Патенты автора Гаджиева Солтанат Магомедовна (RU)

Изобретение может быть использовано в области опреснения морской воды. Способ осуществляют в опреснительной установке с полупроводниковым термоэлектрическим охлаждающим устройством, при этом способ включает доведение морской воды до кипения с последующей конденсацией водяного пара на поверхности охлаждающего устройства и отводом пресной воды. Морскую воду доводят до кипения при температуре окружающей среды посредством искусственного понижения атмосферного давления, при этом используют опреснительную установку, состоящую из двух герметичных камер (2, 3) с резервуарами для морской и пресной воды, выполненными с зеркальными стенками, с созданием пониженного давления в камерах поочередно за счет откачки воздуха (18) насосом (1) через воздушные электромагнитные клапаны (7, 11). Для охлаждения водяного пара используют полупроводниковое термоэлектрическое охлаждающее устройство (21) с ультрафиолетовым излучением. Способ обеспечивает сокращение энергетических затрат и экологическую безопасность работы опреснительной установки, уменьшение температуры кипения морской воды до температуры окружающей среды с одновременной дезинфекцией воды ультрафиолетовым излучением. 1 ил.

Изобретение относится к электронным компонентам микросхем. Биполярный полупроводниковый транзистор с тиристорным эффектом согласно изобретению выполнен в виде полупроводниковой n-p-n-структуры, при этом электрод базы вместо обычного металлического электрода выполнен из фоточувствительного материала, в качестве которого использован металл с малым уровнем работы выхода электронов, переход база-эмиттер является светоизлучающим, а переход база-коллектор является фоточувствительным. Изобретение направлено на повышение быстродействия биполярных транзисторов в импульсном режиме работы. В качестве материалов для изготовления биполярного полупроводникового транзистора с тиристорным эффектом могут быть использованы фосфид галлия (GaP), нитрид галлия (GaN), карбид кремния (SiC). Биполярный полупроводниковый транзистор с тиристорным эффектом может быть использован в качестве прецизионного датчика фотонов. 1 ил.

Изобретение относится к активным электронным компонентам. Полупроводниковое устройство усиления потока фотонов с фоточувствительными и светоизлучающими переходами выполнено в виде двух полупроводниковых тиристоров, причем в первом тиристоре центральный p-n-переход изготовлен фоточувствительным, а боковые p-n-переходы изготовлены светоизлучающими, а во втором тиристоре центральный p-n-переход изготовлен светоизлучающим, а боковые p-n-переходы изготовлены фоточувствительными. Изобретение обеспечивает возможность усиления потока фотонов, что позволит повысить эффективность магистральных усилителей оптических сигналов в оптоволоконных линиях связи, возможность изготовления сверхчувствительных датчиков фотонов в широком динамическом диапазоне. 1 ил.

Изобретение относится к электронным компонентам микросхем. Полевой тиристор выполнен из полупроводника n-типа с одним неизолированным фоточувствительным оптическим затвором на фоточувствительном полупроводнике p-типа. При попадании фотонов на фоточувствительный оптический затвор электроны приобретают энергию и могут покинуть фоточувствительный оптический затвор, придав ему положительный заряд. Это, в свою очередь, приведет к прохождению электронов от истока с отрицательным потенциалом к стоку с положительным потенциалом, а также в сторону фоточувствительного оптического затвора через светоизлучающий p-n-переход, что вызовет генерацию фотонов. Попадание этих фотонов на фоточувствительный оптический затвор приведет к еще большему выходу электронов и увеличению на нем положительного потенциала. В результате полевой тиристор полностью будет открыт и через него будет течь максимально допустимый ток. Изобретение обеспечивает повышение быстродействия тиристора. 1 ил.

Изобретение относится к активным электронным компонентам. Прецизионный датчик фотонов на полупроводниковом тиристоре с одним фоточувствительным n-p-переходом и двумя светоизлучающими p-n-переходами выполнен в виде полупроводникового прибора. Внутри тиристора сформирована оптическая положительная обратная связь между p-n-переходами для лавинообразного нарастания тока при попадании фотона в фоточувствительный n-p-переход. Использование прецизионного датчика позволит повысить чувствительность фотоприемных устройств с одновременным уменьшением весогабаритных параметров. 1 ил.

Изобретение относится к активным электронным компонентам. Фотоприемное устройство на каскадных транзисторах со светоизлучающими p-n-переходами и фоточувствительными n-p-переходами, выполненное в виде каскада полупроводниковых транзисторов, при этом между собой транзисторы в каскадах связаны через оптоэлектронные пары. Изобретение позволит повысить чувствительность фотоприемных устройств с одновременным уменьшением весогабаритных параметров. 1 ил.

Использование: для отвода тепла от электронных компонентов. Сущность изобретения заключается в том, что светотранзистор с двумя излучающими переходами выполнен в виде биполярного транзистора с р-n-р или n-p-n-структурой, где оба перехода сформированы в виде светоизлучающих, а сам транзистор включается по схеме с общей базой, причем оба источника питания для базы - эмиттера и базы - коллектора подключаются таким образом, что оба р-n-перехода могут быть одновременно открыты или закрыты, причем в транзисторе возникает дополнительное усиление за счет повышения проводимости полупроводниковых материалов при поглощении фотонов, излучаемых р-n-переходами. Технический результат: обеспечение возможности уменьшения тепловыделений биполярных транзисторов. 1 ил.

Использование: для изготовления электронных компонентов микросхем. Сущность изобретения заключается в том, что экономичный световой транзистор выполнен в виде биполярного транзистора n-p-n-структуры, в нем р-n-переход, на котором электроны переходят из n зоны в р зону, сформирован в виде светоизлучающего, а n-р-переход, на котором электроны переходят из р зоны в n зону - в виде фотопреобразователя, причем коллектор, эмиттер и база выполнены в виде зеркальных металлических электродов. Технический результат: обеспечение возможности расширения экономичности биполярных транзисторов в импульсном режиме. 1 ил.

