Патенты автора Фадеев Алексей Юрьевич (RU)
Устройство для электроискрового легирования // 2703216
Изобретение относится к области электроискровой обработки и может быть использовано для электроискрового легирования поверхностей токопроводящих материалов, в частности лопаток паровых турбин. Устройство содержит электрод, установленный в полости электрододержателя, имеющего патрубок для соединения с источником охлаждающего агента и выполненного с возможностью подключения к питающему электропроводу и возвратно-поступательного перемещения с электродом. Также устройство содержит разъемную головку, которая винтами соединена с основанием, жестко соединенным с корпусом пневмодвигателя. Электрододержатель жестко соединен с кулисой, выполненной с возможностью свободного перемещения в пазу основания разъемной головки, края которого совпадают с краями кулисы, а глубина равна толщине кулисы. Кулиса выполнена из диэлектрического материала и имеет эллипсовидное отверстие, большая ось которого перпендикулярна направлению движения кулисы. На конце вала пневмодвигателя жестко закреплено внутреннее кольцо подшипника, центр которого смещен относительно оси вала пневмодвигателя на величину эксцентриситета, а внешнее кольцо подшипника выполнено с возможностью перемещения по внутренней поверхности упомянутого эллипсовидного отверстия при вращении вала пневмодвигателя, подшипник и часть кулисы закрыты крышкой, имеющей паз, по длине и ширине совпадающий с пазом на основании разъемной головки, а на корпусе пневмодвигателя установлен рычаг, выполненный с возможностью управления клапаном, регулирующим подачу сжатого воздуха через патрубок в пневмодвигателе. Техническим результатом является обеспечение технологичности сборки и разборки устройства, имеющего небольшую массу, и уменьшение динамического вибровоздействия на руки оператора при увеличении производительности устройства. 1 ил.
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО SiC // 2621767
Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллического SiC - широко распространенного материала, используемого для изготовления интегральных микросхем. Способ включает размещение в камере роста 1 тигля 6 с источником SiC 12 и закрепленной на крышке 7 тигля 6 затравочной пластиной SiC 11, создание в камере роста 1, путем ее нагрева нагревателем 4, с учетом теплоизолирующей способности теплового экрана 3, необходимого осевого распределения температуры, обеспеченного высокими градиентами температуры в верхней и нижней зонах камеры роста и низкими градиентами температуры в зоне максимального нагрева, находящейся между верхней и нижней зонами камеры роста, в которой при температуре, обеспечивающей сублимацию, расположен рабочий объем тигля, при этом сублимацию проводят в тигле 6, крышка 7 которого закреплена с сохранением рабочего объема тигля на уступе, выполненном на внутренней поверхности боковых стенок тигля, высота Н которых превышает продольный размер h рабочего объема тигля, а часть боковых стенок, находящихся над крышкой 7 тигля 6, расположена в верхней зоне камеры роста таким образом, что торец 10 боковой стенки тигля размещен при температуре от 1000 до 1500°С. Способ позволяет увеличить выход качественных монокристаллических слитков SiC и снизить затраты на его проведение. 5 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО SIC // 2603159
Изобретение относится к технологии получения монокристаллического SiC - широкозонного полупроводникового материала, используемого для создания на его основе интегральных микросхем. Способ включает сублимацию источника SiC 6 на затравочную пластину 5 из монокристаллического SiC, закрепленную на крышке 3 ростовой ячейки внутри цилиндрического канала, сформированного в ростовой ячейке, при размещении источника SiC 6 в полости, образованной стенками ростовой ячейки, цилиндрического канала и дном 4 ростовой ячейки, и прохождении паровой фазы источника SiC через стенку цилиндрического канала, при этом ростовая ячейка выполнена из нескольких, расположенных последовательно друг над другом, секций 1 для размещения источника SiC 6 и секции 2 для формообразования слитка монокристаллического SiC, выполненной в виде полого графитового цилиндра, на которой расположена крышка 3 ростовой ячейки с затравочной пластиной 5 из монокристаллического SiC, а каждая из секций 2 для размещения источника SiC 6 выполнена в виде двух цилиндров, расположенных соосно один внутри другого с радиальным зазором, внутри которого нижние кромки цилиндров герметично соединены дном с образованием кольцевой полости для размещения источника SiC 6 и внутреннего цилиндрического канала секции, при этом высота внешнего цилиндра превышает высоту внутреннего цилиндра, а цилиндрический канал ростовой ячейки формируют, соосно последовательно располагая секции 1 для размещения источника SiC 6 и секцию 2 для формообразования слитка монокристаллического SiC на дне 4 ростовой ячейки. Изобретение позволяет увеличить скорость роста слитка монокристаллического SiC без ухудшения качества, что приводит к увеличению выхода слитков монокристаллического SiC в единицу времени. Кроме того, снижаются затраты на проведение способа за счет возможности многократного использования ростовой ячейки путем замены отдельных деградированных секций ростовой ячейки на новые. 2 ил., 1 табл.
