Патенты автора Буянов Александр Борисович (RU)

Изобретение относится к таким областям электрофизики, как высоковольтная импульсная техника, сильноточная полупроводниковая электроника, физика плазмы, и может быть использовано для генерации электромагнитных возмущений в больших объемах низкотемпературной магнитоактивной плазмы посредством формирования в излучающей антенне импульсов тока как стандартной (синус, прямоугольный, пилообразный), так и произвольной формы в целях проведения научно-исследовательской деятельности. Технический результат - расширение функциональных возможностей устройства для генерации электромагнитных возмущений в низкотемпературной магнитоактивной плазме за счет обеспечения возможности формирования в антенне как пакетов импульсов со сложным гармоническим составом, так и импульсов тока произвольной формы. Устройство для генерации электромагнитных возмущений в низкотемпературной магнитоактивной плазме содержит источник импульсов тока и изолированную от плазмы антенну, генерирующую электромагнитные возмущения и выполненную в виде катушки с током, размещаемой внутри плазменного объема. Источник импульсов тока состоит из n одинаковых последовательно соединенных сегментов, причем каждый сегмент содержит обходной диод, к которому через управляемый коммутатор параллельно подключен элементарный источник постоянного тока, а обходной диод включен обратно по отношению к полярности элементарного источника тока, при этом к выводам источника импульсов тока подключены две параллельные одинаковые ветви, причем каждая ветвь содержит последовательно соединенные переключатель полярности импульса тока в виде управляемого коммутатора и резистор, а генерирующая электромагнитные возмущения антенна подключена между точками присоединения резисторов к переключателям полярности. 3 ил.

Изобретение относится к высоковольтной импульсной технике, к сильноточной электронике, физике плазмы и может быть использовано для создания стационарных магнитных полей с напряженностями ~10 кА/м в объемах ~10 м3 в целях проведения научно-исследовательской деятельности. Техническим результатом предложенного изобретения является повышение стабильности параметров формируемого магнитного поля за счет стабилизации тока в соленоиде. Сущность изобретения: в устройстве формирования квазипостоянного сильного магнитного поля в больших объемах, содержащем последовательно соединенные источник питания и соленоид, новым является то, что источник питания выполнен в виде батареи гальванических элементов, между источником питания и соленоидом включен сильноточный коммутатор, причем параллельно выводам сильноточного коммутатора подключена схема, защищающая его от импульсного перенапряжения, также параллельно соленоиду к участку цепи между сильноточным коммутатором и соленоидом катодом подключен замыкающий диод, а между точкой присоединения катода замыкающего диода к цепи и соленоидом включена схема контроля параметров тока. 2 ил.

Изобретение относится к области физики плазмы, газового разряда, сильноточной электроники и т.д. и может быть использовано для генерации магнитоактивной низкотемпературной плазмы в больших объемах в целях проведения научно-исследовательской деятельности. Технический результат - повышение стабильности параметров формируемой плазмы за счет стабилизации тока газового разряда. В устройстве для формирования низкотемпературной магнитоактивной плазмы в больших объемах, содержащем последовательно соединенные сетчатый анод, сильноточный коммутатор, потенциальный источник и термокатод, причем термокатод и анод помещены в вакуумную камеру и продольное магнитное поле, а также замыкающий разрядный промежуток диод. Потенциальный источник выполнен в виде батареи гальванических элементов, а между потенциальным источником и термокатодом включен дроссель, причем замыкающий диод подключен катодом к участку цепи между дросселем и потенциальным источником. 1 ил.

Изобретение относится к области физики плазмы, газового разряда, радиоэлектроники и т.д. и может быть использовано для измерения параметров слабых магнитных полей и МГД волн в низкотемпературной магнитоактивной плазме. Техническим результатом является уменьшение погрешности измерения характеристик переменного магнитного поля за счет снижения в измерительном контуре паразитных сигналов. Устройство для измерения параметров слабого магнитного поля в низкотемпературной магнитоактивной плазме содержит высокочастотный магнитный зонд в виде трех двухсекционных обмоток, выполненных витой парой, размещенных ортогонально на немагнитном кубическом каркасе. Секции каждой обмотки подключены к своему дифференциальному усилителю, все дифференциальные усилители подключены к многоканальному регистратору напряжения и к источнику питания. Для достижения технического результата источник питания усилителей гальванически развязан с сетью переменного напряжения, а каждая секция обмотки состоит из четного количества слоев с одинаковым числом витков и с односторонним направлением намотки, при этом нечетные слои намотаны в одну сторону по оси обмотки, а четные - в обратном направлении. 4 ил.