Изобретение относится к активным электронным компонентам. Согласно изобретению в отличие от обычного светотранзистора с одним излучающим p-n-переходом в светотиристоре в открытом состоянии два перехода являются излучающими, а один переход поглощает тепловую энергию. При этом происходит уменьшение тепловыделений в двух открытых р-n-переходах за счет излучения, что позволяет изготавливать тиристоры большей мощности за счет уменьшения риска теплового пробоя. Причем, чем выше частота излучения переходов, тем больше энергии уйдет в виде излучения и тем больше холода создаст закрытый переход светотиристора, т.о. использование устройства согласно изобретению позволит повысить эффективность теплопереноса с одновременным уменьшением весогабаритных параметров теплоотвода. 1 ил.

Изобретение относится к методам отвода тепла от компонентов радиоэлектроники с высокой мощностью тепловыделений, в частности к охлаждению с применением тепловой трубы, и может использоваться в различных областях электронной промышленности. Согласно изобретению, в способе, состоящем в использовании в качестве хладагента внутри тепловой трубы электролитической жидкости, интенсификация перемещения хладагента в капиллярах по стенкам тепловой трубы достигается пропусканием через электролит тока в магнитном поле, смещающем ионы электролита в нужном направлении. Технический результат - улучшение теплообмена в тепловой трубе путем интенсификации перемещения хладагента по стенкам тепловой трубы. 2 ил.

Изобретение относится к радиоэлектронике и может использоваться для нормализации температуры процессоров современных компьютеров. Техническим результатом является повышение эффективности охлаждения компьютерного процессора. Устройство содержит систему отвода тепла от компьютерного процессора посредством термомодуля и кулера, причем между термомодулем и радиатором расположена система возгонки, состоящая из вращающегося барабана, в котором находится вещество для возгонки, и двух пазов, верхнего и нижнего, при этом нижний паз служит для отвода тепла от термомодуля и передачи его во вращающийся барабан, в котором происходит возгонка, а верхний паз служит для отвода тепла от барабана и передачи ее в кулер, от которого отводится тепло. 1 ил.

Изобретение относится к устройствам для отвода тепла от компонентов радиоэлектроники с высокой мощностью тепловыделений, в частности к тепловым трубам, и может использоваться в различных областях электронной промышленности. Тепловая труба с применением трубчатых оптоволоконных структур, внутренняя боковая поверхность которой выложена трубчатыми оптическими стеклянными волокнами, а в качестве хладагента внутри нее используется легкоиспаряющаяся жидкость. Применение легкоиспаряющейся жидкости (спирт) в качестве хладагента позволяет интенсифицировать теплообмен в тепловой трубе за счет фазового перехода, создавая условия для термостатирования охлаждаемого объекта. Технический результат - обеспечение движения жидкости от зоны конденсации к зоне испарения и отвод инфракрасного излучения от охлаждаемого объекта. 2 ил.

Изобретение относится к системам охлаждения и теплоотвода, например к устройствам для охлаждения компьютерного процессора. Технический результат - получение сверхнизких температур в процессе охлаждения и теплоотвода. Это достигается тем, что применяются светоизлучающие термомодули. Светоизлучающий термомодуль позволяет уменьшить паразитный кондуктивный перенос со стороны горячего спая, который нагревается гораздо меньше за счет того, что часть энергии уходит в виде излучения, а не преобразуется в тепло на горячем спае. Уменьшение кондукции между горячими и холодными спаями позволяет выполнять р-n-переходы и сами спаи в виде тонких пленок. Конструкция термоэлектрического устройства представляет собой каскадный (многослойный) термомодуль, состоящий из термомодулей, в которых в качестве полупроводниковых ветвей р-типа 4 и n-типа 5 выбраны такие материалы, что протекающий ток на одном из спаев 2 будет формировать излучение, а не нагрев, как в обычном термомодуле, причем в другом спае 3 будет происходить поглощение тепловой энергии в соответствии с эффектом Пельтье. Каскады разделены электроизолирующими слоями 1 с высокой прозрачностью и теплопроводностью. Питание осуществляется постоянным током от источника 6. 1 ил.

Изобретение относится к электронным компонентам микросхем

Изобретение относится к способам охлаждения и теплоотвода, например к способам охлаждения компьютерного процессора
Изобретение относится к технологии изготовления мощных кремниевых транзисторов, в частности к способам получения диэлектрических пленок нитрида кремния
Изобретение относится к технологии изготовления мощных транзисторов, в частности к методам получения защитных пленок для формирования активных областей p-n переходов

Изобретение относится к способам охлаждения и теплоотвода, например к способам охлаждения компьютерного процессора

Изобретение относится к радиоэлектронике и может использоваться для нормализации температуры компонентов вычислительных систем

Изобретение относится к устройствам прецизионного измерения количества теплоты

Изобретение относится к устройствам статирования температуры

Изобретение относится к системам охлаждения автомобильного двигателя

Изобретение относится к системам теплообмена

Изобретение относится к радиоэлектронике и может использоваться для нормализации температуры процессоров современных компьютеров

Изобретение относится к радиоэлектронике и может использоваться для нормализации температуры процессоров современных компьютеров
Изобретение относится к газотермическим методам нанесения порошковых материалов при получении корковых деталей на удаляемых моделях

Изобретение относится к системам теплообмена устройств и средств радиоэлектронной техники

Изобретение относится к системам охлаждения и теплоотвода и может быть использовано для охлаждения компьютерного процессора

 


Наверх