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО SiC // 2562486
Изобретение относится к технологии получения монокристаллического SiC - широкозонного полупроводникового материала, используемого для создания на его основе интегральных микросхем. SiC получают сублимацией источника SiC, размещенного в нижней части ростовой ячейки, на затравочную пластину из монокристаллического SiC в присутствии пластины, размещенной на поверхности источника SiC, выполненной из материала, теплопроводность которого выше теплопроводности источника SiC, при этом пластина выполнена из монокристаллического SiC толщиной не меньше 500 мкм с диаметром не меньше диаметра монокристаллической затравки SiC, но не больше 70% внутреннего диаметра ростовой ячейки. Плоскость пластины, обращенная к монокристаллической затравке SiC, может быть плоскошлифованной с шероховатостью поверхности менее 10 мкм. Изобретение позволяет увеличить высоту и повысить качество выращиваемого слитка монокристаллического SiC. Это приводит к увеличению количества получаемых из слитка подложек и увеличению надежности изготавливаемых на их основе интегральных микросхем. 1 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА SiC // 2562484
Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллов SiC - широко распространенного материала, используемого при изготовлении интегральных микросхем. Способ включает сублимацию источника SiC 5, размещенного в тигле, на пластину затравочного монокристалла SiC 4, закрепленную на держателе 3, в присутствии газонаправляющего экрана 6, опирающегося нижним краем на боковую внутреннюю поверхность тигля, с зазором h1 между его верхним краем и пластиной затравочного монокристалла SiC и извлечение выращенного монокристалла SiC из внутренней полости газонаправляющего экрана 6, при этом сублимацию проводят в составном тигле, состоящем из верхней 2 и нижней 1 частей, между которыми зафиксирован кольцевой выступ газонаправляющего экрана 6, выполненного в виде тонкостенного цилиндра с толщиной стенок d1 1-3 мм по меньшей мере двумя прорезями 10 шириной 0,05-1 мм на всю его длину, при высоте Н2 тонкостенного цилиндра газонаправляющего экрана больше заданной высоты выращиваемого монокристалла в 1,5-2 раза, зазоре d2 между стенками газонаправляющего экрана и внутренней стенкой верхней части тигля, по крайней мере, более 0,5 мм, зазоре h1 между затравочным монокристаллом и верхним краем упомянутого экрана 1-5 мм, а извлечение выросшего монокристалла SiC из тигля осуществляют путем вертикального перемещения вверх держателя 3 с выросшим на затравочной пластине 4 монокристаллом SiC из внутренней полости газонаправляющего экрана 6, остающегося зафиксированным в составном тигле, с сохранением целостности монокристалла SiC и газонаправляющего экрана за счет смещения сегментов стенок тонкостенного цилиндра газонаправляющего экрана, разделенных прорезями.
Способ позволяет повысить производительность труда и увеличить выход монокристаллов высокой степени структурного совершенства, а также снизить материалоемкость способа (за счет повторного использования газонаправляющих экранов) и его трудоемкость (за счет исключения продолжительных операций термического отжига и механической обработки). 3 ил., 1 табл.
ДАТЧИК ДЫМА // 2510532
Изобретение относится к области электронной пожарно-охранной сигнализации, а именно к оптическим датчикам дыма. Технический результат заключается в повышении пылезащищенности датчика при минимизации зависимости его чувствительности от направленности дыма. Сущность изобретения заключается в том, что в датчике дыма, включающем крышку, снабженную щелями для забора дыма, дымовую камеру, установленную в нижней части крышки, содержащую зону обнаружения дыма, включающую замкнутое боковое ограждение, источник излучения, фотоприемник, а также расположенную ниже зоны обнаружения дыма зону захода дыма, включающую дно и дымонаправляющие ребра, согласно изобретению дымовая камера содержит плоское кольцевое основание, по периметру верхней поверхности которого расположено боковое ограждение, зона захода дыма содержит сформированный на нижней поверхности кольцевого основания с отступом от ее внешней кромки первый кольцевой бортик, дно выполнено в виде заглубленного относительно нижней поверхности кольцевого основания диска, размер и местоположение которого выбраны из условия образования кольцевого зазора между ним и внутренней кромкой кольцевого основания, дымонаправляющие ребра выполнены в виде вертикальных пластин, звездообразно установленных на нижней поверхности кольцевого основания так, что их наружные концевые участки расположены на первом кольцевом бортике, а нижние кромки внутренних концевых участков скреплены с дном, крышка имеет плоскую донную часть, содержащую краевой второй кольцевой бортик и внутренний третий кольцевой бортик, образующий со вторым кольцевым бортиком кольцевую канавку, и боковую поверхность, в придонной части которой выполнены окружные щелевые прорези, образующие отверстия для забора дыма, при этом в ребрах выполнены прорези под третий кольцевой бортик, геометрические размеры и местоположение первого, второго и третьего кольцевых бортиков, их взаимное расположение, а также взаимное положение дымовой камеры и крышки выбраны такими, что при установке дымовой камеры в крышку третий кольцевой бортик проходит через прорези ребер, а первый кольцевой бортик располагается в кольцевой канавке с зазором относительно ее нижней и боковых сторон. 4 ил.
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО SiC // 2454491
Изобретение относится к технологии получения монокристаллического SiC, используемого для изготовления интегральных микросхем
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО SiC // 2405071
Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллического SiC, используемого для изготовления интегральных микросхем
ОПТИЧЕСКИЙ ДАТЧИК ДЫМА // 2379760
Изобретение относится к средствам обнаружения пожара, а именно к оптическим датчикам дыма с рассеянным оптическим излучением
ДЕТЕКТОР ДЫМА // 2288505
Изобретение относится к средствам обнаружения пожара, а именно к оптоэлектронным детекторам дыма
