Патенты автора Гаджиев Хаджимурат Магомедович (RU)

Изобретение может быть использовано в области опреснения морской воды. Способ осуществляют в опреснительной установке с полупроводниковым термоэлектрическим охлаждающим устройством, при этом способ включает доведение морской воды до кипения с последующей конденсацией водяного пара на поверхности охлаждающего устройства и отводом пресной воды. Морскую воду доводят до кипения при температуре окружающей среды посредством искусственного понижения атмосферного давления, при этом используют опреснительную установку, состоящую из двух герметичных камер (2, 3) с резервуарами для морской и пресной воды, выполненными с зеркальными стенками, с созданием пониженного давления в камерах поочередно за счет откачки воздуха (18) насосом (1) через воздушные электромагнитные клапаны (7, 11). Для охлаждения водяного пара используют полупроводниковое термоэлектрическое охлаждающее устройство (21) с ультрафиолетовым излучением. Способ обеспечивает сокращение энергетических затрат и экологическую безопасность работы опреснительной установки, уменьшение температуры кипения морской воды до температуры окружающей среды с одновременной дезинфекцией воды ультрафиолетовым излучением. 1 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении надежности обеспечения защиты информации. Способ кодирования информации в компьютерных сетях с использованием переменного PIN-кода, наборов случайных чисел и функциональных преобразований, проводимых синхронно для передающей и принимающей сторон, требующий регистрации пользователей в компьютерной сети, отличающийся тем, что при регистрации каждый пользователь получает способ формирования переменного PIN-кода по присылаемым пользователю числовым таблицам, а также тем, что для каждого передаваемого или принимаемого в компьютерных сетях информационного бита формируется однобитный пароль при помощи переменного PIN-кода, задаваемого один раз для всего цикла обмена информацией, и наборов случайных чисел, присылаемых пользователю для совместного вычисления однобитного пароля на устройстве функциональных преобразований, персональных для каждого пользователя для каждого информационного бита, причем на передающей стороне к информационному биту прибавляется однобитный пароль с последующей передачей результирующего закодированного бита по компьютерным сетям. 1 ил.

Изобретение относится к радиотехнике, в частности к конструкции 3D-принтеров на основе метода SLS. Цель изобретения - расширение диапазона печатаемых изделий за счет применения нескольких типов частиц порошкообразного материала с различными электрофизическими свойствами для поэтапного изготовления изделия в каждом напечатанном слое, состоящего из материалов различных типов. Техническим результатом является изменение конструкции 3D-принтера за счет добавления дополнительных контейнеров, способных перемещаться относительно рабочей зоны в горизонтальной плоскости и содержащих частицы порошкообразного материала с различными электрофизическими свойствами, что позволит проводить поэтапное спекание разнородных материалов при печати каждого слоя. Указанный технический результат достигается тем, что можно будет использовать 3D-принтер для печати изделий из различных по электрофизическим свойствам материалов, отличающийся тем, что вместо одного контейнера, содержащего частицы порошкообразного материала для спекания, с подвижным в вертикальном направлении дном, добавлено несколько однотипных контейнеров, содержащих частицы порошкообразных материалов с различными электрофизическими свойствами, которые в заданном порядке будут использованы для формирования каждого слоя печати, за счет горизонтального перемещения подвижной платформы с контейнерами относительно рабочей зоны для спекания изделия. Несмотря на усложнение конструкции 3D-принтера и усложнения алгоритма печати применение такого способа печати позволит создавать широкую номенклатуру не только радиоэлектронных изделий, но и любых многокомпонентных устройств, состоящих из различных материалов. 1 ил.

Изобретение относится к электронным компонентам микросхем. Биполярный полупроводниковый транзистор с тиристорным эффектом согласно изобретению выполнен в виде полупроводниковой n-p-n-структуры, при этом электрод базы вместо обычного металлического электрода выполнен из фоточувствительного материала, в качестве которого использован металл с малым уровнем работы выхода электронов, переход база-эмиттер является светоизлучающим, а переход база-коллектор является фоточувствительным. Изобретение направлено на повышение быстродействия биполярных транзисторов в импульсном режиме работы. В качестве материалов для изготовления биполярного полупроводникового транзистора с тиристорным эффектом могут быть использованы фосфид галлия (GaP), нитрид галлия (GaN), карбид кремния (SiC). Биполярный полупроводниковый транзистор с тиристорным эффектом может быть использован в качестве прецизионного датчика фотонов. 1 ил.

