Патенты автора Саркаров Таджидин Экберович (RU)
СПОСОБ ЗАЩИТЫ КРИСТАЛЛОВ НА ОСНОВЕ СТЕКЛА // 2792924
Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов и интегральных схем, в частности к способам защиты слоем стекла, с целью защиты поверхности кристаллов р-n-переходов от различных внешних воздействий. Сущность способа заключается в том, что на чистую полупроводниковую поверхность кристалла с р-n-переходом наносят слой защитного стекла, состоящий из смеси микропорошков со спиртом, в состав которого входят 55% окиси кремния SiO2; 13% окиси бора В2О3; 5,0 окиси лития Li2O3 и 3% окиси алюминия Al2O3. После термообработки в вакууме при температуре 230±10°С в течение 12±3 минут образуется стеклообразная пленка толщиной 0,9±1 мкм. После чего на поверхности кристаллов наращивается пленка SiO2 разложением этилокремниевой кислоты. Далее производится ее сплавление с нижним слоем стекла при температуре 700°С. Технический результат заключается в достижении стабильности и уменьшении температуры и длительности процесса.
Изобретение относится к технологии изготовления мощных транзисторных приборов, в частности к способам защиты поверхности полупроводниковой структуры от различных внешних воздействий. Сущность способа защиты структур на основе алюмосиликатного стекла заключается в том, что на чистую поверхность полупроводниковой структуры с p-n-переходом наносят слой на основе алюмосиликатного стекла, состоящего из смеси в состав которого входят: 45±5% окиси кремния -SiO2; 15±5% окиси алюминия -Al2O3; 30±5% окиси бария -ВаО и 0,09±0,01% оксида натрия -Na2O. Процесс проводят при рабочей температуре -750±50°С. Толщина стекла составляет 1,0±0,2 мкм. Алюмосиликатные стекла обладают высокими температурами размягчения, низкими диэлектрическими потерями и в некоторых случаях являются конкурентами керамике. Изобретение обеспечивает повышение стабильности приборов и уменьшение температуры и длительности процесса.
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к способам защиты поверхности кремниевой структуры от различных воздействий. Сущность способа защиты кремниевых структур на основе свинцово-силикатного стекла заключается в том, что на чистую поверхность кремниевой структуры наносят слой свинцово-силикатного стекла, состоящего из смеси, в состав которой входит: 50±5% окиси свинца - PbO; 30±5% окиси кремния - SiO2; 8±2% окиси алюминия - Al2O3 и 13±2% оксида лития - LiO. Процесс проводят при рабочей температуре - 700±50°С. Толщина слоя стекла составляет 0,8±0,2 мкм. Изобретение обеспечивает уменьшение температуры и длительности процесса.
Изобретение относится к системам радиолокации. Способ формирования эллиптической диаграммы направленности для активной фазированной антенной решетки, содержащей линии задержки, причем линии задержки в антенне настраиваются таким образом, что прием и передача осуществляются электромагнитным излучением, сходящимся в фокусе эллипсоида. Технический результат заключается в возможности формирования эллиптической диаграммы направленности с возможностью изменения параметров АФАР для определения азимута, угла места и дистанции до цели. 2 ил.
СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ СТЕКЛА // 2534563
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам защиты поверхности кристаллов p-n переходов от различных внешних воздействий. Техническим результатом изобретения является достижение стабильности и снижение проникновения ионов натрия. В способе нанесения стекла для защиты поверхности кристаллов p-n переходов от различных внешних воздействий на чистую поверхность полупроводниковой подложки наносят слой боратного стекла, в состав которого входят следующие компоненты: 25% окиси кремния, 40% бората цинка, 20% окиси алюминия и 15% окиси цинка ZnO. При температуре процесса 700°C образуется пленка боратного стекла толщиной 1,2 мкм.
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам защиты кристаллов p-n-переходов. Техническим результатом изобретения является достижение стабильности и уменьшение температуры и длительности процесса. В способе защиты поверхности кристаллов p-n переходов на поверхность кристалла наносят слой защитного стекла, состоящего из смеси микропорошков со спиртом, в состав которого входят: 60% окиси кремния - SiO2 и 28% окиси бора - B2O3. После термообработки в вакууме при температуре 280±10°C в течение 18±2 минут образуется стеклообразная пленка толщиной 0,45±0,5 мкм. Далее производится ее сплавление с нижним слоем стекла при температуре 600°C.
Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов и интегральных схем, в частности к способам обработки подложек для формирования контактных окон
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения защитных пленок
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК ОКСИДА ЦИРКОНИЯ // 2341849
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения тонкопленочных конденсаторов
Изобретение относится к устройствам для получения металлических лент с аморфной структурой
