Патенты автора Непомнящий Сергей Васильевич (RU)
Изобретение может быть использовано в излучателях или в фотоприемниках среднего инфракрасного диапазона. Способ изготовления полупроводниковой структуры на основе селенида свинца, содержащей подложку и пленку селенида свинца, включает формирование поликристаллической пленки селенида свинца и ее последующую термическую обработку в кислородсодержащей среде, при этом согласно изобретению поликристаллическую пленку селенида свинца формируют на подложке, выполненной из материала, имеющего температурный коэффициент линейного расширения, лежащий в диапазоне от 10·10-6 °С-1 до 26·10-6 °С-1. Изобретение обеспечивает возможность создания фоточувствительных и излучающих структур на основе селенида свинца, у которых максимум спектральных характеристик находится в диапазоне длин волн 4,0<λ≤5,0 мкм. 5 з.п. ф-лы, 3 пр., 3 ил.
Изобретение относится к измерительной технике, а именно к приборам контроля содержания углеводородов в атмосфере
Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к устройствам для определения концентраций газов в многокомпонентных смесях