Изобретение относится к резонатору сверхвысокочастотных электромагнитных колебаний в виде диэлектрической трехгранной односторонней поверхности с металлическими обкладками. Техническим результатом является улучшение резонансных характеристик в режимах бегущей и стоячей волн с возможностью формирования электромагнитных излучений с круговой поляризацией. Для этого такой резонатор выполнен в виде кольцевой структуры, причем в каждом поперечном сечении такой поверхности имеется трехфазная емкостная составляющая, образованная треугольным диэлектриком, покрытым с трех граней металлическими обкладками, причем металлические обкладки в одном месте разрезаны и перекручены по или против часовой стрелки на угол 120 градусов, а замыкание в виде односторонней поверхности Мебиуса из этих трех металлических обкладок формирует одну металлическую обкладку в виде трех витков короткозамкнутой индуктивности. 5 ил.

Изобретение относится к активным электронным компонентам. Полупроводниковое устройство усиления потока фотонов с фоточувствительными и светоизлучающими переходами выполнено в виде двух полупроводниковых тиристоров, причем в первом тиристоре центральный p-n-переход изготовлен фоточувствительным, а боковые p-n-переходы изготовлены светоизлучающими, а во втором тиристоре центральный p-n-переход изготовлен светоизлучающим, а боковые p-n-переходы изготовлены фоточувствительными. Изобретение обеспечивает возможность усиления потока фотонов, что позволит повысить эффективность магистральных усилителей оптических сигналов в оптоволоконных линиях связи, возможность изготовления сверхчувствительных датчиков фотонов в широком динамическом диапазоне. 1 ил.

Изобретение относится к электронным компонентам микросхем. Полевой тиристор выполнен из полупроводника n-типа с одним неизолированным фоточувствительным оптическим затвором на фоточувствительном полупроводнике p-типа. При попадании фотонов на фоточувствительный оптический затвор электроны приобретают энергию и могут покинуть фоточувствительный оптический затвор, придав ему положительный заряд. Это, в свою очередь, приведет к прохождению электронов от истока с отрицательным потенциалом к стоку с положительным потенциалом, а также в сторону фоточувствительного оптического затвора через светоизлучающий p-n-переход, что вызовет генерацию фотонов. Попадание этих фотонов на фоточувствительный оптический затвор приведет к еще большему выходу электронов и увеличению на нем положительного потенциала. В результате полевой тиристор полностью будет открыт и через него будет течь максимально допустимый ток. Изобретение обеспечивает повышение быстродействия тиристора. 1 ил.

Изобретение относится к области проведения профилактических мероприятий, касающихся снежных лавин, в частности к искусственному вызову сброса лавин в заданное время. Технический результат - повышение эффективности и безопасности управления сбросом снежных лавин. Компьютеризированная система управления сбросом снежных лавин состоит из подвесной кабинки с управляющим компьютером, веб-камерой, устройством связи с оператором и источником питания. Подвесная кабинка оснащена двигателем с вращающимися цепями и лопастями и перемещается вблизи горного склона на трех тросах с электролебедками, закрепленных на левом и правом хребтах ложбины и на вершине горы, расположенных в виде треугольника. 1 ил.

Заявленное изобретение относится к электромагнитным клапанам с импульсным управлением, и предназначено для использования в системах автоматики технологических трубопроводных систем. Энергоэффективный электромагнитный гидравлический клапан, выполненный в виде герметичного цилиндрического металлического немагнитного корпуса с выходным внизу и входным сбоку патрубками. Внутри находится цилиндрический неодимовый магнит с направлением магнитного поля вдоль цилиндрической оси. Сверху и снизу внутри цилиндрического металлического немагнитного корпуса прикреплены цилиндрические пластины из магнитомягкого материала, а в верхней части находится электромагнит для воздействия импульсным магнитным полем на перемещение цилиндрического неодимового магнита. Входной патрубок присоединен к корпусу в том месте, где корпус имеет форму кольцевой полутрубы, позволяющей таким образом направить давление входящей жидкости, что оно будет полностью нейтрализовано и не сможет создавать затруднения при перемещении верх и вниз неодимового постоянного магнита при переключении режимов работы. Техническим результатом является снижение энергозатрат в процессе работы энергоэффективного электромагнитного гидравлического клапана при одновременном повышении герметичности и надежности функционирования. 7 ил.

