блоки двухсторонней шлифовке и полировке до достижения заданного размера чувствительного элемента вдоль направления <01.0> и направления <00.1>. После выполнения второго и третьего этапов резки указанные блоки из заготовок первого и второго типов расклеивают и отмывают в органическом растворителе. На третьем этапе получают конечный продукт в виде серии чувствительных элементов идентичной длины, каждый из которых имеет кристаллографическую ориентацию (22.0). Технический результат: возможность получения в промышленных масштабах идентичных по геометрическим размерам микроминиатюрных чувствительных элементов с величиной разброса по линейным размерам не более ±0,5 мкм. 4 з.п. ф-лы.
МЕТОД ВЫРАЩИВАНИЯ НЕПОЛЯРНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ НИТРИДОВ ЭЛЕМЕНТОВ III ГРУППЫ // 2315135
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых материалов и приборов методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений, а именно к изготовлению гетероструктур на основе элементов III группы и приборов на их основе, таких как белые светодиоды, лазеры и т.д
Изобретение относится к обработке пьезоэлектрических подложек, в частности касается прецизионной обработки пластин лантангаллиевого силиката ориентации (0, 138.5, 26.7) методом шлифовки и полировки
Изобретение относится к технологии получения кристаллов с триклинной сингонией