Изобретение относится к высоковольтной импульсной технике. Технический результат заключается в упрощении управления временем коммутации разрядника за счет упрощения конструкции. Технический результат достигается за счет генератора импульсного напряжения, содержащего коаксиальную одинарную формирующую линию, разрядный узел, передающую линию и нагрузку, в предложенном генераторе коаксиальная одинарная формирующая линия и разрядный узел функционально разделены на два самостоятельно функционирующих элемента, в качестве разрядного узла использован неуправляемый разрядник, неуправляемый разрядник включен в электрическую цепь между одинарной формирующей линией и нагрузкой, при этом неуправляемый разрядник расположен в полосковой линии, один конец которой подключен к генератору постоянного напряжения через зарядное сопротивление, а на другом ее конце размещен закорачивающий разрядник, причем ось неуправляемого разрядника ориентирована вдоль полосковой линии, неуправляемый разрядник расположен на расстоянии l1=τν/2 от закорачивающего разрядника, где τ - требуемая длительность формируемого электрического импульса, ν - скорость распространения электромагнитной волны по полосковой линии, а длина одинарной формирующей линии (ОФЛ) составляет lОФЛ=2l1=τν. 2 ил.

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для диагностики неоднородного слоя плазмы, контроля параметров плазмы в технологических установках, в исследованиях по моделированию плазмы ионосферы. Способ включает следующие операции: устанавливают в плазму по крайней мере два идентичных зонда, при этом расстояние между зондами выбирают из условия отсутствия влияния друг на друга областей возмущения от установки зондов; осуществляют зондирование плазмы путем одновременного приложения одинакового импульса напряжения ко всем зондам; с помощью устройств регистрации, к которым подключают соответствующие зонды независимо друг от друга и которые работают от автономных источников питания и снабжены средствами изоляции от сети переменного напряжения, регистрируют ток; зарегистрированные сигналы передают на персональный компьютер для обработки и построения вольт-амперных характеристик с определением концентрации электронов в областях установки зондов; по полученным результатам определяют пространственно-временное распределение параметров плазмы и динамизм ее состояния. Технический результат - повышение точности определения состояния плазмы путем определения пространственно-временного распределения ее параметров в одном импульсе плазмы. 5 ил.

Заявленная группа изобретений относятся к области электрофизики, в частности к технике диагностики плазмы, и может быть использована для измерения электронной концентрации и температуры нестационарной плазмы в широком диапазоне исследуемых параметров. Заявленный способ включает установку зонда в плазму, приложение к зонду дискретных ступенчатых импульсов напряжения, регистрацию вольтамперной характеристики, измеряют потенциал пространства плазмы, напряжение каждой последующей ступени в импульсе задают большим по сравнению с предыдущей, ступени формируют с временными интервалами между ними, во время которых потенциал на зонде устанавливают равным потенциалу пространства плазмы. При этом длительность каждой ступени и интервалы времени между ними устанавливают не менее времени восстановления квазинейтральности плазмы. Устройство для зондовой диагностики плазмы содержит источник питания, зонд, генератор дискретных ступенчатых импульсов напряжения и блок измерения, генератор запускающих импульсов, соединенный с генератором дискретных ступенчатых импульсов. Генератор дискретных ступенчатых импульсов состоит из блока коммутации, источников постоянной ЭДС и микропроцессора, управляющего блоком коммутации, а блок измерения включает набор переключаемых резисторов. Технический результат заключается в повышении точности определения параметров плазмы (концентрации и температуры). 2 н. и 5 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к высоковольтной импульсной технике, к схемам генерирования электрических импульсов и может быть использовано, например, для: запитки геофизических диполей, соленоидов с различным энергозапасом, стационарных и мобильных передающих антенн мощностью ~1 МВт, испытания измерительных элементов, силовых трансформаторов путем их нагружения килоамперными токами большой длительности и т.д

Изобретение относится к высоковольтной импульсной технике, к преобразовательной технике и может быть использовано в частности для запитки геофизических диполей, соленоидов с высоким энергозапасом, для испытания силовых трансформаторов путем их нагружения килоамперными токами большой длительности и др

Изобретение относится к приборостроению, в частности к пневмоавтоматике для регулирования и поддержания постоянного расхода газа, и может быть использовано в приборах для научных исследований, в медицинских приборах, в газовой и других отраслях промышленности

 


Наверх