Изобретение относится к радиотехнике. Фрактальные взаимосвязанные резонаторы сверхвысокочастотных электромагнитных колебаний выполнены в виде диэлектрических трехгранных односторонних поверхностей с металлическими обкладками и образуют кольцевую структуру. В каждом поперечном сечении такой фрактальной поверхности имеются четыре трехфазные емкости, образованные четырьмя кольцевыми треугольными диэлектриками, покрытыми с трех граней металлическими обкладками. Замыкание в виде односторонней поверхности Мебиуса из этих трех металлических обкладок формирует четыре короткозамкнутые индуктивности, каждая из которых имеет три витка. Эти металлические обкладки связаны друг с другом электрическими и магнитными полями. Техническим результатом является улучшение взаимосвязи электрических и магнитных полей в фрактальных резонаторах в режимах бегущей и стоячей волн. 3 ил.

Изобретение относится к судовым реактивным движителям. Магнитогидродинамический программно-управляемый шаговый двигатель для морских микродронов выполнен в виде двух цилиндрических труб вложенных друг в друга с ортогонально размещёнными электромагнитами. Электромагниты на внешней трубе расположены попарно с электромагнитами на внутренней трубе для формирования магнитного поля. При пошаговом изменении силы тока в электромагнитах будет изменяться скорость истечения жидкости в зависимости от выбранного направления движения. Причем, так как масса выталкиваемой жидкости будет превышать массу самого двигателя, вода будет оставаться неподвижной, а сам двигатель приобретет вращательно-поступательное движение с возможностью программно-управляемого маневрирования в любом направлении. Технический результат заключается в том, что сам двигатель вместе с микродроном приобретает вращательно-поступательное движение. 1 ил.

Изобретение относится к движителям и может быть использовано на морских судах. Магнитогидродинамический программно-управляемый вихревой двигатель для морских микродронов выполнен в виде двух цилиндрических металлических электродов, вложенных друг в друга, с тремя электромагнитами. Электромагниты расположены в форме правильного треугольника. При подаче трехфазных синусоидальных сигналов возникает вращающееся магнитное поле в пространстве между цилиндрическими электродами, в результате чего анионы морской воды будут смещаться в сторону положительного электрода по радиальному направлению, а катионы будут двигаться им навстречу, что приведет под действием силы Лоренца к вихревому вращению в пространстве между цилиндрическими электродами с одновременным выталкиванием их вдоль образующей цилиндрических поверхностей. Программное изменение параметров амплитуд и частоты синусоид позволяет осуществить управление вектором тяги двигателя. Достигается программное управление вектором тяги. 1 ил.

Изобретение относится к управлению ориентацией в пространстве, преимущественно микроспутника (МС). С этой целью по трем осям МС устанавливают отклоняемые на некоторые углы рычаги с перемещаемыми вдоль них грузиками. Для поворота МС в заданном направлении поворачивают рычаги в противоположном направлении, переместив грузики на концы рычагов для создания их максимального момента инерции. Затем производят обратный поворот рычагов в их исходное положение, перемещая грузики к основанию рычагов для создания их минимального момента инерции. В результате получают остаточный разворот МС в заданном направлении. Число таких циклов можно повторять относительно разных осей МС, добиваясь нужного разворота МС в пространстве. Технический результат направлен на упрощение системы ориентации МС и улучшение её массогабаритных характеристик. 2 ил.

Изобретение относится к радиолокации. Программно-управляемая гидроакустическая ЦАФАР на базе "стаи" морских микродронов реализована в форме распределенных компонентов единой системы и каждый микродрон, управляемый бортовым микроконтроллером, в строго определенные моменты времени выдает или принимает импульсные сигналы при помощи магнитогидродинамического излучателя гидроакустических колебаний. Причем моменты передачи или приема для каждого микродрона в зависимости от его подводных координат индивидуально подбираются управляющим командным микродроном таким образом, что только в определенной точке сканируемого пространства сигналы будут синхронизированы для пеленгации объекта, причем уровень облучающих сигналов будет меньше уровня природных акустических помех и не позволит провести обнаружение как самого факта пеленгации, так и обнаружить местоположение микродронов. Технический результат заключается в возможности скрытной пеленгации надводных и подводных объектов по результатам обработки информации от ЦАФАР «стаи» морских микродронов. 3 ил.

Использование: в области электроэнергетики для преобразования солнечной радиации в электрическую энергию. Технический результат – повышение эффективности за счет преобразования максимального количества фотонов в электричество. Полупроводниковая солнечная батарея на основе концентратора из фоточувствительных зеркальных полупрозрачных металлических электродов с использованием термоэлектрического преобразования выполнена в виде полуцилиндра, состоящего из чередующихся сегментов полупроводниковых материалов p- и n-типов, соединенных зеркальными металлическими электродами. Каждый металлический электрод состоит из двух полупрозрачных металлических электродов с разной работой выхода электронов, причем эти электроды по краям соединены диэлектрической поверхностью, а в пространстве между электродами откачан воздух для возникновения фотоэффекта. 1 ил.

Изобретение относится к радиолокации. Каждый микроспутник в строго определенные моменты времени выдает или принимает импульсные сигналы при помощи сверхрегенеративного приемопередающего устройства, управляемого бортовым микроконтроллером, причем моменты передачи или приема для каждого микроспутника в зависимости от его координат на орбите индивидуально подбираются таким образом, что только в определенной точке сканируемого пространства сигналы будут синфазны. Технический результат заключается в повышении чувствительности и энергоэффективности антенных систем. 1 ил.

Способ относится к области передачи информации и касается способа модуляции лазерного луча кварцевым резонатором с уголковыми отражателями. Способ включает в себя использование расположенного в одной плоскости набора прямоугольных тетраэдров с взаимно перпендикулярными зеркальными отражающими плоскостями. Со стороны, противоположной отражающим плоскостям, к нему прикреплен кодово-импульсный кварцевый резонатор, который в результате подачи цифровой информации в виде электрических импульсов осуществляет формирование механических вибраций в соответствии с пьезоэффектом для изменения частоты отраженного лазерного излучения в соответствии с эффектом Доплера. Технический результат заключается в уменьшении электропотребления и обеспечении возможности передачи цифровой информации с микроспутника по переотраженному лучу. 2 ил.

Изобретение относится к активным электронным компонентам. Прецизионный датчик фотонов на полупроводниковом тиристоре с одним фоточувствительным n-p-переходом и двумя светоизлучающими p-n-переходами выполнен в виде полупроводникового прибора. Внутри тиристора сформирована оптическая положительная обратная связь между p-n-переходами для лавинообразного нарастания тока при попадании фотона в фоточувствительный n-p-переход. Использование прецизионного датчика позволит повысить чувствительность фотоприемных устройств с одновременным уменьшением весогабаритных параметров. 1 ил.

Изобретение относится к активным электронным компонентам. Фотоприемное устройство на каскадных транзисторах со светоизлучающими p-n-переходами и фоточувствительными n-p-переходами, выполненное в виде каскада полупроводниковых транзисторов, при этом между собой транзисторы в каскадах связаны через оптоэлектронные пары. Изобретение позволит повысить чувствительность фотоприемных устройств с одновременным уменьшением весогабаритных параметров. 1 ил.

Изобретение относится к системам радиолокации. Способ формирования эллиптической диаграммы направленности для активной фазированной антенной решетки, содержащей линии задержки, причем линии задержки в антенне настраиваются таким образом, что прием и передача осуществляются электромагнитным излучением, сходящимся в фокусе эллипсоида. Технический результат заключается в возможности формирования эллиптической диаграммы направленности с возможностью изменения параметров АФАР для определения азимута, угла места и дистанции до цели. 2 ил.

Изобретение относится к радиотехнике, в частности к конструкции пассивных антенн сверхвысокочастотного диапазона, предназначенных для отражения электромагнитных колебаний в широком диапазоне частот. Техническим результатом является организация передачи дискретной информации при помощи включения и выключения p-i-n-диодов для создания или отключения поверхностей в виде уголковых отражателей. Указанный технический результат достигается тем, что в антенне в форме уголкового отражателя сверхвысокочастотного диапазона с p-i-n-диодами для передачи дискретной информации при открывании диодов проводящие поверхности соединены друг с другом и уголковый отражатель принимает и переотражает обратно радиоволны в ту же сторону, откуда они были направлены. Если же p-i-n-диоды будут закрыты, то проводящие поверхности изолируются друг от друга и становятся прозрачными для приходящих радиоволн. В результате эти радиоволны не будут отражены обратно. Антенна, выполненная в форме ортогональных плоскостей в виде трехмерного пространственного угла, состоящего из решетчатых металлических проводников, соединенных через p-i-n-диоды, способна передавать в направлении передатчика радиоволн дискретную информацию в пассивном режиме на отраженных электромагнитных колебаниях. 4 ил.

Изобретение относится к радиотехнике, в частности к конструкции устройств СВЧ диапазона, предназначенных для генерации, преобразования, приема и передачи электромагнитных колебаний с кодово-импульсной модуляцией частоты. Согласно изобретению в кодово-импульсном модуляторе сверхвысокочастотных колебаний используется поверхность Мебиуса многослойной структуры металл-диэлектрик-металл-p-i-n-диоды-металл-диэлектрик-металл, причем в каждом сечении такой поверхности имеется емкостная составляющая, образованная прямоугольным диэлектриком с двух противоположных сторон покрытых металлическими обкладками. Через p-i-n-диоды имеется возможность подключения или отключения дополнительной обкладки таким образом, что емкость будет дискретно увеличиваться или уменьшаться (индуктивность при этом будет оставаться неизменной). Замыкание в виде односторонней поверхности Мебиуса из этих двух металлических обкладок формирует одну металлическую обкладку в виде двух витков короткозамкнутой индуктивности. Изобретение обеспечивает изменение резонансных характеристик в режимах бегущей и стоячей волны за счет подключения или отключения дополнительных обкладок к емкости в модуляторе при помощи p-i-n-диодов. 3 ил.

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности касается концентраторов для солнечных батарей. Шарообразная солнечная батарея с многократным преломлением и отражением лучей в концентраторе выполнена в виде шара. Роль концентратора играет сама прозрачная шарообразная солнечная батарея, интегрально объединенная с зеркальным шарообразным металлическим электродом. Солнечные лучи проходят через прозрачный шарообразный электрод, затем через p-n-переход и отражаются от зеркального шарообразного электрода. При обратном прохождении через p-n-переход лучи попадают в n-полупроводник, в котором коэффициент преломления возрастает при приближении к поверхности, как в оптоволоконных кабелях, за счет изменения концентрации примеси. В результате преломления луч вновь пересекает p-n-переход и отражается от зеркального шарообразного электрода. После многократных переотражений и преломлений большая часть солнечных лучей будет преобразована в электрический ток. Солнечная батарея позволит без больших затрат и сложных технологий усовершенствовать существующие способы преобразования электромагнитного излучения в электрический ток. 2 ил.

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности касается концентраторов для солнечных батарей. Концентратор солнечных лучей для солнечной батареи выполнен в форме полуцилиндра с веерным расположением зеркальных отражающих электродов и прозрачных полупроводниковых солнечных батарей. Причем концентратор и солнечная батарея являются интегрально единым устройством. Если расположить солнечную батарею таким образом, чтобы ось полуцилиндра была направлена параллельно оси вращения земного шара, то вне зависимости от угла падения солнечных лучей в течение дня излучение будет проходить через все p-n-переходы, причем практически все фотоны будут поглощены и преобразованы в электрический ток. Изобретение должно повысить эффективность солнечной батареи. 1 ил.

Изобретение относится к системам теплообмена. Технический результат - повышение эффективности термоэлектрического теплового насоса за счет уменьшения выделения паразитного тепла Джоуля в полупроводниковых ветвях и создание условий для возникновения дополнительного термоэффекта между горячими и холодными спаями, изготовленными из разных металлов. Это достигается тем, что полупроводниковые ветви p- и n-типа изготавливаются в виде нанопленок с практически нулевым сопротивлением протекающему току за счет большого соотношения поперечного сечения и высоты ветви. Изготовление горячего и холодного спаев из двух металлов с различными термоэлектрическими характеристиками позволяет трансформировать паразитные термоэлектрические эффекты между металлическими спаями и полупроводниками в дополнительное охлаждение. Использование представленного устройства позволит создать тепловые насосы большей эффективности при малых габаритах, причем перспективным направлением является создание многослойных тепловых насосов, состоящих из нескольких каскадов. 1 ил.

Использование: для отвода тепла от электронных компонентов. Сущность изобретения заключается в том, что светотранзистор с двумя излучающими переходами выполнен в виде биполярного транзистора с р-n-р или n-p-n-структурой, где оба перехода сформированы в виде светоизлучающих, а сам транзистор включается по схеме с общей базой, причем оба источника питания для базы - эмиттера и базы - коллектора подключаются таким образом, что оба р-n-перехода могут быть одновременно открыты или закрыты, причем в транзисторе возникает дополнительное усиление за счет повышения проводимости полупроводниковых материалов при поглощении фотонов, излучаемых р-n-переходами. Технический результат: обеспечение возможности уменьшения тепловыделений биполярных транзисторов. 1 ил.

Использование: для изготовления электронных компонентов микросхем. Сущность изобретения заключается в том, что экономичный световой транзистор выполнен в виде биполярного транзистора n-p-n-структуры, в нем р-n-переход, на котором электроны переходят из n зоны в р зону, сформирован в виде светоизлучающего, а n-р-переход, на котором электроны переходят из р зоны в n зону - в виде фотопреобразователя, причем коллектор, эмиттер и база выполнены в виде зеркальных металлических электродов. Технический результат: обеспечение возможности расширения экономичности биполярных транзисторов в импульсном режиме. 1 ил.

Изобретение относится к системам охлаждения и теплоотвода, в частности к устройствам для охлаждения компьютерных процессоров. Техническим результатом является повышение эффективности системы охлаждения. Тонкопленочное термоэлектрическое устройство со сбалансированными электрофизическими параметрами p- и n-полупроводниковых ветвей выполнено в виде термоэлектрического устройства, причем полупроводниковые ветви p- и n- типа изготавливаются в виде параллелепипедов с различными геометрическими размерами, а сам термомодуль изготовлен в виде тонкой пленки на обратной стороне кристалла компьютерного процессора для интенсификации процесса теплопереноса через подложку на теплоотвод, в результате чего джоулевые тепловыделения становятся практически несущественными, а также достигается идентичность сопротивлений полупроводниковых ветвей. 1 ил.

Изобретение относится к способам опреснения морской воды. Способ опреснения морской воды при помощи тонкопленочного полупроводникового термоэлектрического теплового насоса цилиндрической формы включает использование предварительного теплообмена для подогрева морской воды, предназначенной для выпаривания, за счет отвода теплоты от опресненной воды и концентрированного соленого раствора. Тонкопленочный полупроводниковый термоэлектрический тепловой насос цилиндрической формы горячим спаем доводит до кипения морскую воду, отбирая холодным спаем теплоту у конденсируемого пара, работая в режиме интенсификатора теплопередачи. Изобретение позволяет повысить энергетическую эффективность опреснителя. 1 ил.

Изобретение относится к термоэлектрическим устройствам теплообмена. Технический результат: повышение эффективности устройства за счет уменьшения кондуктивных паразитных потерь между горячими и холодными спаями. Сущность: полупроводниковые ветви p-типа расположены в одной плоскости, а все ветви n-типа - в другой параллельной плоскости. Ветви р- и n-типа выполнены в виде тонких пленок для уменьшения джоулевых тепловыделений и имеют разную толщину. Материал для металлических спаев подбирается различным для входящего и выходящего тока между спаями и полупроводниковыми ветвями с учетом контактных явлений между металлом и полупроводником. Также используются поверхности теплообмена внутри термоэлектрического устройства. 1 ил.

Изобретение относится к области термоэлектричества и может быть использовано в термоэлектрических генераторах. Технический результат: повышение эффективности за счет уменьшения кондуктивных паразитных потерь между горячими и холодными спаями, уменьшением паразитных джоулевых тепловыделений и использованием контактных явлений между металлическими спаями и полупроводниковыми ветвями. Сущность: все ветви p-типа расположены в одной плоскости, а все ветви n-типа - в другой параллельной плоскости. Полупроводниковые ветви изготовлены в виде тонких пленок различной толщины для p- и n-типа. Металлические спаи для контакта с полупроводниковыми ветвями подбираются таким образом, чтобы в металле электроны имели меньшую энергию, чем в полупроводнике. А на втором спае выбирается металл с энергией электронов, большей, чем в полупроводнике, поэтому результат будет аналогичным. Также используются поверхности теплообмена внутри термоэлектрического устройства. 1 ил.

Изобретение относится к системам охлаждения и теплоотвода, например, к устройствам для охлаждения электронных компонентов. Техническим результатом является повышение эффективности системы охлаждения. Термоэлектрическое устройство выполнено в виде многослойного термомодуля, в котором в качестве полупроводниковых ветвей p-типа и n-типа выбраны такие материалы, что протекающий ток от p- к n-типу будет формировать излучение, а при протекании тока от n- к p-типу будет происходить поглощение тепловой энергии в соответствии с эффектом Пельтье, причем каждый слой каскада термомодуля выполнен в виде нанопленки трубчатой структуры, в которой паразитные тепловыделения будут практически сведены к нулю за счет уменьшения омического сопротивления материалов термомодуля при туннелировании электронов через переходы. 1 ил.

Изобретение относится к способам охлаждения и теплоотвода от тепловыделяющих электронных компонентов. В способе отвода тепла от тепловыделяющих электронных компонентов использовано термоэлектрическое устройство, состоящее из термомодуля, примыкающего холодными спаями к электронному компоненту, а горячие спаи термомодуля представляют собой туннельные диоды, предназначенные для преобразования тепловой энергии, поступившей с холодных спаев в виде электрического тока в электромагнитную энергию, отводящую тепло от охлаждаемого устройства в окружающую среду. Использование представленного способа отвода тепла позволит повысить эффективность теплопередачи и уменьшить габариты теплоотвода, а также тем самым увеличить интенсивность работы систем охлаждения. 1 ил.

Изобретение относится к активным электронным компонентам. Согласно изобретению в отличие от обычного светотранзистора с одним излучающим p-n-переходом в светотиристоре в открытом состоянии два перехода являются излучающими, а один переход поглощает тепловую энергию. При этом происходит уменьшение тепловыделений в двух открытых р-n-переходах за счет излучения, что позволяет изготавливать тиристоры большей мощности за счет уменьшения риска теплового пробоя. Причем, чем выше частота излучения переходов, тем больше энергии уйдет в виде излучения и тем больше холода создаст закрытый переход светотиристора, т.о. использование устройства согласно изобретению позволит повысить эффективность теплопереноса с одновременным уменьшением весогабаритных параметров теплоотвода. 1 ил.

Использование: для охлаждения и теплоотвода, например охлаждения компонентов компьютерной техники. Сущность изобретения заключается в том, что способ отвода тепла от тепловыделяющих электронных компонентов на основе применения полупроводниковых лазеров заключается в применении термомодуля, примыкающего холодными спаями к электронному компоненту, а горячие спаи термомодуля представляют собой матрицу полупроводниковых лазеров, предназначенную для преобразования тепловой энергии, поступившей с холодных спаев в виде электрического тока, в энергию электромагнитного излучения оптического диапазона, отводящую тепло от охлаждаемого устройства в окружающую среду. Технический результат: обеспечение возможности повышения эффективности теплопередачи, уменьшения габаритов теплоотвода, увеличения интенсивности работы систем охлаждения. 1 ил.

Изобретение относится к способам охлаждения и теплоотвода, например к способам охлаждения компьютерного процессора. Цель изобретения - улучшение процесса охлаждения тепловыделяющих электронных компонентов. Для достижения поставленной цели разработано термоэлектрическое устройство, состоящее из термомодуля, горячие спаи которого представляют собой диоды Ганна, предназначенные для преобразования тепловой энергии, поступившей с холодных спаев в виде электрического тока, в электромагнитную энергию, отводящую тепло от охлаждаемого устройства в окружающую среду. Такой способ имеет преимущества перед обычными термомодулями с горячими и холодными спаями в том, что можно получить более низкую температуру на холодном спае, так как уменьшается паразитный кондуктивный перенос со стороны горячего спая, который нагревается гораздо меньше за счет того, что часть энергии уходит в виде электромагнитных волн, а не преобразуется в тепло на горячем спае. Использование представленного изобретения позволит повысить эффективность теплопередачи и уменьшить габариты теплоотвода, а также тем самым увеличить интенсивность работы систем охлаждения. 1 ил.

Изобретение относится к системам охлаждения и теплоотвода, например к устройствам для охлаждения компонентов электронной аппаратуры. Технический результат - повышение энергоэффективности системы охлаждения. Устройство содержит светоизлучающий термомодуль с линейным расположением p-n-переходов, обеспечивающий получение холода и светового излучения, и солнечные батареи, преобразующие энергию излучения в электрическую энергию. В качестве полупроводниковых ветвей p-типа и n-типа термомодуля выбраны такие материалы, что протекающий ток на одном из спаев будет формировать излучение, а в другом спае будет происходить поглощение тепловой энергии в соответствии с эффектом Пельтье. Солнечные батареи с зеркальными электродами состоят из p-слоя и n-слоя и расположены параллельно по обе стороны от термомодуля. 1 ил.

Изобретение относится к методам отвода тепла от компонентов радиоэлектроники с высокой мощностью тепловыделений, в частности к охлаждению с применением тепловой трубы, и может использоваться в различных областях электронной промышленности. Согласно изобретению, в способе, состоящем в использовании в качестве хладагента внутри тепловой трубы электролитической жидкости, интенсификация перемещения хладагента в капиллярах по стенкам тепловой трубы достигается пропусканием через электролит тока в магнитном поле, смещающем ионы электролита в нужном направлении. Технический результат - улучшение теплообмена в тепловой трубе путем интенсификации перемещения хладагента по стенкам тепловой трубы. 2 ил.

Изобретение относится к радиоэлектронике и может использоваться для нормализации температуры процессоров современных компьютеров. Техническим результатом является повышение эффективности охлаждения компьютерного процессора. Устройство содержит систему отвода тепла от компьютерного процессора посредством термомодуля и кулера, причем между термомодулем и радиатором расположена система возгонки, состоящая из вращающегося барабана, в котором находится вещество для возгонки, и двух пазов, верхнего и нижнего, при этом нижний паз служит для отвода тепла от термомодуля и передачи его во вращающийся барабан, в котором происходит возгонка, а верхний паз служит для отвода тепла от барабана и передачи ее в кулер, от которого отводится тепло. 1 ил.

Изобретение относится к устройствам для отвода тепла от компонентов радиоэлектроники с высокой мощностью тепловыделений, в частности к тепловым трубам, и может использоваться в различных областях электронной промышленности. Тепловая труба с применением трубчатых оптоволоконных структур, внутренняя боковая поверхность которой выложена трубчатыми оптическими стеклянными волокнами, а в качестве хладагента внутри нее используется легкоиспаряющаяся жидкость. Применение легкоиспаряющейся жидкости (спирт) в качестве хладагента позволяет интенсифицировать теплообмен в тепловой трубе за счет фазового перехода, создавая условия для термостатирования охлаждаемого объекта. Технический результат - обеспечение движения жидкости от зоны конденсации к зоне испарения и отвод инфракрасного излучения от охлаждаемого объекта. 2 ил.

Изобретение относится к системам охлаждения и теплоотвода, например к устройствам для охлаждения компьютерного процессора. Технический результат - получение сверхнизких температур в процессе охлаждения и теплоотвода. Это достигается тем, что применяются светоизлучающие термомодули. Светоизлучающий термомодуль позволяет уменьшить паразитный кондуктивный перенос со стороны горячего спая, который нагревается гораздо меньше за счет того, что часть энергии уходит в виде излучения, а не преобразуется в тепло на горячем спае. Уменьшение кондукции между горячими и холодными спаями позволяет выполнять р-n-переходы и сами спаи в виде тонких пленок. Конструкция термоэлектрического устройства представляет собой каскадный (многослойный) термомодуль, состоящий из термомодулей, в которых в качестве полупроводниковых ветвей р-типа 4 и n-типа 5 выбраны такие материалы, что протекающий ток на одном из спаев 2 будет формировать излучение, а не нагрев, как в обычном термомодуле, причем в другом спае 3 будет происходить поглощение тепловой энергии в соответствии с эффектом Пельтье. Каскады разделены электроизолирующими слоями 1 с высокой прозрачностью и теплопроводностью. Питание осуществляется постоянным током от источника 6. 1 ил.

Изобретение относится к электронным компонентам микросхем. Светотранзистор с высоким быстродействием, выполненный в виде биполярного транзистора с p-n-p или n-p-n-структурой, согласно изобретению в нем p-n-переход, на котором электроны переходят из p зоны в n зону, сформирован в виде светоизлучающего, а n-p-переход, на котором электроны переходят из n зоны в p зону - в виде фотопоглощающего, при этом они образуют интегральную оптопару внутри самого транзистора. Изобретение обеспечивает повышение быстродействия биполярных транзисторов в импульсном режиме работы. 1 ил.

Изобретение относится к электронным компонентам микросхем

Изобретение относится к способам охлаждения и теплоотвода, например к способам охлаждения компьютерного процессора

 


Наверх